GD100PFX170C6SG,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=100o C

161

100

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

200

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C

592

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1700

V

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

100

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

200

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1800

V

IO

Arus Keluaran Rata-rata 5 0Hz/60Hz, gelombang sinus

100

A

IFSM

Arus Maju Lonjakan t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

1600

1400

A

I2t

I2nilai t, t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

13000

9800

A2d

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Junction Maksimum (inverter) Suhu Junction Maksimum (rektifier)

175

150

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC=100A,V GE = 15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=100A,V GE = 15V, T j =125o C

2.25

IC=100A,V GE = 15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=4.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

7.5

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

12.0

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

0.29

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

0.94

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C=100A, R G=4.7Ω,V GE = ± 15V, LD=46nH ,T j =25o C

257

n

t r

Waktu naik

47

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

377

n

t f

Waktu musim gugur

382

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

24.6

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

16.7

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C=100A, R G=4.7Ω,V GE = ± 15V, LD=46nH, T j =125o C

284

n

t r

Waktu naik

56

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

444

n

t f

Waktu musim gugur

555

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

34.9

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

23.1

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C=100A, R G=4.7Ω,V GE = ± 15V, LD=46nH, T j =150o C

286

n

t r

Waktu naik

60

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

465

n

t f

Waktu musim gugur

636

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

38.0

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

26.1

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10 μs, V GE = 15V,

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

400

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju Tegangan

IF =100A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =100A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF =100A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=1590A/μs,V GE = 15V LD=46nH ,T j =25o C

13.3

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

107

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

8.79

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=1300A/μs,V GE = 15V LD=46nH, T j =125o C

25.0

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

111

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

18.6

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=1230A/μs,V GE = 15V LD=46nH, T j =150o C

28.0

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

112

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

20.4

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju Tegangan

IC=100A, T j =150o C

0.85

V

IR

Arus balik

T j =150o C,V R =1800V

3.0

mA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

T C=100 o Cr 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

POWER

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT -inverter ) Junction-ke-Case (per DIODE-inverter ter) Junction-ke-Casing (per Diode-rektif ier)

0.253 0.424 0.289

K/W

R thCH

Kasus -ke -Heat sink (perIGBT -inverter )Casing-ke-Penyerap Panas (per Diode-i nverter) Casing-ke-Penyerap Panas (per Diode-re pemurni) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.105 0.176 0.120 0.009

K/W

M

Torsi pemasangan, Sekrup:M5

3.0

6.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g