GD100PFX170C6SG,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 o C @ T C =100 o C

161

100

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

200

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j = 175 o C

592

W

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1700

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

100

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

200

A

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1800

V

Saya O

Arus Keluaran Rata-rata 5 0Hz/60Hz, gelombang sinus

100

A

Saya FSM

Arus Maju Lonjakan t p =10ms @ T j = 25o C @ T j = 150 o C

1600

1400

A

Saya 2t

Saya 2nilai t, t p =10ms @ T j =25 o C @ T j = 150 o C

13000

9800

A 2s

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

T jmax

Suhu Junction Maksimum (inverter) Suhu Junction Maksimum (rektifier)

175

150

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =100A,V GE = 15V, T j =25 o C

1.85

2.20

V

Saya C =100A,V GE = 15V, T j =125 o C

2.25

Saya C =100A,V GE = 15V, T j = 150 o C

2.35

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C = 4,0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI Arus

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Arus

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

7.5

ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

12.0

nF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.29

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

0.94

μC

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =100A, R G =4.7Ω,V GE = ± 15V, L S =46 nH , T j =25 o C

257

n

t r

Waktu naik

47

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

377

n

t f

Waktu musim gugur

382

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

24.6

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

16.7

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =100A, R G =4.7Ω,V GE = ± 15V, L S =46nH, T j =125 o C

284

n

t r

Waktu naik

56

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

444

n

t f

Waktu musim gugur

555

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

34.9

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

23.1

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =100A, R G =4.7Ω,V GE = ± 15V, L S =46nH, T j = 150 o C

286

n

t r

Waktu naik

60

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

465

n

t f

Waktu musim gugur

636

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

38.0

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

26.1

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

T j = 150 o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

400

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =100A,V GE =0V,T j =25 o C

1.80

2.25

V

Saya F =100A,V GE =0V,T j =1 25o C

1.90

Saya F =100A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.95

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=1590A/μs,V GE = 15V L S =46 nH , T j =25 o C

13.3

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

107

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

8.79

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=1300A/μs,V GE = 15V L S =46nH, T j =125 o C

25.0

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

111

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

18.6

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=1230A/μs,V GE = 15V L S =46nH, T j = 150 o C

28.0

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

112

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

20.4

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya C =100A, T j = 150 o C

0.85

V

Saya R

Arus balik

T j = 150 o C,V R =1800V

3.0

mA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Daya

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT -inverter ) Junction-ke-Case (per DIODE-inverter ter) Junction-ke-Casing (per Diode-rektif ier)

0.253 0.424 0.289

K/W

R thCH

Kasus -ke -Heat sink (perIGBT -inverter )Casing-ke-Penyerap Panas (per Diode-i nverter) Casing-ke-Penyerap Panas (per Diode-re pemurni) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.105 0.176 0.120 0.009

K/W

M

Torsi pemasangan, Sekrup:M5

3.0

6.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g