GD900HFA120C6S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =90o C

900

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

1800

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C

3409

W

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

Saya F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

900

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

1800

A

Saya FSM

Arus Maju Lonjakan t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

4100

3000

A

Saya 2t

Saya 2nilai t, t p =10ms @ T j =25o C

@ T j =150o C

84000

45000

A 2s

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C = 900A,V GE = 15V, T j =25o C

1.40

1.85

V

Saya C = 900A,V GE = 15V, T j =125o C

1.60

Saya C = 900A,V GE = 15V, T j =175o C

1.65

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.5

6.3

7.0

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

Arus

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Arus

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.5

ω

C ies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

51.5

nF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

0.36

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

13.6

μC

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =900A, R G =0,51Ω, L S = 40nH, V GE =-8V/+15V,

T j =25o C

330

n

t r

Waktu naik

140

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

842

n

t f

Waktu musim gugur

84

n

E pADA

Nyalakan Beralih

Kerugian

144

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

87.8

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =900A, R G =0,51Ω, L S = 40nH, V GE =-8V/+15V,

T j =125o C

373

n

t r

Waktu naik

155

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

915

n

t f

Waktu musim gugur

135

n

E pADA

Nyalakan Beralih

Kerugian

186

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

104

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =900A, R G =0,51Ω, L S = 40nH, V GE =-8V/+15V,

T j =175o C

390

n

t r

Waktu naik

172

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

950

n

t f

Waktu musim gugur

162

n

E pADA

Nyalakan Beralih

Kerugian

209

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

114

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 8μs,V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤1200V

3200

A

t P ≤ 6μs,V GE = 15V,

T j =175o C,V CC = 800V, V CEM ≤1200V

3000

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F = 900A,V GE =0V,T j =25o C

1.55

2.00

V

Saya F = 900A,V GE =0V,T j =125o C

1.65

Saya F = 900A,V GE =0V,T j =175o C

1.55

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V, L S =40nH ,T j =25o C

91.0

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

441

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

26.3

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V GE =-8V, L S =40nH ,T j =125o C

141

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

493

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

42.5

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V GE =-8V, L S =40nH ,T j =175o C

174

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

536

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

52.4

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Daya

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/501/T 2-

1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/801/T 2-

1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2-

1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.80

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.044

0.076

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.028

0.049

0.009

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Berat dari Modul

350

g