GD900HFA120C6S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=90o C

900

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

1800

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C

3409

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

IF

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

900

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

1800

A

IFSM

Arus Maju Lonjakan t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

4100

3000

A

I2t

I2nilai t, t p =10ms @ T j =25o C

@ T j =150o C

84000

45000

A2d

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

IC= 900A,V GE = 15V, T j =25o C

1.40

1.85

V

IC= 900A,V GE = 15V, T j =125o C

1.60

IC= 900A,V GE = 15V, T j =175o C

1.65

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.5

6.3

7.0

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI

Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.5

ω

Cies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

51.5

nF

Cres

Transfer Balik

Kapasitansi

0.36

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

13.6

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=900A, R G=0,51Ω, L D= 40nH, V GE =-8V/+15V,

T j =25o C

330

n

t r

Waktu naik

140

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

842

n

t f

Waktu musim gugur

84

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

144

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

87.8

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=900A, R G=0,51Ω, L D= 40nH, V GE =-8V/+15V,

T j =125o C

373

n

t r

Waktu naik

155

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

915

n

t f

Waktu musim gugur

135

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

186

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

104

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=900A, R G=0,51Ω, L D= 40nH, V GE =-8V/+15V,

T j =175o C

390

n

t r

Waktu naik

172

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

950

n

t f

Waktu musim gugur

162

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

209

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

114

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 8μs,V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤1200V

3200

A

t P≤ 6μs,V GE = 15V,

T j =175o C,V CC = 800V, V CEM ≤1200V

3000

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

IF = 900A,V GE =0V,T j =25o C

1.55

2.00

V

IF = 900A,V GE =0V,T j =125o C

1.65

IF = 900A,V GE =0V,T j =175o C

1.55

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V, LD=40nH ,T j =25o C

91.0

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

441

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

26.3

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V GE =-8V, LD=40nH ,T j =125o C

141

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

493

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

42.5

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V GE =-8V, LD=40nH ,T j =175o C

174

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

536

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

52.4

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

T C=100 o Cr 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

POWER

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/501/T 2-

1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/801/T 2-

1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2-

1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.80

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.044

0.076

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.028

0.049

0.009

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Berat dari Modul

350

g