Modul IGBT,GD950HTX75P6HLBT Starpower

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

750

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya CN

Kolektor Cu yang Diimplementasikan rental

950

A

Saya C

Arus Kolektor @ T F =110 o C

450

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

1900

A

P P

Dissipasi Daya Maksimum ation @ T F =75 o C T j = 175 o C

1162

W

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

750

V

Saya FN

Kolektor Cu yang Diimplementasikan rental

950

A

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

450

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

1900

A

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi kontinu

Selama 10 detik dalam satu periode 30 detik, kejadian maksimal 3000 kali seumur hidup

-40 hingga +150 +150 hingga +175

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =450A,V GE = 15V, T j =25 o C

1.25

1.50

V

Saya C =450A,V GE = 15V, T j = 150 o C

1.35

Saya C =450A,V GE = 15V, T j = 175 o C

1.40

Saya C =950A,V GE = 15V, T j =25 o C

1.60

Saya C =950A,V GE = 15V, T j = 175 o C

2.05

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =9.60 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.0

5.7

7.0

V

Saya C =9.60 mA ,V CE = V GE , T j = 175 o C

3.5

Saya CES

Kolektor Potong -MATI Arus

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Arus

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

0.7

ω

C ies

Kapasitas input

V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V

42.1

nF

C oes

Kapasitansi Output

1.80

nF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

1.18

nF

Q G

Biaya gerbang

V CE =400V,I C =450A, V GE =-8…+15V

3.01

μC

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =400V,I C =450A, R G =2.4Ω, L S =24 nH V GE =-8V/+15V,

T j =25 o C

126

n

t r

Waktu naik

62

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

639

n

t f

Waktu musim gugur

149

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

17.3

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

25.4

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =400V,I C =450A, R G =2.4Ω, L S =24 nH V GE =-8V/+15V,

T j = 150 o C

136

n

t r

Waktu naik

68

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

715

n

t f

Waktu musim gugur

221

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

22.5

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

31.0

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =400V,I C =450A, R G =2.4Ω, L S =24 nH V GE =-8V/+15V,

T j = 175 o C

138

n

t r

Waktu naik

68

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

739

n

t f

Waktu musim gugur

227

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

24.8

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

32.6

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤6μs, V GE = 15V,

5100

A

T j =25 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

t P ≤3μs, V GE = 15V,

T j = 175 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =450A,V GE =0V,T j =25 o C

1.40

1.65

V

Saya F =450A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.35

Saya F =450A,V GE =0V,T j =1 75o C

1.30

Saya F =950A,V GE =0V,T j =25 o C

1.75

Saya F =950A,V GE =0V,T j =1 75o C

1.75

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =400V,I F =450A,

-di/dt=7070A/μs,V GE =-8V L S =24 nH ,T j =25 o C

16.0

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

254

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

5.03

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =400V,I F =450A,

-di/dt=6150A/μs,V GE =-8V L S =24 nH ,T j = 150 o C

36.0

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

320

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

9.49

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =400V,I F =450A,

-di/dt=6010A/μs,V GE =-8V L S =24 nH ,T j = 175 o C

40.5

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

338

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

10.5

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Daya

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

L CE

Induktansi Sisa

8

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

0.75

mΩ

p

Tekanan Maksimum Dalam Sirkulasi Pendinginan menggemaskan

T papan dasar <40 o C

T papan dasar 40o C

(tekanan relatif)

2.5 2.0

batang

R thJF

Perpaduan -ke -Pendinginan Cairan (perIGBT ) Cairan penghubung ke pendinginan (per D) yodium) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 o C

0.075 0.118

0.086 0.136

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M5 Torsi pemasangan, Sekrup M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Berat dari Modul

750

g