Semua Kategori
Dapatkan Penawaran Harga

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama perusahaan
Pesan
0/1000

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

Halaman Utama/Produk/Modul IGBT/Modul IGBT 1200V

GD450HFX120C6SA, Modul IGBT, STARPOWER

1200V 450A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD450HFX120C6SA
  • Pengantar
  • Rangka kerja
Pengantar

Perkenalan singkat

Modul IGBT , diproduksi oleh STARPOWER. 1200V 450A.

Fitur

  • V rendah CE (sat ) Lubang IGBT teknologi
  • 10 μs kapasitas sirkuit pendek keadilan
  • V CE (sat ) dengan positif suhu koefisien
  • Maksimum suhu persimpangan 175o C
  • Induktansi rendah kasus
  • Pemulihan terbalik cepat & lembut fWD anti paralel
  • Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Khas Aplikasi

  • Hibrida dan listrik memiliki kendaraan
  • Inverter untuk motor d rive
  • Daya yang tak terputus r pasokan

Absolute Maksimum Peringkat T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C

@ T C= 100o C

680

450

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

900

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C

2173

S

Dioda

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

IF

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

450

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

900

A

Modul

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Suhu Penyimpanan Jangkauan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 mENIT

2500

V

IGBT Karakteristik T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

IC=450A,V GE = 15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=450A,V GE = 15V, T j =125o C

1.95

IC=450A,V GE = 15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC= 11.3mA,V CE =V GE ,T j =25o C

5.2

5.8

6.4

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI

Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.7

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

46.6

nF

Cres

Transfer Balik

Kapasitansi

1.31

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

3.50

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=450A, R G= 1.3Ω,

V GE = ± 15V, T j =25o C

203

n

t r

Waktu naik

64

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

491

n

t f

Waktu musim gugur

79

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

16.1

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

38.0

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=450A, R G= 1.3Ω,

V GE = ± 15V, T j = 125o C

235

n

t r

Waktu naik

75

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

581

n

t f

Waktu musim gugur

109

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

27.8

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

55.5

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=450A, R G= 1.3Ω,

V GE = ± 15V, T j = 150o C

235

n

t r

Waktu naik

75

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

621

n

t f

Waktu musim gugur

119

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

30.5

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

61.5

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10μs,V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1800

A

Dioda Karakteristik T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju

Tegangan

IF =450A,V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF =450A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

IF =450A,V GE =0V,T j = 150o C

1.95

T r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =450A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15V, T j =25o C

55.2

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

518

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

26.0

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =450A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15V, T j = 125o C

106

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

633

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

47.5

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =450A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15V, T j = 150o C

121

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

661

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

53.9

mJ

NTC Karakteristik T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

R 25

Rentang Rating

5.0

δR/R

Penyimpangan dari R 100

T C= 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

POWER

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/501/T 2-

1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/801/T 2-

1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2-

1/ ((298.15K))]

3433

K

Modul Karakteristik T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

1.10

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.069

0.108

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda)

Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.030

0.046

0.009

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Berat dari Modul

350

g

Rangka kerja

image(c537ef1333).png

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama perusahaan
Pesan
0/1000

Produk Terkait

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami siap menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran Harga

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama perusahaan
Pesan
0/1000

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama perusahaan
Pesan
0/1000