GD100HFX170C1S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=100o C

173

112

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

200

A

PD

Maksimum POWER Dissipasi @ T vj =175o C

666

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1700

V

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

100

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

200

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t= 1 menit

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC=100A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC=100A,V GE = 15V, T vj =125o C

2.25

IC=100A,V GE = 15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=4.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

7.5

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

12.0

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

0.29

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

0.94

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C=100A, R G=4.7Ω,V GE = ± 15V, Ls=60nH,

T vj =25o C

272

n

t r

Waktu naik

55

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

369

n

t f

Waktu musim gugur

389

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

28.2

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

16.4

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C=100A, R G=4.7Ω,V GE = ± 15V, Ls=60nH,

T vj =125o C

296

n

t r

Waktu naik

66

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

448

n

t f

Waktu musim gugur

576

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

40.1

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

24.1

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C=100A, R G=4.7Ω,V GE = ± 15V, Ls=60nH,

T vj =150o C

302

n

t r

Waktu naik

69

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

463

n

t f

Waktu musim gugur

607

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

43.9

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

25.7

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10 μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC =1000V

V CEM ≤ 1700V

400

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju Tegangan

IF =100A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =100A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =100A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=1290A/μs,V GE = 15V Ls=60nH,

T vj =25o C

23.5

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

85

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

11.5

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=1020A/μs,V GE = 15V Ls=60nH,

T vj =125o C

36.6

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

88

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

18.1

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=960A/μs,V GE = 15V Ls=60nH,

T vj =150o C

46.2

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

91

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

24.6

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

30

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

0.65

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.225 0.391

K/W

R thCH

Kasus -ke -Heat sink (perIGBT )Kasus-ke-Heatsink (p (diode) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.158 0.274 0.050

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M5 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat dari Modul

150

g