GD400HFX170C2S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C

@ T C= 100o C

648

400

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

800

A

PD

Penghambatan Daya Maksimal T =175o C

2380

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1700

V

IF

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

400

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

800

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Suhu Penyimpanan Jangkauan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 mENIT

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

IC=400A,V GE = 15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=400A,V GE = 15V, T j =125o C

2.25

IC=400A,V GE = 15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC= 16,0 mA,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI

Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

1.88

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

48.2

nF

Cres

Transfer Balik

Kapasitansi

1.17

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =- 15V...+15V

3.77

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C=400A, R G= 0,82Ω,V GE = ± 15V, T j =25o C

204

n

t r

Waktu naik

38

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

425

n

t f

Waktu musim gugur

113

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

97.9

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

84.0

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C=400A, R G= 0,82Ω,V GE = ± 15V, T j =125o C

208

n

t r

Waktu naik

50

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

528

n

t f

Waktu musim gugur

184

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

141

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

132

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C=400A, R G= 0,82Ω,V GE = ± 15V, T j =150o C

216

n

t r

Waktu naik

50

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

544

n

t f

Waktu musim gugur

204

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

161

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

137

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10μs,V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 100V, V CEM ≤ 1700V

1600

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju

Tegangan

IF =400A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =400A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF =400A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

116

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

666

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

63.8

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15V T j =125o C

187

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

662

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

114

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15V T j =150o C

209

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

640

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

132

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Modul Lead Resista nce, terminal ke chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.063

0.105

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.032

0.053

0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g