Semua Kategori
Dapatkan Penawaran Harga

Dapatkan Penawaran Harga Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

Halaman Utama /  Produk /  Modul IGBT /  Modul IGBT 1200V

GD400HFF120C2S, Modul IGBT, STARPOWER

1200V 400A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400HFF120C2S
  • Pendahuluan
  • Rangka kerja
  • Skema Sirkuit Setara
Pendahuluan

Pengenalan singkat

Modul IGBT , diproduksi oleh STARPOWER. 1200V 400A.

Fitur

  • Teknologi Trench IGBT VCE(sat) Rendah
  • VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
  • Kerugian switching rendah
  • Suhu junction maksimum 175oC
  • Kasing induktansi rendah
  • Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Khas Aplikasi

  • Catu daya mode switching
  • Pemanasan induktif
  • Mesin pengelasan elektronik

Absolute Maksimum Peringkat T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

B C

Arus Pengumpul @ T C =25o C

@ T C =90o C

620

400

A

B CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

800

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T =175o C

2272

S

Dioda

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

B F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

400

A

B Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

800

A

Modul

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Suhu penyimpanan Jangkauan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

IGBT Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

B C =400A,V GE = 15V, T j =25o C

1.90

2.35

V

B C =400A,V GE = 15V, T j = 125o C

2.40

B C =400A,V GE = 15V, T j =150o C

2.55

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

B C = 10,0 mA,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

B CES

Kolektor Memotong -MATI

Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

B GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

100

nA

Batang Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

1.9

ω

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, Batang G =0.38Ω,

V GE = ± 15V, T j =25o C

1496

n

t batang

Waktu naik

200

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

1304

n

t f

Waktu musim gugur

816

n

E pada

Nyalakan Beralih

Kerugian

27.6

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

20.8

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, Batang G =0.38Ω,

V GE = ± 15V, T j = 125o C

1676

n

t batang

Waktu naik

252

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

1532

n

t f

Waktu musim gugur

872

n

E pada

Nyalakan Beralih

Kerugian

41.6

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

23.6

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, Batang G =0.38Ω,

V GE = ± 15V, T j = 150o C

1676

n

t batang

Waktu naik

260

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

1552

n

t f

Waktu musim gugur

888

n

E pada

Nyalakan Beralih

Kerugian

46.0

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

24.0

mJ

Dioda Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V F

Dioda Maju

Tegangan

B F =400A,V GE =0V,T j =25o C

1.90

2.35

V

B F =400A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

B F =400A,V GE =0V,T j = 150o C

1.90

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =600V,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

20.4

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

180

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

6.8

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =600V,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

52.4

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

264

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

19.5

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =600V,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

60.8

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

284

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

22.6

mJ

Modul Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

L CE

Induktansi Sisa

15

nH

Batang CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

0.25

Batang thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.066

0.093

K/W

Batang thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.034

0.048

0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g

Rangka kerja

image(c3756b8d25).png

Skema Sirkuit Setara

Dapatkan Penawaran Harga Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

Produk Terkait

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami siap memberikan konsultasi untuk Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran Harga

Dapatkan Penawaran Harga Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

Dapatkan Penawaran Harga Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000