Modul IGBT, GD1000HTA75P6HT Starpower

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

750

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

ICN

Kolektor Cu yang Diimplementasikan rental

1000

A

IC

Arus Pengumpul @ T F =125o C

450

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

2000

A

PD

Dissipasi Daya Maksimum ation @ T F =75o C T vj =175o C

1282

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

750

V

IFN

Kolektor Cu yang Diimplementasikan rental

1000

A

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

450

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

2000

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Junction Operasi kontinu

Selama 10 detik dalam satu periode 30 detik, kejadian maksimal 3000 kali seumur hidup

-40 hingga +150 +150 hingga +175

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 mENIT

2500

V

d Merayap

Terminal ke Heatsink Terminal ke Terminal

9.0 9.0

mm

d Jelas

Terminal ke Heatsink Terminal ke Terminal

4.5 4.5

mm

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC=450A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.10

1.35

V

IC=450A,V GE = 15V, T vj =150o C

1.10

IC=450A,V GE = 15V, T vj =175o C

1.10

IC=1000A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.40

IC=1000A,V GE = 15V, T vj =175o C

1.60

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=12.9mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.5

6.4

7.0

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

1.2

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V

66.7

nF

Coes

Kapasitansi Output

1.50

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

0.35

nF

T G

Biaya gerbang

V CE =400V,I C =450A, V GE =-15…+15V

4.74

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =400V,I C=450A,

R Gon = 1,2Ω, R Goff =1.0Ω, V GE =-8V/+15V,

LD=24nH, T vj =25o C

244

n

t r

Waktu naik

61

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

557

n

t f

Waktu musim gugur

133

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

11.0

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

22.8

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =400V,I C=450A,

R Gon = 1,2Ω, R Goff =1.0Ω, V GE =-8V/+15V,

LD=24nH, T vj =150o C

260

n

t r

Waktu naik

68

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

636

n

t f

Waktu musim gugur

226

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

16.9

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

32.2

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =400V,I C=450A,

R Gon = 1,2Ω, R Goff =1.0Ω, V GE =-8V/+15V,

LD=24nH, T vj =175o C

264

n

t r

Waktu naik

70

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

673

n

t f

Waktu musim gugur

239

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

19.2

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

33.6

mJ

ISC

Data SC

t P≤6μs, V GE = 15V,

T vj =25o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4900

A

t P≤3μs, V GE = 15V,

T vj =175o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju Tegangan

IF =450A,V GE =0V,T vj =25o C

1.40

1.65

V

IF =450A,V GE =0V,T vj =150o C

1.35

IF =450A,V GE =0V,T vj =175o C

1.30

IF =1000A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

IF =1000A,V GE =0V,T vj =175o C

1.80

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =400V,I F =450A,

-di/dt=7809A/μs,V GE =-8V LD=24nH ,T vj =25o C

18.5

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

303

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

3.72

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =400V,I F =450A,

-di/dt=6940A/μs,V GE =-8V LD=24nH ,T vj =150o C

36.1

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

376

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

8.09

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =400V,I F =450A,

-di/dt=6748A/μs,V GE =-8V LD=24nH ,T vj =175o C

40.1

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

383

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

9.01

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

T C=100 o Cr 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

POWER

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

8

nH

R CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.75

mΩ

p

Tekanan Maksimum Dalam Sirkulasi Pendinginan menggemaskan

T papan dasar <40o C

T papan dasar 40o C

(tekanan relatif)

2.5 2.0

baton

R thJF

Perpaduan -ke -Pendinginan Cairan (perIGBT )Cairan penghubung ke pendinginan (per D) yodium) △V/ △t=10.0 dm 3/mENIT ,T F =75o C

0.068 0.105

0.078 0.120

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M5 Torsi pemasangan, Sekrup M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Berat dari Modul

750

g