Semua Kategori
Dapatkan Penawaran Harga

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama perusahaan
Pesan
0/1000

Modul IGBT 1700V

Modul IGBT 1700V

Halaman Utama/Produk/Modul IGBT/Modul IGBT 1700V

GD2400SGX170C4S,Modul IGBT,Modul IGBT arus tinggi,STARPOWER

1700V 2400A, C4

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD2400SGX170C4S
  • Pengantar
  • Rangka kerja
  • Skema Sirkuit Setara
Pengantar

Perkenalan singkat

Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER. 1 700V 2400A,C4 .

Fitur

  • Teknologi Trench IGBT VCE(sat) Rendah
  • kemampuan hubung singkat 10μs
  • VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
  • Suhu junction maksimum 175oC
  • Kasing induktansi rendah
  • Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • AlSiC baseplate untuk kemampuan bersepeda bertenaga tinggi
  • Substrat AlN untuk resistansi termal rendah cE

Aplikasi Umum

  • Konverter Daya Tinggi
  • Penggerak motor

Absolute Maksimum Peringkat T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=100o C

2400

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

4800

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C

13.7

kW

Dioda

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1700

V

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

2400

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

4800

A

IFSM

Arus Surges Maju V R =0V,T p =10ms, @T j =25o C @T j =150o C

18.65 15.25

kA

I2t

I2t-nilai,V R =0V,T p =10m s,T j =25o CI2t-nilai,V R =0V,T p = 10ms ,t j =150o C

1739

1162

kA2d

Modul

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

4000

V

IGBT Karakteristik T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC=2400A,V GE = 15V, T j =25o C

1.85

2.30

V

IC=2400A,V GE = 15V, T j =125o C

2.25

IC=2400A,V GE = 15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=96.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistansi Gerbang Internal tance

0.6

ω

Cies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

285

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

7.13

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

23.5

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C=2400A, R G= 0,82Ω, LD=32nH ,V GE =-9V/+15V,

T j =25o C

609

n

t r

Waktu naik

232

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

1676

n

t f

Waktu musim gugur

192

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

784

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

785

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C=2400A, R G= 0,82Ω, LD=32nH ,V GE =-9V/+15V,

T j =125o C

732

n

t r

Waktu naik

280

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

2171

n

t f

Waktu musim gugur

243

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

1350

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

1083

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C=2400A, R G= 0,82Ω, LD=32nH ,V GE =-9V/+15V,

T j =150o C

772

n

t r

Waktu naik

298

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

2294

n

t f

Waktu musim gugur

298

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

1533

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

1126

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10 μs, V GE = 15V,

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

10.5

kA

Dioda Karakteristik T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju Tegangan

IF =2400A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =2400A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF =2400A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =2400A,

-di/dt=9570A/μs,V GE =-9V, LD=32nH ,T j =25o C

243

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

1656

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

274

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =2400A,

-di/dt=7500A/μs,V GE =-9V, LD=32nH ,T j =125o C

425

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

1692

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

438

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =2400A,

-di/dt=6990A/μs,V GE =-9V, LD=32nH ,T j =150o C

534

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

1809

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

563

mJ

Modul Karakteristik T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

6.0

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

0.10

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

10.9 20.9

K/kW

R thCH

Kasus -ke -Heat sink (perIGBT )Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

6.1 11.7 4.0

K/kW

d Merayap

Terminal-ke-Penyerap Panas Terminal-ke-Terminal

32.2 32.2

mm

d Jelas

Terminal-ke-Penyerap Panas Terminal-ke-Terminal

19.1 19.1

mm

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M4 Torsi koneksi terminal, Sekrup M8 Torsi pemasangan, Sekrup M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Berat dari Modul

1500

g

Rangka kerja

Skema Sirkuit Setara

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama perusahaan
Pesan
0/1000

Produk Terkait

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami siap menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran Harga

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama perusahaan
Pesan
0/1000

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama perusahaan
Pesan
0/1000