GD600SGU120C2S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

Satuan

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C

@ T C=70o C

830

600

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

1200

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =150o C

4032

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

Satuan

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

IF

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

600

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

1200

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

Satuan

T jmax

Suhu Junction Maksimum

150

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +125

o C

T STG

Suhu penyimpanan Jangkauan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 mENIT

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

IC=600A,V GE = 15V, T j =25o C

2.90

3.35

V

IC=600A,V GE = 15V, T j =125o C

3.60

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=6.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.0

5.8

6.6

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI

Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Batang Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.25

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

39.0

nF

Cres

Transfer Balik

Kapasitansi

2.55

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

6.30

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=600A, Batang G= 1. 1Ω,

V GE = ± 15V, T j =25o C

205

n

t batang

Waktu naik

50

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

265

n

t f

Waktu musim gugur

140

n

Eaktif

Nyalakan Beralih

Kerugian

50.4

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

20.0

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=600A, Batang G= 1. 1Ω,

V GE = ± 15V, T j = 125o C

210

n

t batang

Waktu naik

55

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

275

n

t f

Waktu musim gugur

175

n

Eaktif

Nyalakan Beralih

Kerugian

66.0

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

28.9

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10μs,V GE = 15V,

T j =125o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

3900

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V F

Dioda Maju

Tegangan

IF =600A,V GE =0V,T j =25o C

2.25

2.70

V

IF =600A,V GE =0V,T j = 125o C

2.35

T batang

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt= 12kA/μs,V GE = ± 15V, T j =25o C

42.0

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

492

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

16.6

mJ

T batang

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt= 12kA/μs,V GE = ± 15V, T j = 125o C

80.4

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

672

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

37.9

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

LCE

Induktansi Sisa

20

nH

Batang CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

0.18

mΩ

Batang thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.031

0.070

K/W

Batang thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.051

0.114

0.035

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M4 Koneksi Terminal Torsi, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g