Semua Kategori
Dapatkan Penawaran Harga

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

Halaman Utama /  Produk /  Modul IGBT /  Modul IGBT 1200V

GD600SGU120C2S, Modul IGBT, STARPOWER

1200V 600A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD600SGU120C2S
  • Pendahuluan
  • Rangka kerja
Pendahuluan

Pengenalan singkat

Modul IGBT , diproduksi oleh STARPOWER. 1200V 600A.

Fitur

  • Teknologi NPT IGBT
  • 10 μs kapasitas sirkuit pendek keadilan
  • Rendah kerugian switching
  • Tahan lama dengan kinerja ultracepat keturunan
  • V CE (sat ) dengan positif suhu koefisien
  • Pemulihan terbalik cepat & lembut fWD anti paralel
  • Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Khas Aplikasi

  • Mengganti mode daya pasokan
  • Pemanasan induktif
  • Mesin pengelasan elektronik

Absolute Maksimum Peringkat T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

B C

Arus Pengumpul @ T C =25o C

@ T C =70o C

830

600

A

B CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

1200

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =150o C

4032

S

Dioda

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

B F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

600

A

B Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

1200

A

Modul

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

T jmax

Suhu Junction Maksimum

150

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +125

o C

T STG

Suhu penyimpanan Jangkauan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

IGBT Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

B C =600A,V GE = 15V, T j =25o C

2.90

3.35

V

B C =600A,V GE = 15V, T j =125o C

3.60

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

B C =6.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.0

5.8

6.6

V

B CES

Kolektor Memotong -MATI

Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

B GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Batang Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.25

ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

39.0

nF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

2.55

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

6.30

μC

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =600A, Batang G = 1. 1Ω,

V GE = ± 15V, T j =25o C

205

n

t batang

Waktu naik

50

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

265

n

t f

Waktu musim gugur

140

n

E pada

Nyalakan Beralih

Kerugian

50.4

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

20.0

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =600A, Batang G = 1. 1Ω,

V GE = ± 15V, T j = 125o C

210

n

t batang

Waktu naik

55

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

275

n

t f

Waktu musim gugur

175

n

E pada

Nyalakan Beralih

Kerugian

66.0

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

28.9

mJ

B SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

T j =125o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

3900

A

Dioda Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V F

Dioda Maju

Tegangan

B F =600A,V GE =0V,T j =25o C

2.25

2.70

V

B F =600A,V GE =0V,T j = 125o C

2.35

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt= 12kA/μs,V GE = ± 15V, T j =25o C

42.0

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

492

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

16.6

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt= 12kA/μs,V GE = ± 15V, T j = 125o C

80.4

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

672

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

37.9

mJ

Modul Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

Batang CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

0.18

Batang thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.031

0.070

K/W

Batang thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.051

0.114

0.035

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M4 Koneksi Terminal Torsi, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g

Rangka kerja

image(6b521639e0).png

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

Produk Terkait

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami siap memberikan konsultasi untuk Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran Harga

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000