GD150HFU120C2SD,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 o C @ T C =85 o C

241

150

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

300

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj = 150 o C

1262

W

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

150

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

300

A

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

T vjmax

Suhu Junction Maksimum

150

o C

T vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +125

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =150A,V GE = 15V, T vj =25 o C

2.90

3.35

V

Saya C =150A,V GE = 15V, T vj =125 o C

3.60

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =3.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.0

6.1

7.0

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI Arus

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Arus

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

1.50

ω

C ies

Kapasitas input

V CE =30V, f=1MHz, V GE =0V

19.2

nF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.60

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

1.83

μC

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =150A, R G =6.8Ω, Ls=48nH, V GE = ± 15V,T vj =25 o C

74

n

t r

Waktu naik

92

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

401

n

t f

Waktu musim gugur

31

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

19.0

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

3.09

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =150A, R G =6.8Ω, Ls=48nH, V GE = ± 15V,T vj =125 o C

61

n

t r

Waktu naik

95

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

444

n

t f

Waktu musim gugur

47

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

22.5

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

3.99

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

T vj =125 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

975

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =150A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.85

2.30

V

Saya F =150A,V GE =0V,T vj =125 o C

1.90

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=1480A/μs,V GE = 15V, Bahasa Inggris = 48 nH ,T vj =25 o C

13.7

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

91

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

4.01

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=1560A/μs,V GE = 15V, Bahasa Inggris = 48 nH ,T vj =125 o C

22.1

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

111

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

6.65

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

L CE

Induktansi Sisa

30

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

0.35

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.099 0.259

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.028 0.072 0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M5 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g