GD200FFY120C6SF, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C

@ T C=85o C

294

200

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

400

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T =175o C

1056

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

IF

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

200

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

400

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Suhu Penyimpanan Jangkauan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 mENIT

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

IC=200A,V GE = 15V, T j =25o C

1.90

2.35

V

IC=200A,V GE = 15V, T j = 125o C

2.40

IC=200A,V GE = 15V, T j =150o C

2.55

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=5.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI

Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

100

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

3.75

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

20.7

nF

Cres

Transfer Balik

Kapasitansi

0.58

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

1.55

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=200A, R G=0.75Ω,V GE = ± 15V, T j =25o C

374

n

t r

Waktu naik

50

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

326

n

t f

Waktu musim gugur

204

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

13.8

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

10.4

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=200A, R G=0.75Ω,V GE = ± 15V, T j = 125o C

419

n

t r

Waktu naik

63

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

383

n

t f

Waktu musim gugur

218

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

20.8

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

11.9

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=200A, R G=0.75Ω,V GE = ± 15V, T j = 150o C

419

n

t r

Waktu naik

65

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

388

n

t f

Waktu musim gugur

222

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

22.9

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

11.9

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju

Tegangan

IF =200A,V GE =0V,T j =25o C

1.90

2.35

V

IF =200A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

IF =200A,V GE =0V,T j = 150o C

1.90

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

10.2

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

90

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

3.40

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

26.2

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

132

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

9.75

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

30.4

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

142

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

11.3

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

15

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

0.25

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.142

0.202

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.034

0.048

0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g