GD720HTA120P6HT,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya CN

Kolektor Cu yang Diimplementasikan rental

720

A

Saya C

Arus Pengumpul @ T F =65o C

600

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

1440

A

P P

Dissipasi Daya Maksimum ation @ T F =75o C T vj =175o C

1204

W

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang gE

1200

V

Saya FN

Kolektor Cu yang Diimplementasikan rental

720

A

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

600

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

1440

A

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

T vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Junction Operasi kontinu

Untuk 10s dalam periode 30s, kejadian maksimum 3000 kali selama masa hidup me

-40 hingga +150 +150 hingga +175

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 min

3000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =600A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.50

V

Saya C =600A,V GE = 15V, T vj =150o C

1.80

Saya C =600A,V GE = 15V, T vj =175o C

1.85

Saya C =720A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.60

Saya C =720A,V GE = 15V, T vj =175o C

2.05

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =15.6mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

6.0

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI Arus

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Arus

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

1.67

ω

C ies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

48.7

nF

C oes

Kapasitansi Output

1.55

nF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.26

nF

Q G

Biaya gerbang

V CE =800V,I C =600A, V GE =-8…+15V

3.52

μC

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =800V,I C =600A,

R Gon =3.0Ω, R Goff =1.0Ω, L S =24nH,

V GE =-8V/+15V, T vj =25o C

208

n

t r

Waktu naik

65

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

505

n

t f

Waktu musim gugur

104

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

77.7

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

62.2

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =800V,I C =600A,

R Gon =3.0Ω, R Goff =1.0Ω, L S =24nH,

V GE =-8V/+15V, T vj =150o C

225

n

t r

Waktu naik

75

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

567

n

t f

Waktu musim gugur

191

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

110

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

83.4

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =800V,I C =600A,

R Gon =3.0Ω, R Goff =1.0Ω, L S =24nH,

V GE =-8V/+15V, T vj =175o C

226

n

t r

Waktu naik

77

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

583

n

t f

Waktu musim gugur

203

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

118

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

85.9

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤4μs, V GE = 15V,

T vj =175o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2600

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =600A,V GE =0V,T vj =25o C

1.95

V

Saya F =600A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Saya F =600A,V GE =0V,T vj =175o C

1.90

Saya F =720A,V GE =0V,T vj =25o C

2.05

Saya F =720A,V GE =0V,T vj =175o C

2.05

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =800V,I F =600A,

-di/dt=8281A/μs, L S =24n H, V GE =-8V, T vj =25o C

44.3

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

346

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

16.2

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =800V,I F =600A,

-di/dt=6954A/μs, L S =24n H, V GE =-8V, T vj =150o C

73.4

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

385

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

27.8

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R =800V,I F =600A,

-di/dt=6679A/μs, L S =24n H, V GE =-8V, T vj =175o C

80.7

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

392

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

30.7

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Daya

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

L CE

Induktansi Sisa

8

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

0.75

mΩ

p

Tekanan Maksimum Dalam Sirkulasi Pendinginan menggemaskan

T papan dasar <40o C

T papan dasar 40o C

(tekanan relatif)

2.5 2.0

batang

R thJF

Perpaduan -ke -Pendinginan Cairan (perIGBT )Sambungan-ke-Cairan Pendingin (per Di (Inggris) △V/ △t=10.0 dm 3/min ,T F =75o C

0.072 0.104

0.083 0.120

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M5 Torsi pemasangan, Sekrup M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Berat dari Modul

750

g