GD275MJS120L6S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

ICN

Mengimplementasikan Kolletor C arus

275

A

IC

Arus Pengumpul @ T C=100o C

110

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

450

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

IFN

Mengimplementasikan Arus Maju ent

275

A

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

300

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

450

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

IFN

Mengimplementasikan Arus Maju ent

275

A

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

225

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

450

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

IFN

Mengimplementasikan Arus Maju ent

275

A

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

300

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

450

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

3200

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC=225A,V GE = 15V, T j =25o C

2.00

2.45

V

IC=225A,V GE = 15V, T j =125o C

2.70

IC=225A,V GE = 15V, T j =150o C

2.90

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=9.00mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

1.7

ω

Cies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

38.1

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

0.66

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

2.52

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=225A, R G=2Ω,V GE =-8/+15V, LD=36nH ,T j =25o C

154

n

t r

Waktu naik

45

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

340

n

t f

Waktu musim gugur

76

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

13.4

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

8.08

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=225A, R G=2Ω,V GE =-8/+15V, LD=36nH ,T j =125o C

160

n

t r

Waktu naik

49

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

388

n

t f

Waktu musim gugur

112

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

17.6

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

11.2

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=225A, R G=2Ω,V GE =-8/+15V, LD=36nH ,T j =150o C

163

n

t r

Waktu naik

51

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

397

n

t f

Waktu musim gugur

114

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

18.7

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

12.0

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju Tegangan

IF = 300A,V GE =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

IF = 300A,V GE =0V,T j =125o C

1.60

IF = 300A,V GE =0V,T j =150o C

1.60

T r

Dipulihkan Biaya

V R =600V,I F =225A,

-di/dt=5350A/μs,V GE =-8V LD=36nH ,T j =25o C

20.1

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

250

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

6.84

mJ

T r

Dipulihkan Biaya

V R =600V,I F =225A,

-di/dt=5080A/μs,V GE =-8V LD=36nH ,T j =125o C

32.5

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

277

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

11.5

mJ

T r

Dipulihkan Biaya

V R =600V,I F =225A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V LD=36nH ,T j =150o C

39.0

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

288

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

14.0

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju Tegangan

IF =225A,V GE =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

IF =225A,V GE =0V,T j =125o C

1.60

IF =225A,V GE =0V,T j =150o C

1.60

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju Tegangan

IF = 300A,V GE =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

IF = 300A,V GE =0V,T j =125o C

1.60

IF = 300A,V GE =0V,T j =150o C

1.60

T r

Dipulihkan Biaya

V R =600V,I F =225A,

-di/dt=5050A/μs,V GE =-8V LD=30nH ,T j =25o C

18.6

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

189

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

5.62

mJ

T r

Dipulihkan Biaya

V R =600V,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V GE =-8V LD=30nH ,T j =125o C

34.1

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

250

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

11.4

mJ

T r

Dipulihkan Biaya

V R =600V,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V GE =-8V LD=30nH ,T j =150o C

38.9

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

265

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

13.2

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

T C=100o Cr 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Disipasi Daya

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/501/T 2-1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/801/T 2-1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

15

nH

R thJC

Sambungan-ke-Casing (per T1 -T4 IGBT) Sambungan-ke-Casing (per D1/D4 D yodium) Sambungan-ke-Casing (per D2/D3 D yodium) Sambungan-ke-Casing (per D5/D6 D yodium)

0.070 0.122 0.156 0.122

K/W

R thCH

Casing-ke-Penyerap Panas (per T 1-T4 IGBT) Casing-ke-Penyerap Panas (per D1/D4 Diode) Casing-ke-Penyerap Panas (per D2/D3 Diode) Kasus-ke-HeatSink (per D5/D6 Diode)

0.043 0.053 0.069 0.053

K/W

M

Torsi pemasangan, Sekrup:M5

3.0

5.0

N.M

G

Berat dari Modul

250

g