Modul IGBT，1200V 300A, Kemasan:C6.1
Perkenalan singkat
Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER .1200V 300A.
Fitur
V rendah CE(sat) IGBT Trench T teknologi
10μs sirkuit pendek kemampuan
V CE (sat ) dengan positif suhu koefisien
Maksimum suhu persimpangan 175o C
Kasing induktansi rendah
Pemulihan terbalik cepat & lembut fWD anti paralel
Basis tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC
Aplikasi Umum
Inverter untuk motor drive
AC dan DC servo penggerak penguat er
Sumber daya tak terputus
Absolute Maksimum Peringkat T F =25o C kecuali jika tidak dicatat
IGBT
Simbol |
DESKRIPSI |
Nilai |
UNIT |
V CES |
Tegangan kolektor-emitter |
1200 |
V |
V GES |
Tegangan gerbang-emitter |
±20 |
V |
IC |
Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=100o C |
496 300 |
A |
ICm |
Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms |
600 |
A |
PD |
Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C |
1685 |
S |
Dioda
Simbol |
DESKRIPSI |
Nilai |
UNIT |
V RRM |
Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia |
1200 |
V |
IF |
Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental |
300 |
A |
IFm |
Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms |
600 |
A |
Modul
Simbol |
DESKRIPSI |
Nilai |
UNIT |
T jmax |
Suhu Junction Maksimum |
175 |
o C |
T jopp |
Suhu Junction Operasi |
-40 hingga +150 |
o C |
T STG |
Rentang suhu penyimpanan |
-40 hingga +125 |
o C |
V ISO |
Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit |
2500 |
V |
IGBT Karakteristik T C=25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
UNIT |
|
V CE(sat) |
Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh |
IC= 300A,V GE = 15V, T j =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
V |
IC= 300A,V GE = 15V, T j =125o C |
|
1.95 |
|
|||
IC= 300A,V GE = 15V, T j =150o C |
|
2.00 |
|
|||
V GE (th) |
Ambang Gerbang-Emitor Tegangan |
IC=12.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
ICES |
Kolektor Memotong -MATI Saat ini |
V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
IGES |
Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Resistensi Gerbang Dalam keturunan |
|
|
2.5 |
|
ω |
Cies |
Kapasitas input |
V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V |
|
31.1 |
|
nF |
Cres |
Transfer Balik Kapasitansi |
|
0.87 |
|
nF |
|
T G |
Biaya gerbang |
V GE =-15 ...+15V |
|
2.33 |
|
μC |
t d (aktif ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =600V,I C= 300A, R G=1.5Ω,V GE = ± 15V, T j =25o C |
|
313 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
57 |
|
n |
|
t d ((off) |
Matikan Waktu tunda |
|
464 |
|
n |
|
t f |
Waktu musim gugur |
|
206 |
|
n |
|
Eaktif |
Nyalakan Pengalihan Kerugian |
|
9.97 |
|
mJ |
|
EmATI |
Switching Matikan Kerugian |
|
28.6 |
|
mJ |
|
t d (aktif ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =600V,I C= 300A, R G=1.5Ω,V GE = ± 15V, T j =125o C |
|
336 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
66 |
|
n |
|
t d ((off) |
Matikan Waktu tunda |
|
528 |
|
n |
|
t f |
Waktu musim gugur |
|
299 |
|
n |
|
Eaktif |
Nyalakan Pengalihan Kerugian |
|
21.1 |
|
mJ |
|
EmATI |
Switching Matikan Kerugian |
|
36.6 |
|
mJ |
|
t d (aktif ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =600V,I C= 300A, R G=1.5Ω,V GE = ± 15V, T j =150o C |
|
345 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
68 |
|
n |
|
t d ((off) |
Matikan Waktu tunda |
|
539 |
|
n |
|
t f |
Waktu musim gugur |
|
309 |
|
n |
|
Eaktif |
Nyalakan Pengalihan Kerugian |
|
25.6 |
|
mJ |
|
EmATI |
Switching Matikan Kerugian |
|
37.8 |
|
mJ |
|
|
ISC |
Data SC |
t P≤ 10 μs, V GE = 15V, T j =150o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V |
|
1200 |
|
A |
Dioda Karakteristik T C=25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
|
V F |
Dioda Maju Tegangan |
IF = 300A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V |
IF = 300A,V GE =0V,T j =125o C |
|
1.90 |
|
|||
IF = 300A,V GE =0V,T j =150o C |
|
1.95 |
|
|||
T r |
Muatan yang Dipulihkan |
V CC =600V,I F = 300A, -di/dt=6950A/μs,V GE = 15V, T j =25o C |
|
10.8 |
|
μC |
IRM |
Puncak Balik Arus pemulihan |
|
272 |
|
A |
|
ErEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
9.53 |
|
mJ |
|
T r |
Muatan yang Dipulihkan |
V CC =600V,I F = 300A, -di/dt=6090A/μs,V GE = 15V, T j =125o C |
|
24.2 |
|
μC |
IRM |
Puncak Balik Arus pemulihan |
|
276 |
|
A |
|
ErEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
18.4 |
|
mJ |
|
T r |
Muatan yang Dipulihkan |
V CC =600V,I F = 300A, -di/dt=5440A/μs,V GE = 15V, T j =150o C |
|
33.6 |
|
μC |
IRM |
Puncak Balik Arus pemulihan |
|
278 |
|
A |
|
ErEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
20.6 |
|
mJ |
NTC Karakteristik T C=25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
UNIT |
R 25 |
Rentang Rating |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Penyimpangan dari R 100 |
T C=100 o Cr 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
POWER Dissipasi |
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
Nilai B |
R 2=R 25eksp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
Nilai B |
R 2=R 25eksp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
Nilai B |
R 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modul Karakteristik T C=25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
UNIT |
LCE |
Induktansi Sisa |
|
20 |
|
nH |
R CC+EE |
Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip |
|
1.10 |
|
mΩ |
R thJC |
Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan ke kasus (per D) yodium) |
|
|
0.089 0.150 |
K/W |
|
R thCH |
Kasus -ke -Heat sink (perIGBT ) Case-to-Heatsink (per Diode) Kasus-ke-Heatsink (per Modul) |
|
0.029 0.048 0.009 |
|
K/W |
M |
Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5 |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
N.M |
G |
Berat dari Modul |
|
350 |
|
g |
Tim penjualan profesional kami siap menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.
EN
