GD225HFX170C6S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

B C

Arus Pengumpul @ T C =25o C

@ T C = 100o C

396

225

A

B CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

450

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C

1530

S

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1700

V

B F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

225

A

B Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

450

A

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Suhu penyimpanan Jangkauan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

B C =225A,V GE = 15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

B C =225A,V GE = 15V, T j =125o C

2.25

B C =225A,V GE = 15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

B C =9.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

B CES

Kolektor Memotong -MATI

Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

B GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Batang Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

2.8

ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

27.1

nF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

0.66

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

2.12

μC

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =225A, Batang Gon = 3,3Ω, Batang Goff =6.2Ω, V GE = ± 15V,

T j =25o C

187

n

t batang

Waktu naik

76

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

587

n

t f

Waktu musim gugur

350

n

E pada

Nyalakan Beralih

Kerugian

56.1

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

52.3

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =225A, Batang Gon = 3,3Ω, Batang Goff =6.2Ω, V GE = ± 15V,

T j = 125o C

200

n

t batang

Waktu naik

85

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

693

n

t f

Waktu musim gugur

662

n

E pada

Nyalakan Beralih

Kerugian

75.9

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

80.9

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =225A, Batang Gon = 3,3Ω, Batang Goff =6.2Ω, V GE = ± 15V,

T j = 150o C

208

n

t batang

Waktu naik

90

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

704

n

t f

Waktu musim gugur

744

n

E pada

Nyalakan Beralih

Kerugian

82.8

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

87.7

mJ

B SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 1000V, V CEM ≤ 1700V

900

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

B F =225A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

B F =225A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

B F =225A,V GE =0V,T j = 150o C

1.95

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang = 900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

63.0

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

352

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

37.4

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang = 900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V T j =125o C

107

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

394

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

71.0

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang = 900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V T j =150o C

121

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

385

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

82.8

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

Batang 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

δR/R

Penyimpangan dari Batang 100

T C = 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Daya

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

Batang 2=R 25eksp [B 25/501/T 2-

1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

Batang 2=R 25eksp [B 25/801/T 2-

1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

Batang 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2-

1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

Batang CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

1.10

mΩ

Batang thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.098

0.158

K/W

Batang thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.029

0.047

0.009

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Berat dari Modul

350

g