GD600SGU120C2SD,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C@ T C=70o C

857

600

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

1200

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj =150o C

4310

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

600

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

1200

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T vjmax

Suhu Junction Maksimum

150

o C

T vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +125

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC=600A,V GE = 15V, T vj =25o C

3.00

3.45

V

IC=600A,V GE = 15V, T vj =125o C

3.80

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=12mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

4.8

5.8

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.31

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

43.6

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

2.72

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =-15V…+15V

8.32

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=600A, R G=1.5Ω, V GE = ± 15V, Bahasa Inggris =50nH ,T vj =25o C

317

n

t r

Waktu naik

76

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

548

n

t f

Waktu musim gugur

55

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

20.2

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

34.2

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=600A, R G=1.5Ω, V GE = ± 15V, Bahasa Inggris =50nH ,T vj =125o C

325

n

t r

Waktu naik

79

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

595

n

t f

Waktu musim gugur

59

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

27.2

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

38.4

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10 μs, V GE = 15V,

T vj =125o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

3000

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju Tegangan

IF =600A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =600A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =600A,

-di/dt=7745A/μs,V GE = 15V, Bahasa Inggris =50nH ,T vj =25o C

58.0

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

489

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

28.1

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =600A,

-di/dt=7355A/μs,V GE = 15V, Bahasa Inggris =50nH ,T vj =25o C

100

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

563

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

48.2

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

0.35

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.029 0.069

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.014 0.034 0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g