GD600SGY120C2S,Module IGBT,STARPOWER

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

IC

Courant collecteur @ T C=25o C

@ T C=100o C

1000

600

A

ICm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

1200

A

PD

Puissance maximale Dissipation @ T j =175o C

3409

L

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V RRM

Voltage inverse de pointe répétitif

1200

V

IF

Diode à dérive continue le loyer

600

A

IFM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

1200

A

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Température de stockage Autonomie

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 mIN

4000

V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

IC=600A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=600A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C

1.95

IC=600A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

2.00

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

IC= pour les appareils de type à commande numérique CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ILe CES

Le collecteur Découpé -Éteint

Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V,

T j =25o C

1.0

le nombre de

IGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barre Le gint

Résistance à la porte interne ance

0.7

oh

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, f=1 MHz,

V Généralement générés =0V

62.1

nF

Crés

Transfert inverse

Capacité

1.74

nF

QG

Charge de la porte

V Généralement générés =- 15...+15V

4.66

le taux de décharge

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=600A, Barre G= 1,5Ω,

V Généralement générés = ± 15 V, T j =25o C

257

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

96

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

628

n.S.

t f

Temps d'automne

103

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement

Perte de

37.5

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

51.5

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=600A, Barre G= 1,5Ω,

V Généralement générés = ± 15 V, T j =125o C

268

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

107

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

659

n.S.

t f

Temps d'automne

144

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement

Perte de

53.5

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

77.3

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=600A, Barre G= 1,5Ω,

V Généralement générés = ± 15 V, T j =150o C

278

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

118

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

680

n.S.

t f

Temps d'automne

155

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement

Perte de

58.9

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

82.4

je suis désolé.

ISC

Données SC

t P≤ 10 μs,V Généralement générés = 15 V,

T j =150o C,V CC =800V, V MEC ≤1200V

2400

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant

Tension

IF =600A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.65

2.10

V

IF =600A,V Généralement générés =0V,T j = 125o C

1.65

IF =600A,V Généralement générés =0V,T j = 150o C

1.65

Qbarre

Charge récupérée

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=5000A/μs,V Généralement générés =- 15 V, T j =25o C

61.4

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

280

A

Eréc

Récupération Énergie

20.9

je suis désolé.

Qbarre

Charge récupérée

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=5000A/μs,V Généralement générés =- 15 V, T j = 125o C

114

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

415

A

Eréc

Récupération Énergie

43.1

je suis désolé.

Qbarre

Charge récupérée

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=5000A/μs,V Généralement générés =- 15 V, T j = 150o C

128

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

443

A

Eréc

Récupération Énergie

50.0

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

LCE

Inductivité de déplacement

20

nH

Barre CC+EE

Module de résistance au plomb ensuite, terminal à puce

0.18

mΩ

Barre le CJJ

Les points de jonction (par IGB) T)

Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi

0.044

0.078

Pour les produits de base

Barre thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne.

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 diode)

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

0.016

0.028

0.010

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M4 Connexion Terminal Couple, Vire M6 Le couple de montage Vire M6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

N.m.

G

Poids de Module

300

g