Introduction technique
Les MOSFET à grille en tranchée (Trench) pour semiconducteurs de puissance basse tension ont évolué à partir des transistors à effet de champ (FET) à grille planaire antérieurs. Ces composants améliorent le canal conducteur horizontal en passant à un canal conducteur vertical, ce qui permet de réduire encore davantage la surface de la cellule élémentaire. Par ailleurs, une couche épitaxiale faiblement dopée est utilisée afin d’assurer une tenue en tension suffisante ; en faisant varier la concentration en dopants et l’épaisseur de cette couche épitaxiale, il est possible d’obtenir facilement des composants présentant différentes tensions nominales. Tout en garantissant que la tension de claquage du composant répond aux exigences requises, une tendance importante dans le développement des MOSFET de puissance en tranchée consiste à réduire la taille des cellules élémentaires individuelles et à augmenter leur densité, ce qui contribue ainsi à diminuer la résistance à l’état passant par unité de surface.
Série de MOSFET en tranchée (Trench) pour moyenne et basse tension produits couvrent des plages de tension allant de N/P 20 V à 100 V. Différents schémas de conception sont utilisés afin de répondre aux exigences spécifiques de performance de diverses application champs, garantissant des performances excellentes dans chaque application respective.
Avantages produits et compétitivité
Résistance élevée aux avalanches
Résistance aux chocs élevée
Série complète de produits
Champs d'application principaux
Schéma synoptique du MOSFET planaire
Catalogue de MOSFET
-- MOSFET en tranchée
| Numéro de pièce |
iD (A)
25℃
|
RDS(ON) (mΩ)
(VGS = 10 V) |
RDS(ON) (mΩ)
(VGS = 4,5 V) |
Qg (nC)
(Vcs = 10 V) |
Qg (nC)
(VGS = 4,5 V) |
VGS
(V) |
VGs(th)
(V) |
Colis |
| - Je sais. |
Je suis désolé. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
- Je sais. |
- Je sais. |
- Je sais. |
|
Niveau de tension ：30 V
|
| LNNO3R040WE |
80 |
2.95 |
4 |
4.6 |
6.8 |
54 |
-- |
±20 |
1.0-2.5 |
DFN5*6 |
| LNNO3R050WE |
50 |
4.2 |
5 |
-- |
-- |
33.7 |
-- |
±20 |
1.0-2.0 |
DFN5*6 |
| LNNE03R078WE |
30 |
6.4 |
7.8 |
9.8 |
13 |
18.3 |
-- |
±20 |
1.0-2.0 |
DFN3*3 |
|
|
Niveau de tension ：40 V
|
| LNC04R050 |
110 |
3.8 |
5 |
4.7 |
6.2 |
66.7 |
-- |
20 |
1.5 |
TO-220 |
| LNN04R050 |
80 |
3.8 |
5 |
4.7 |
6.2 |
66.7 |
-- |
20 |
1.5 |
DFN5*6 |
| LNN04R065WE |
55 |
4.8 |
6.5 |
6.8 |
9.5 |
54 |
-- |
±20 |
1.1-2.2 |
DFN5*6 |
| LNC04R075 |
60 |
5.6 |
7.5 |
-- |
-- |
51.2 |
-- |
±20 |
1.5 |
TO-220 |
| LNND04R120 |
20 |
7.5 |
12 |
9.5 |
16 |
25 |
-- |
±20 |
1.5 |
DFN5*6 |
|
|
Niveau de tension ：60V
|
| LNE06R079 |
90 |
6 |
.5 7 |
.9 7.6 |
9.5 |
69 |
-- |
20 |
1.3 |
To-263 |
|
|
Niveau de tension ：70V
|
| LNG07R085H |
70 |
7.2 |
8.5 |
-- |
-- |
65.4 |
-- |
±20 |
3 |
To-252 |
| LNE07R085H |
85 |
7.2 |
8.5 |
-- |
-- |
65.4 |
-- |
20 |
3 |
To-263 |
FAQ
Q: Le numéro : Je suis un fabricant d'équipements électriques ; comment puis-je choisir vos produits ?
A: Le choix du bon produit est crucial pour tous les utilisateurs. Vous devez m'indiquer précisément votre domaine d'application ainsi que les paramètres clés de l'IGBT dont vous avez besoin. Je vous recommanderai alors des produits adaptés à vos exigences et vous enverrai la fiche technique du produit afin que vous puissiez confirmer les paramètres.
- Je ne sais pas. Je suis propriétaire d'une marque ; pouvez-vous assurer une fabrication sous marque (OEM) pour moi ?
A: Oui. Vous pouvez choisir le modèle que vous souhaitez faire fabriquer sous marque (OEM) parmi toute notre gamme de produits. Pour les produits non répertoriés dans notre catalogue, nos ingénieurs concevront un produit conforme à vos spécifications techniques.
Ensuite, signez le contrat de fabrication.
Vous pouvez nous confier l’impression de votre logo sur votre produit, ou bien effectuer vous-même cette impression. Bien entendu, si vous souhaitez nous confier l’impression de votre logo, vous devrez nous délivrer une procuration.
Q : Comment garantissez-vous la qualité de vos produits ?
A: Notre usine de fabrication dispose d’un système complet de gestion de la qualité et d’un laboratoire de contrôle qualité de premier ordre. Nous effectuons des contrôles qualité sur les produits semi-finis à des étapes clés du processus de production, et réalisons un contrôle aléatoire final avant expédition. Des rapports d’inspection et des certificats de conformité sont également délivrés.
Q : Comment garantissez-vous que les produits que vous fournissez sont d’origine et authentiques ?
A: (1) Notre usine établit une lettre de garantie attestant l’authenticité des produits.
(2) Chaque lot de marchandises que nous exportons est accompagné d’un certificat d’origine délivré par les douanes chinoises. s.
Nous nous concentrons sur l'application des produits IGBT. Sur la base de cette application, nous avons élargi notre gamme de produits à la personnalisation d’ensembles de puissance haut de gamme ; parallèlement, notre activité s’est étendue au domaine des produits de commande automatisée, notamment les convertisseurs analogique-numérique/numérique-analogique (ADC/DAC), les régulateurs linéaires (LDO), les amplificateurs d’instrumentation, les relais électromagnétiques, les PhotoMOS et les MOSFET.
Ainsi, nous pouvons collaborer avec les principaux fabricants chinois dans nos domaines d’expertise afin d’offrir à nos clients des produits fiables et économiques.
Fondés sur les principes d'innovation et d'excellence, nous sommes à la pointe des solutions alternatives en semi-conducteurs et de la technologie.
Notre vision est de fournir des solutions alternatives à nos clients, d'améliorer la performance coût de leurs solutions d'application et de garantir la sécurité de leur chaîne d'approvisionnement par la fabrication en Chine.
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