GD75PFX170C6SG,Module IGBT,STARPOWER

Le symbole

DESCRIPTION

Valeurs

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1700

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

IC

Courant collecteur @ T C=25o C @ T C=100o C

139

75

A

ICm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

150

A

PD

Puissance maximale Dissipation @ T vj =175o C

559

L

Le symbole

DESCRIPTION

Valeurs

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1700

V

IF

Diode courant continu avant Cu rente

75

A

IFM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

150

A

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

2000

V

IO

Courant de sortie moyen 5 0Hz/60Hz, onde sinusoïdale

75

A

ILe FSM

Courant de pointe p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C

1440

1206

A

I2t

I2t-valeur,t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C

10368

7272

A2s

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

T vjmax

Température maximale de la jonction (inversor) Température maximale de la jonction (redresseur)

175

150

o C

T vjop

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute

4000

V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

IC=75A,V Généralement générés = 15 V, T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC=75A,V Généralement générés = 15 V, T vj =125o C

2.25

IC=75A,V Généralement générés = 15 V, T vj =150o C

2.35

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

IC=3.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ILe CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T vj =25o C

5.0

le nombre de

IGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Le gint

Résistance interne de la porte

8.5

oh

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, f=1 MHz, V Généralement générés =0V

9.03

nF

Crés

Transfert inverse Capacité

0.22

nF

QG

Charge de la porte

V Généralement générés =-15 ... + 15V

0.71

le taux de décharge

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C=75A, R G=6,8Ω,V Généralement générés = ± 15 V, LS =46nH ,T vj =25o C

236

n.S.

t r

Il est temps de monter.

42

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

356

n.S.

t f

Temps d'automne

363

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

17.3

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

11.7

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C=75A, R G=6,8Ω,V Généralement générés = ± 15 V, LS =46nH ,T vj =125o C

252

n.S.

t r

Il est temps de monter.

48

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

420

n.S.

t f

Temps d'automne

485

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

27.1

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

16.6

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C=75A, R G=6,8Ω,V Généralement générés = ± 15 V, LS =46nH ,T vj =150o C

275

n.S.

t r

Il est temps de monter.

50

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

432

n.S.

t f

Temps d'automne

524

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

27.9

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

17.7

je suis désolé.

ISC

Données SC

t P≤ 10 μs, V Généralement générés = 15 V,

T vj =150o C,V CC =1000V

,

V MEC ≤ 1700V

300

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

IF =75A,V Généralement générés =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =75A,V Généralement générés =0V,T vj =125o C

1.90

IF =75A,V Généralement générés =0V,T vj =150o C

1.95

Qr

Charge récupérée

V R = 900V,I F =75A,

-di/dt=1290A/μs,V Généralement générés =-15V LS =46nH ,T vj =25o C

10.3

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

84

A

Eréc

Récupération Énergie

7.44

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R = 900V,I F =75A,

-di/dt=1100A/μs,V Généralement générés =-15V LS =46nH ,T vj =125o C

20.5

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

87

A

Eréc

Récupération Énergie

16.1

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R = 900V,I F =75A,

-di/dt=1060A/μs,V Généralement générés =-15V LS =46nH ,T vj =150o C

22.5

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

97

A

Eréc

Récupération Énergie

19.2

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

IC=75A, T vj =150o C

0.95

V

IR

Courant inverse

T vj =150o C,V R =2000V

3.0

le nombre de

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

R 25

Résistance nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Déviation de R 100

T C=100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/501/T 2- je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/801/T 2- je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/1001/T 2- je suis désolé.

3433

K

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

R le CJJ

Réservoir -à -Boîtier (parIGBT -invertisseur ) Jonction-à-Boîtier (par DIODE-onduleur er) Junction-to-Case (par Diode-rectif ieur)

0.268 0.481 0.289

Pour les produits de base

R thCH

Boîtier -à -Disjoncteur (parIGBT -invertisseur )Case-to-Heatsink (par Diode-i nverseur) Case-to-Heatsink (par Diode-re ctifieur) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

0.106 0.190 0.114 0.009

Pour les produits de base

M

Le couple de montage Pour les appareils de type à moteur

3.0

6.0

N.m.

G

Poids de Module

300

g