Modules de thyristor à coupure rapide

MK(H)x200 MK200, Modules de thyristor à extinction rapide, Refroidissement par air

200A,600V~1800V,413F3D

Brand:

TECHSEM

Spu:

MK(H)x200 MK200

Appurtenance:

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Introduction
Schéma de circuit équivalent

Introduction

Introduction brève

Modules de thyristor à coupure rapide ,MK (H) x200 MK200, 200A, Refroidissement par air ,produit par TECHSEM.

VRRM,VDRM	Type & Contour
600V	MKx200-06-413F3D	MHx200-06-413F3D
800V	MKx200-08-413F3D	MHx200-08-413F3D
1000V	MKx200-10-413F3D	MHx200-10-413F3D
les autres	MKx200-12-413F3D	MHx200-12-413F3D
1400V	MKx200-14-413F3D	MHx200-14-413F3D
1600V	MKx200-16-413F3D	MHx200-16-413F3D
1800V	MKx200-18-413F3D	MHx200-18-413F3D
1800V	MK200-18-413F3DG

MKx signifie tout type de MKC, MKA, MKK

MHx signifie tout type de MHC, MHA, MHK

Caractéristiques ：

Montage isolé bas - 2500 V
Technologie de contact sous pression avec Augmenté capacité de cycle de puissance
Espace et poids sa le

Applications Typiques ：

Invertisseur
Chauffage par induction
Hachoir

Le symbole	Caractéristique	Conditions d'essai	Tj( ℃ )	Valeur			Unité
Le symbole	Caractéristique	Conditions d'essai	Tj( ℃ )	Min	Type	Max	Unité
Je _T(AV)	Courant moyen en état passant	180° onde sinusoïdale demi 50Hz refroidi par un seul côté, Tc=85 ℃	125			200	Une
Je _{T (RMS)}	Courant de l'état actif RMS		125			314	Une
Je _DRMJe _RRM	Courant de crête répétitif	à VDRM à VRRM	125			50	le nombre de
ITSM	Courant de surtension en état passant	onde sinusoïdale demi-cycle 10ms VR=60%VRRM	125			4.8	kA
I2t	I2t pour coordination de fusion	onde sinusoïdale demi-cycle 10ms VR=60%VRRM	125			115	10³Une ²s
V. Le groupe _À	Voltage de seuil		125			1.65	V. Le groupe
r _T	Résistance de pente en état passant		125			0.60	m
V. Le groupe _TM	Tension de pointe en état passant	ITM=600A	25			2.65	V. Le groupe
dv/dt	Taux critique d'augmentation de la tension de seuil	VDM=67%VDRM	125			800	V/μs
di/dt	Taux critique d'augmentation du courant en état actif	Source de porte 1.5A tr ≤0.5μs Répétitif	125			200	A/μs
tq	Temps d'extinction commuté par circuit	ITM=200A, tp=4000µs,VR= 100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs	125	20		40	μs
tq	Temps d'extinction commuté par circuit	ITM=200A, tp=4000µs,VR= 100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs	25	6		16	μs
Je _GT	Courant de déclenchement de porte	VA= 12V, IA= 1A	25	30		180	le nombre de
Vgt	Tension de déclenchement de porte			0.8		2.5	V. Le groupe
Je suis	Courant de maintien			20		200	le nombre de
IL	Courant de verrouillage					1000	le nombre de
V. Le groupe _GD	Tension de porte non déclenchée	VDM=67%VDRM	125			0.2	V. Le groupe
Rth(j-c)	Résistance thermique jonction à boîtier	Refroidi par un seul côté par puce				0.100	℃ /W
Rth(c-h)	Résistance thermique du boîtier au dissipateur	Refroidi par un seul côté par puce				0.040	℃ /W
VISO	Tension d'isolement	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		2500			V. Le groupe
FM	Couple de connexion des bornes (M8)			10.0		12.0	N m
FM	Couple de montage (M6)			4.5		6.0	N m
Tvj	Température de jonction			-40		125	℃
TSTG	Température de stockage			-40		125	℃
Wt	Poids				770		g
Le schéma	les pièces de ce type sont: