GD100HFX170C1S,Module IGBT,STARPOWER

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1700

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

IC

Courant collecteur @ T C=25o C @ T C=100o C

173

112

A

ICm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

200

A

PD

Maximum Puissance Dissipation @ T vj =175o C

666

L

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1700

V

IF

Diode courant continu avant Cu rente

100

A

IFM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

200

A

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

T vjmax

Température maximale de jonction

175

o C

T vjop

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolation RMS, f=50Hz, t= une minute.

4000

V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

IC=100A,V Généralement générés = 15 V, T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC=100A,V Généralement générés = 15 V, T vj =125o C

2.25

IC=100A,V Généralement générés = 15 V, T vj =150o C

2.35

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

IC=4.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ILe CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T vj =25o C

5.0

le nombre de

IGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Le gint

Résistance interne de la porte

7.5

oh

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, f=1 MHz, V Généralement générés =0V

12.0

nF

Crés

Transfert inverse Capacité

0.29

nF

QG

Charge de la porte

V Généralement générés =-15…+15V

0.94

le taux de décharge

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C=100A, R G= 4,7Ω,V Généralement générés = ± 15 V, Ls=60nH,

T vj =25o C

272

n.S.

t r

Il est temps de monter.

55

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

369

n.S.

t f

Temps d'automne

389

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

28.2

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

16.4

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C=100A, R G= 4,7Ω,V Généralement générés = ± 15 V, Ls=60nH,

T vj =125o C

296

n.S.

t r

Il est temps de monter.

66

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

448

n.S.

t f

Temps d'automne

576

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

40.1

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

24.1

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C=100A, R G= 4,7Ω,V Généralement générés = ± 15 V, Ls=60nH,

T vj =150o C

302

n.S.

t r

Il est temps de monter.

69

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

463

n.S.

t f

Temps d'automne

607

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

43.9

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

25.7

je suis désolé.

ISC

Données SC

t P≤ 10 μs, V Généralement générés = 15 V,

T vj =150o C,V CC =1000V

V MEC ≤ 1700V

400

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

IF =100A,V Généralement générés =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =100A,V Généralement générés =0V,T vj =125o C

1.90

IF =100A,V Généralement générés =0V,T vj =150o C

1.95

Qr

Charge récupérée

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=1290A/μs,V Généralement générés =-15V Ls=60nH,

T vj =25o C

23.5

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

85

A

Eréc

Récupération Énergie

11.5

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=1020A/μs,V Généralement générés =-15V Ls=60nH,

T vj =125o C

36.6

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

88

A

Eréc

Récupération Énergie

18.1

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=960A/μs,V Généralement générés =-15V Ls=60nH,

T vj =150o C

46.2

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

91

A

Eréc

Récupération Énergie

24.6

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

LCE

Inductivité de déplacement

30

nH

R CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

0.65

mΩ

R le CJJ

Réservoir -à -Boîtier (parIGBT ) Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)

0.225 0.391

Pour les produits de base

R thCH

Boîtier -à -Disjoncteur (parIGBT )Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

0.158 0.274 0.050

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M5 Le couple de montage Vire M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m.

G

Poids de Module

150

g