Introduction succincte
Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 400A.
Caractéristiques
- capacité de court-circuit de 10 μs
- Faibles pertes de commutation
- Robuste avec des performances ultra rapides
- VCE (sat) avec coefficient de température positif
- Cas à faible inductance
- Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
- Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC
Applications Typiques
- Les sources d'alimentation en mode commutateur
- Chauffage par induction
- Soudeuse électronique
- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation T C =25℃ à moins autrement noté
Le symbole |
Description |
Les données sont fournies par les autorités compétentes. |
Unités |
V Le CES |
Voltage du collecteur-émetteur |
1200 |
V |
V GES |
Voltage de l'émetteur de la porte |
±20 |
V |
E C |
Courant collecteur @ T C =25℃
@ T C =80℃
|
660
400
|
A |
E Cm (1) |
Courant collecteur pulsé t p =1ms |
800 |
A |
E F |
Diode à courant continu vers l'avant |
400 |
A |
E FM (1) |
Diode à courbe avant maximale le loyer |
800 |
A |
P D |
Puissance maximale Dissipation @ T j = 150℃ |
2660 |
L |
T SC |
Courtoisie résiste au temps @ T j =125℃ |
10 |
μs |
T j |
Température maximale de jonction |
150 |
℃ |
T GST |
Plage de température de stockage |
-40 à +125 |
℃ |
V ISO |
Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1min |
2500 |
V |
Le couple de montage |
Écrou de borne de puissance:M6 |
2,5 à 5.0 |
N.m. |
Montage Pour les appareils de type à moteur |
3.0 à 6.0 |
N.m. |
Électrique Caractéristiques de L'IGBT T C =25℃ à moins autrement noté
Caractéristiques hors
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unités |
V (BR )Le CES |
Collecteur-Émetteur
Tension de rupture
|
T j =25℃ |
1200 |
|
|
V |
E Le CES |
Le collecteur Découpé -Éteint Actuel |
V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T j =25℃ |
|
|
5.0 |
le nombre de |
E GES |
Fuite de l'émetteur de la porte
Actuel
|
V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25℃ |
|
|
400 |
nA |
Caractéristiques à l'état passant
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unités |
V Généralement générés (th) |
Seuil d'émetteur de porte
Tension
|
E C =4.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25℃ |
4.4 |
4.9 |
6.0 |
V |
|
V CE (sat)
|
Collecteur à émetteur
Voltage de saturation
|
E C = 400 A,V Généralement générés = 15 V, T j =25℃ |
|
3.10 |
3.60 |
V
|
E C = 400 A,V Généralement générés = 15 V, T j = 125℃ |
|
3.45 |
|
Caractéristiques de commutation
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unités |
t d (sur ) |
Temps de retard d'activation |
V CC =600V,I C = 400A, Barre G = 2,2Ω,V Généralement générés =±15 V, T j =25℃
|
|
680 |
|
n.S. |
t barre |
Il est temps de monter. |
|
142 |
|
n.S. |
t d (éteint ) |
Débranchement Temps de retard |
|
638 |
|
n.S. |
t f |
Temps d'automne |
|
99 |
|
n.S. |
E sur |
Commutateur d'activation
Perte de
|
|
19.0 |
|
je suis désolé. |
E éteint |
Commutateur d'arrêt
Perte de
|
|
32.5 |
|
je suis désolé. |
t d (sur ) |
Temps de retard d'activation |
V CC =600V,I C = 400A, Barre G = 2,2Ω,V Généralement générés =±15 V, T j = 125℃
|
|
690 |
|
n.S. |
t barre |
Il est temps de monter. |
|
146 |
|
n.S. |
t d (éteint ) |
Débranchement Temps de retard |
|
669 |
|
n.S. |
t f |
Temps d'automne |
|
108 |
|
n.S. |
E sur |
Commutateur d'activation
Perte de
|
|
26.1 |
|
je suis désolé. |
E éteint |
Commutateur d'arrêt
Perte de
|
|
36.7 |
|
je suis désolé. |
C - Je vous en prie. |
Capacité d'entrée |
V CE = 30V, f=1MHz,
V Généralement générés =0V
|
|
33.7 |
|
nF |
C oes |
Capacité de sortie |
|
2.99 |
|
nF |
C rés |
Transfert inverse
Capacité
|
|
1.21 |
|
nF |
|
E SC
|
Données SC
|
T P ≤10μs,V Généralement générés =15 V, T j =25℃,
V CC =600V, V MEC ≤les autres
|
|
2600
|
|
A
|
Barre Le gint |
Résistance de porte interne valeurs |
|
|
0.5 |
|
oh |
L CE |
Inductivité de déplacement |
|
|
|
18 |
nH |
Barre CC ’+EE ’ |
Résistance de connexion du module ce, Terminal au chip |
T C =25℃ |
|
0.32 |
|
m oh |
Électrique Caractéristiques de Diode T C =25℃ à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unités |
V F |
Diode vers l'avant
Tension
|
E F = 400A |
T j =25℃ |
|
1.95 |
2.35 |
V |
T j = 125℃ |
|
1.85 |
|
Q: Le numéro barre |
Charge récupérée |
E F = 400A,
V Barre =600 V,
une puissance de sortie de l'appareil de sortie de l'appareil de sortie de l'appareil de sortie de l'appareil de sortie de l'appareil de sortie de l'appareil de sortie de l'appareil de sortie de l'appareil de sortie de V Généralement générés =- 15V
|
T j =25℃ |
|
24.1 |
|
le taux de décharge |
T j = 125℃ |
|
44.3 |
|
E RM |
Période de pointe à l'envers
Courant de récupération
|
T j =25℃ |
|
220 |
|
A |
T j = 125℃ |
|
295 |
|
E réc |
Récupération Énergie |
T j =25℃ |
|
13.9 |
|
je suis désolé. |
T j = 125℃ |
|
24.8 |
|
Caractéristique thermique ics
Le symbole |
Paramètre |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unités |
Barre θ JC |
Jonction à boîtier (par IG BT) |
|
0.047 |
Pour les produits de base |
Barre θ JC |
Les points de contact entre les deux cas (par D) Iode) |
|
0.096 |
Pour les produits de base |
Barre θ CS |
La graisse conductive est utilisée pour la fabrication de (voir le tableau ci-dessous). |
0.035 |
|
Pour les produits de base |
G |
POIDS DE Module |
350 |
|
g |
EN
