Introduction brève 
Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 400A. 
Caractéristiques 
- capacité de court-circuit de 10 μs 
- Faibles pertes de commutation 
- Robuste avec des performances ultra rapides 
- VCE (sat) avec coefficient de température positif 
- Cas à faible inductance 
- Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD 
- Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC 
Applications Typiques 
- Les sources d'alimentation en mode commutateur 
- Chauffage par induction 
- Soudeuse électronique 
- Je ne sais pas.  Le montant maximal  Notes de notation  T   C   = 25 ℃  à moins  autrement  noté 
 
| Le symbole  | Description    | Les données sont fournies par les autorités compétentes.  | Unités  | 
| V. Le groupe Le CES  | Voltage du collecteur-émetteur  | 1200 | V. Le groupe  | 
| V. Le groupe GES  | Voltage de l'émetteur de la porte  | ±   20 | V. Le groupe  | 
| Je C    | Courant collecteur @ T C   = 25℃  @ T C   = 80 ℃  | 660 400 | A  | 
| Je Cm (1)    | Courant collecteur pulsé t p =1ms  | 800 | A  | 
| Je F    | Diode à courant continu vers l'avant  | 400 | A  | 
| Je FM (1)    | Diode à courbe avant maximale le loyer  | 800 | A  | 
| P D  | Puissance maximale Dissipation @ T j =  150℃  | 2660 | Le  | 
| T   SC  | Courtoisie résiste au temps @ T j = 125 ℃  | 10 | μs  | 
| T   j  | Température maximale de jonction  | 150 | ℃  | 
| T   GST  | Plage de température de stockage  | -40 à +125  | ℃  | 
| V. Le groupe ISO  | Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1min  | 2500 | V. Le groupe  | 
| Le couple de montage  | Écrou de borne de puissance:M6  | 2,5 à  5.0 | N.m.  | 
| Montage    Pour les appareils de type à moteur  | 3.0 à  6.0 | N.m.  | 
Électrique  Caractéristiques  de  L'IGBT  T   C   = 25 ℃  à moins  autrement  noté 
Caractéristiques hors 
 
| Le symbole  | Paramètre  | Conditions d'essai  | Je ne sais pas.  | - Je sais.  | Je suis désolé.  | Unités  | 
| V. Le groupe (BR )Le CES  | Collecteur-Émetteur  Tension de rupture  | T   j = 25 ℃  | 1200 |   |   | V. Le groupe  | 
| Je Le CES  | Le collecteur  Coupe -Éteint  Actuel  | V. Le groupe CE   = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V,  T   j = 25 ℃  |   |   | 5.0 | le nombre de  | 
| Je GES  | Fuite de l'émetteur de la porte  Actuel  | V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE   =0V,  T   j = 25 ℃  |   |   | 400 | nA  | 
Caractéristiques à l'état passant 
 
| Le symbole  | Paramètre  | Conditions d'essai  | Je ne sais pas.  | - Je sais.  | Je suis désolé.  | Unités  | 
| V. Le groupe Généralement générés (le ) | Seuil d'émetteur de porte  Tension  | Je C   = 4,0 le nombre de ,V. Le groupe CE   = V. Le groupe Généralement générés , T   j = 25 ℃  | 4.4 | 4.9 | 6.0 | V. Le groupe  | 
|     V. Le groupe CE (sat)  |   Collecteur à émetteur  Voltage de saturation  | Je C   = 400 A,V Généralement générés = 15 V,  T   j = 25 ℃  |   | 3.10 | 3.60 |     V. Le groupe  | 
| Je C   = 400 A,V Généralement générés = 15 V,  T   j =  125℃  |   | 3.45 |   | 
Caractéristiques de commutation 
 
| Le symbole  | Paramètre  | Conditions d'essai  | Je ne sais pas.  | - Je sais.  | Je suis désolé.  | Unités  | 
| t   d (sur ) | Temps de retard d'activation  |       V. Le groupe CC =600V,I C   = 400A, R G   = 2,2Ω,V Généralement générés = ±   15 V, T   j = 25 ℃  |   | 680 |   | n.S.  | 
| t   r  | Il est temps de monter.  |   | 142 |   | n.S.  | 
| t   d (éteint ) | Débranchement  Temps de retard  |   | 638 |   | n.S.  | 
| t   f    | Temps d'automne  |   | 99 |   | n.S.  | 
| E sur  | Commutateur d'activation  Perte de  |   | 19.0 |   | je suis désolé.  | 
| E éteint  | Commutateur d'arrêt  Perte de  |   | 32.5 |   | je suis désolé.  | 
| t   d (sur ) | Temps de retard d'activation  |       V. Le groupe CC =600V,I C   = 400A, R G   = 2,2Ω,V Généralement générés = ±   15 V,  T   j =  125℃  |   | 690 |   | n.S.  | 
| t   r  | Il est temps de monter.  |   | 146 |   | n.S.  | 
| t   d (éteint ) | Débranchement  Temps de retard  |   | 669 |   | n.S.  | 
| t   f    | Temps d'automne  |   | 108 |   | n.S.  | 
| E sur  | Commutateur d'activation  Perte de  |   | 26.1 |   | je suis désolé.  | 
| E éteint  | Commutateur d'arrêt  Perte de  |   | 36.7 |   | je suis désolé.  | 
| C   - Je vous en prie.  | Capacité d'entrée  |   V. Le groupe CE   = 30V, f=1MHz,  V. Le groupe Généralement générés =0V  |   | 33.7 |   | nF  | 
| C   oes  | Capacité de sortie  |   | 2.99 |   | nF  | 
| C   rés  | Transfert inverse  Capacité  |   | 1.21 |   | nF  | 
|   Je SC  |   Données SC  | T   P  ≤ 10μs,V Généralement générés =15  V,  T   j = 25 ℃ , V. Le groupe CC =600V,  V. Le groupe MEC ≤ les autres  |   |   2600 |   |   A  | 
| R Le gint  | Résistance de porte interne valeurs  |   |   | 0.5 |   | oh  | 
| L CE    | Inductivité de déplacement  |   |   |   | 18 | nH  | 
| R CC + EE  ’ | Résistance de connexion du module ce,  Terminal au chip  | T   C   = 25 ℃  |   | 0.32 |   | m oh  | 
Électrique  Caractéristiques  de  Diode  T   C   = 25 ℃  à moins  autrement  noté 
 
| Le symbole  | Paramètre  | Conditions d'essai  | Je ne sais pas.  | - Je sais.  | Je suis désolé.  | Unités  | 
| V. Le groupe F    | Diode vers l'avant  Tension  | Je F   = 400A  | T   j = 25 ℃  |   | 1.95 | 2.35 | V. Le groupe  | 
| T   j =  125℃  |   | 1.85 |   | 
| Q: Le numéro r  | Charge récupérée  |   Je F   = 400A,  V. Le groupe R =600  V,  une puissance de sortie de l'appareil de sortie de l'appareil de sortie de l'appareil de sortie de l'appareil de sortie de l'appareil de sortie de l'appareil de sortie de l'appareil de sortie de l'appareil de sortie de  V. Le groupe Généralement générés je suis désolé.  15V  | T   j = 25 ℃  |   | 24.1 |   | le taux de décharge  | 
| T   j =  125℃  |   | 44.3 |   | 
| Je RM  | Période de pointe à l'envers  Courant de récupération  | T   j = 25 ℃  |   | 220 |   | A  | 
| T   j =  125℃  |   | 295 |   | 
| E réc  | Récupération  Énergie  | T   j = 25 ℃  |   | 13.9 |   | je suis désolé.  | 
| T   j =  125℃  |   | 24.8 |   | 
Caractéristique thermique ics 
 
| Le symbole  | Paramètre  | - Je sais.  | Je suis désolé.  | Unités  | 
| R θ JC  | Jonction à boîtier (par IG BT)  |   | 0.047 | Pour les produits de base  | 
| R θ JC  | Les points de contact entre les deux cas (par D) Iode)  |   | 0.096 | Pour les produits de base  | 
| R θ CS  | La graisse conductive est utilisée pour la fabrication de (voir le tableau ci-dessous).  | 0.035 |   | Pour les produits de base  | 
| G    | Poids de  Module  | 350 |   | g    |