Gérer la chaleur dans un module IGBT compact constitue l’un des défis techniques les plus critiques dans l’électronique de puissance moderne. À mesure que les fréquences de commutation augmentent et que les encombrements physiques se réduisent, la charge thermique par unité de surface augmente considérablement. Sans une conception thermique soignée...
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Dans l’électronique de puissance moderne, le module SiC s’est imposé comme un composant essentiel améliorant l’efficacité dans les applications industrielles, automobiles et énergétiques. La technologie au carbure de silicium permet des fréquences de commutation plus élevées et des températures de fonctionnement plus élevées...
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Dans la conversion de puissance à haute fréquence, les pertes liées au pilotage de grille constituent l’une des sources d’inefficacité les plus importantes et souvent sous-estimées dans tout circuit basé sur des MOSFET. Lorsque les fréquences de commutation atteignent plusieurs centaines de kilohertz, voire des mégahertz…
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Le profil de barrière de champ est l'une des variables structurelles les plus déterminantes dans la conception des wafers IGBT avancés. À mesure que l'électronique de puissance tend vers des fréquences de commutation plus élevées et des budgets thermiques plus serrés, la manière dont les ingénieurs façonnent la barrière de champ…
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Dans l'électronique de puissance haute puissance, le module IGBT joue un rôle central dans la commande précise de courants intenses et de tensions élevées. À mesure que les fréquences de commutation augmentent et que les densités de puissance croissent, même de faibles valeurs d'inductance parasite au sein du module IGBT…
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L’apparition du nouveau module en carbure de silicium (SiC) a profondément modifié la façon dont les ingénieurs en électronique de puissance abordent l’analyse des pertes dynamiques. Contrairement aux dispositifs conventionnels à base de silicium, un module SiC fonctionne à des fréquences de commutation plus élevées et à des températures de jonction plus...
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Lorsqu’un MOSFET chauffe excessivement, les conséquences vont bien au-delà d’un dissipateur thermique tiède. La surchauffe constitue l’une des principales causes de défaillance prématurée dans les composants électroniques de puissance, et, dans les applications industrielles ou à commutation haute fréquence, un seul événement thermique peut provoquer...
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En électronique de puissance, le niveau de performance maximal de tout circuit de commutation est souvent déterminé non pas par la tension ou le courant nominal du transistor, mais par un paramètre plus subtil et fréquemment mal compris : la charge de grille. Tout concepteur ayant tenté de pousser un MOSFET...
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Dans l'électronique de puissance moderne, les pertes par commutation constituent l'un des défis les plus persistants auxquels sont confrontés les concepteurs de circuits, les ingénieurs d'onduleurs et les développeurs de modules de puissance. Au cœur de ce défi se trouve un phénomène appelé charge de récupération inverse...
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La couche d'arrêt de champ est l'un des éléments structurels les plus déterminants dans la conception moderne des semi-conducteurs de puissance, et la compréhension de son profil est essentielle pour améliorer les performances de toute plaquette IGBT destinée à des applications haute tension et fort courant...
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La charge de grille est l'un des paramètres les plus critiques, mais souvent mal compris, dans le choix des MOSFET pour les applications en électronique de puissance. Bien que les tensions nominales et la résistance à l’état passant dominent généralement les premières discussions sur la sélection des composants, la charge de grille cha...
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Les circuits à topologie demi-pont constituent une pierre angulaire de l’électronique de puissance moderne, permettant une conversion d’énergie efficace dans des applications allant des variateurs de vitesse aux onduleurs destinés aux énergies renouvelables. Au sein de ces circuits, la collaboration entre isolants...
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