H100ZPU, Diode redresseuse

Je _T(AV)

3300Une

V. Le groupe _RRM

8000V 8500V

Le symbole

Caractéristique

Conditions d'essai

Tj( ℃ )

Valeur

Unité

Min

Type

Max

IF(AV)

Courant direct moyen

180° onde sinusoïdale demi 50Hz refroidi des deux côtés

TC= 100 ℃

150

3300

Une

RRVM

Voltage inverse de pointe répétitif

tp = 10 ms

150

8000

8500

V. Le groupe

RSI

Courant de crête répétitif

à VRRM tp= 10ms

150

300

le nombre de

MFI

Courant de surtension avant

onde sinusoïdale de 10ms. VR=0.6VRRM

150

50

kA

I2t

I2t pour coordination de fusion

12500

10³Une ²s

VFO

Voltage de seuil

150

0.96

V. Le groupe

rF

Résistance de pente directe

0.24

mΩ

VFM

Tension directe de crête

IFM=5000A, F= 100kN

25

2.10

V. Le groupe

Je suis désolé.

Frais de recouvrement

Les capacités de charge sont calculées en fonction des niveaux de tension du système.

150

23500

le taux de décharge

Rth(j-c)

Résistance thermique jonction à boîtier

À 180 ° sinusoïdale. refroidi des deux côtés Force de serrage 100kN

0.005

℃ /W

Rth(c-h)

Résistance thermique du boîtier au dissipateur

0.0015

FM

Force de montage

98

113

kN

Tvj

Température de jonction

-40

150

℃

TSTG

Température de stockage

-40

160

℃

Wt

Poids

2500

g

Le schéma

ZT100dT