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Module IGBT 4500V

Module IGBT 4500V

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YMIF650-45, Module IGBT, 4500V 650A

IGBT à commutation simple, CRRC

Brand:
CRRC
Spu:
Les produits de base sont les suivants:
  • Introduction
  • Le schéma
Introduction

Brève introduction :

Modules IGBT à haute tension et à interrupteur unique produits par CRRC. 4500V 650A.

Caractéristiques

  • Jeu de puces SPT+ pour faible commutation pertes
  • Faibles V CEsat
  • Faible pilotage puissance
  • A plaque de base lSiC pour haute puissance c cyclage capacité y
  • Substrat AlN pour faible thermique résistance

Typique application

  • Les moteurs de traction
  • Hacheur DC
  • Inverters/converters haute tension

Valeurs maximales nominales

Paramètre/参数

Symbole/符号

Conditions/条件

min

max

Unité

Voltage du collecteur-émetteur 集电极 -tension émetteur collecteur

V Le CES

V Généralement générés =0V,T vj ≥25°C

4500

V

Collecteur de courant continu actuel 集电极电流 Le courant de la centrale électrique

E C

T C =80°C

650

A

Pic collecteur actuel courant de pic du collecteur

E Cm

tp=1ms,Tc=80°C

1300

A

Voltage de l'émetteur de la porte tension de grille émetteur

V GES

-20

20

V

Total dissipation de puissance perte de puissance totale

P tout

T C =25°C, par commutation (IGBT)

6670

L

Courant direct continu courant direct continu

E F

650

A

Courant de pointe vers l'avant courant direct de pointe

E MFN

tp = 1 ms

1300

A

Surtension actuel 浪涌电流 (en anglais seulement)

E Le FSM

V Barre =0V,T vj =125°C,tp=10ms, demi-onde sinusoïdale

5300

A

Court-circuit IGBT cIRCUIT SOA Zone de fonctionnement sécurisée en court-circuit IGBT

t psc

V CC =3400V,V CEMCHIP ≤ 4500 V V Généralement générés ≤15V,Tvj≤125°C

10

μ s

Tension d'isolement 绝缘 électrique

V isolée

1min,f=50Hz

10200

V

Température de jonction 结温

T vj

150

Température de fonctionnement de la jonction température température de jonction

T vj(op)

-50

125

Température de la boîte température du boîtier

T C

-50

125

Température de stockage temperatura de stockage

T gST

-50

125

Couples de montage le courant de chargement

M S

4

6

Nm

M T 1

8

10

M T 2

2

3

Les valeurs caractéristiques des IGBT

Paramètre/参数

Symbole/符号

Conditions/条件

Min

type

max

Unité

Le collecteur (- émetteur) panne tension

集电极 -tension de blocage émetteur

V (BR)CES

V Généralement générés =0V,IC=10mA, Tvj=25°C

4500

V

Saturation collecteur-émetteur tension

集电极 -tension de saturation émetteur

V CEsat

E C =650A, V Généralement générés =15V

Tvj= 25°C

2.7

3.2

V

Tvj=125°C

3.4

3.8

V

Coupe collecteur actuel 集电极截止电流 Le courant est coupé

E Le CES

V CE =4500V, V Généralement générés =0V

Tvj= 25°C

10

le nombre de

Tvj=125°C

100

le nombre de

Porte courant de fuite 极漏电流 (l'écoulement électrique extrême)

E GES

V CE =0V,V Généralement générés =20V, T vj = 125°C

-500

500

nA

Voltage de seuil de la porte émetteur tension de seuil grille émetteur

V RG (ème)

E C =160mA,V CE =V Généralement générés , T vj = 25°C

4.5

6.5

V

Porte charge 极电荷

Q: Le numéro g

E C =650A,V CE =2800V, V Généralement générés =-15V 15V

5.4

µC

Capacité d'entrée capacité d'entrée

C - Je vous en prie.

V CE = 25V,V Généralement générés =0V, f=1MHz,T vj = 25°C

71.4

nF

Capacité de sortie capacité de sortie

C oes

4.82

Capacité de transfert inverse capacité de transfert inverse

C rés

1.28

Délai d'activation temps 开通延迟时间

t d(on)

V CC =2800V,

E C =650A,

Barre G =2.2oh ,

V Généralement générés = ± 15 V,

L σ =280nH,

charge inductive

Tvj = 25 °C

420

n.S.

Tvj = 125 °C

528

Il est temps de monter. le temps augmente

t barre

Tvj = 25 °C

160

Tvj = 125 °C

190

Temps de retard de déclenchement délai d'extinction

t d (éteint )

Tvj = 25 °C

2100

n.S.

Tvj = 125 °C

2970

Temps d'automne temps de descente

t f

Tvj = 25 °C

1600

Tvj = 125 °C

2760

Commutateur d'activation énergie de perte énergie de perte d'activation

E sur

Tvj = 25 °C

1000

je suis désolé.

Tvj =125 °C

1600

Commutateur d'arrêt énergie de perte énergie de perte d'extinction

E éteint

Tvj = 25 °C

2000

je suis désolé.

Tvj =125 °C

2740

Court-circuit actuel 短路 électrique

E SC

t psc 10μ s, V Généralement générés = 15 V, T vj = 125°C,V CC = 3400V

3940

A

Les valeurs caractéristiques des diodes

Paramètre/参数

Symbole/符号

Conditions/条件

min

type

max

Unité

Voltage avant tensions électriques

V F

E F =650A

Tvj = 25 °C

3.2

V

Tvj = 125 °C

3.6

Inverse courant de récupération courant de récupération inverse

E rR

V CC =2800V,

E C =650A,

Barre G =2.2oh ,

V Généralement générés = ± 15 V,

L σ =280nH,

charge inductive

Tvj = 25 °C

1200

A

Tvj = 125 °C

1300

A

Charge récupérée charge récupérée

Q: Le numéro rR

Tvj = 25 °C

450

µC

Tvj = 125 °C

550

µC

Inverse temps de récupération temps de récupération inverse

t rR

Tvj = 25 °C

660

n.S.

Tvj = 125 °C

750

Inverse énergie de récupération réaction de récupération

E réc

Tvj =25 °C

720

je suis désolé.

Tvj = 125 °C

860

Le schéma

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