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Module IGBT 1200V

Module IGBT 1200V

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GD150PIY120C6SN, Module IGBT, STARPOWER

1200V 150A, emballage : C6

Brand:
Le système de régulation
Spu:
GD150PIY120C6SN
  • Introduction
  • Le schéma
  • Schéma de circuit équivalent
Introduction

Introduction succincte

Module IGBT ,produit par Le système de régulation . 1200V 150A. Je suis désolé.

Caractéristiques

  • Technologie IGBT à faible VCE (sat)
  • capacité de court-circuit de 10 μs
  • VCE (sat) avec coefficient de température positif
  • Température maximale de la jonction 175
  • Cas à faible inductance
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
  • Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Applications Typiques

  • Invertisseurs pour moteur
  • Amplificateur à servo-entraînement CA et CC
  • Énergie ininterrompue

- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation T F =25o C à moins autrement noté

Unité de mesure de la pression

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

E C

Courant collecteur @ T C =25o C @ T C =100o C

292

150

A

E Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

300

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T j =175o C

1111

L

Déplacement de diode

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V

E F

Diode courant continu avant Cu rente

150

A

E FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

300

A

Diode-redresseur

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1600

V

E O

Courant de sortie moyen 5 0Hz/60Hz, onde sinusoïdale

150

A

E Le FSM

Courant de pointe p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

1600

1400

A

E 2t

E 2t-valeur,t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

13000

9800

A 2s

Frein IGBT

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

E C

Courant collecteur @ T C =25o C @ T C =100o C

200

100

A

E Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

200

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T j =175o C

833

L

Diode -frein

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V

E F

Diode courant continu avant Cu rente

50

A

E FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

100

A

Module

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de la jonction (inversor, frein) Température maximale de la jonction (redresseur)

175

150

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute

2500

V

L'IGBT -invertisseur Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

E C =150A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.70

2.15

V

E C =150A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C

1.95

E C =150A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

2.00

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

E C =6.00le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

E Le CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T j =25o C

1.0

le nombre de

E GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barre Le gint

Résistance à la porte interne ance

2.0

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, f=1 MHz, V Généralement générés =0V

15.5

nF

C rés

Transfert inverse Capacité

0.44

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V Généralement générés =-15 ... + 15V

1.17

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =150A, Barre G =1. 1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =25o C

96

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

30

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

255

n.S.

t f

Temps d'automne

269

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

8.59

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

12.3

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =150A, Barre G =1. 1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =125o C

117

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

37

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

307

n.S.

t f

Temps d'automne

371

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

13.2

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

16.8

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =150A, Barre G =1. 1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =150o C

122

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

38

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

315

n.S.

t f

Temps d'automne

425

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

14.8

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

18.1

je suis désolé.

E SC

Données SC

t P ≤ 10 μs, V Généralement générés = 15 V,

T j =150o C,V CC =900V, V MEC ≤1200V

600

A

Diode -invertisseur Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V F

Diode vers l'avant Tension

E F =150A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.85

2.25

V

E F =150A,V Généralement générés =0V,T j =125o C

1.90

E F =150A,V Généralement générés =0V,T j =150o C

1.95

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =150A,

-di/dt=4750A/μs,V Généralement générés =-15V T j =25o C

8.62

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

177

A

E réc

Récupération Énergie

5.68

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =150A,

-di/dt=3950A/μs,V Généralement générés =-15V T j =125o C

16.7

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

191

A

E réc

Récupération Énergie

10.2

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =150A,

-di/dt=3750A/μs,V Généralement générés =-15V T j =150o C

19.4

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

196

A

E réc

Récupération Énergie

12.1

je suis désolé.

Diode -redresseur Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

E C =150A, T j =150o C

1.00

V

E Barre

Courant inverse

T j =150o C,V Barre =1600V

3.0

le nombre de

L'IGBT -frein Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

E C =100A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.70

2.15

V

E C =100A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C

1.95

E C =100A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

2.00

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

E C =4.00le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

E Le CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T j =25o C

1.0

le nombre de

E GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barre Le gint

Résistance à la porte interne ance

7.5

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, f=1 MHz, V Généralement générés =0V

10.4

nF

C rés

Transfert inverse Capacité

0.29

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V Généralement générés =-15 ... + 15V

0.08

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =100A, Barre G = 1,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =25o C

170

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

32

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

360

n.S.

t f

Temps d'automne

86

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

5.90

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

6.05

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =100A, Barre G = 1,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =125o C

180

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

42

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

470

n.S.

t f

Temps d'automne

165

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

9.10

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

9.35

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =100A, Barre G = 1,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =150o C

181

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

43

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

480

n.S.

t f

Temps d'automne

186

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

10.0

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

10.5

je suis désolé.

E SC

Données SC

t P ≤ 10 μs, V Généralement générés = 15 V,

T j =150o C,V CC =900V, V MEC ≤1200V

400

A

Diode -frein Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

E F =50A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

E F =50A,V Généralement générés =0V,T j =125o C

1.90

E F =50A,V Généralement générés =0V,T j =150o C

1.95

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V Généralement générés =-15V T j =25o C

6.3

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

62

A

E réc

Récupération Énergie

1.67

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V Généralement générés =-15V T j =125o C

10.1

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

69

A

E réc

Récupération Énergie

2.94

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V Généralement générés =-15V T j =150o C

11.5

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

72

A

E réc

Récupération Énergie

3.63

je suis désolé.

NTC Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

Barre 25

Résistance nominale

5.0

∆R/R

Déviation de Barre 100

T C =100 o C ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/501/T 2- je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/801/T 2- je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/1001/T 2- je suis désolé.

3433

K

Module Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

L CE

Inductivité de déplacement

40

nH

Barre CC+EE Barre AA ’+CC

Module de résistance au plomb nce,Terminal à Puce

4.00 3.00

Barre le CJJ

Réservoir -à -Étude de cas (parIGBT -invertisseur ) Jonction-à-Boîtier (par DIODE-onduleur er) Junction-to-Case (par Diode-rectif ieur) Réservoir -à -Étude de cas (parIGBT -frein )

Junction-to-Case (par Diode-br ake)

0.135 0.300 0.238 0.180 0.472

Pour les produits de base

Barre thCH

Étude de cas -à -Disjoncteur (parIGBT -invertisseur )Case-to-Heatsink (par Diode-i nverseur) Case-to-Heatsink (par Diode-re ctifieur) Étude de cas -à -Disjoncteur (parIGBT -frein )

Case-to-Heatsink (par Dio de-brake) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

0.118 0.263 0.208 0.158 0.413 0.009

Pour les produits de base

M

Le couple de montage Pour les appareils de type à moteur

3.0

6.0

N.m.

Le schéma

Schéma de circuit équivalent

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