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Module IGBT 1200V

Module IGBT 1200V

Page d'accueil/Produits/Module IGBT/Module IGBT 1200V

GD150HFU120C2SD, Module IGBT, STARPOWER

1200V 150A

Brand:
Le système de régulation
Spu:
Les données sont fournies par les autorités compétentes.
  • Introduction
  • Le schéma
  • Schéma de circuit équivalent
Introduction

Présentation succincte

Module IGBT ,produit par Le système de régulation .1200V 150A. Je suis désolé.

Caractéristiques

  • Technologie IGBT à faible VCE (sat)
  • capacité de court-circuit de 10 μs
  • VCE (sat) avec coefficient de température positif
  • Température maximale de la jonction 175
  • Cas à faible inductance
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
  • Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Applications Typiques

  • Alimentation en mode commutation
  • Chauffage par induction
  • Soudeuse électronique

- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation T F =25o C à moins autrement noté

L'IGBT

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

IC

Courant collecteur @ T C=25o C@ T C=85o C

241

150

A

ICm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

300

A

PD

Puissance maximale Dissipation @ T vj =150o C

1262

L

Diode

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V

IF

Diode courant continu avant Cu rente

150

A

IFM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

300

A

Module

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

T vjmax

Température maximale de jonction

150

o C

T vjop

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +125

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute

2500

V

L'IGBT Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

IC=150A,V Généralement générés = 15 V, T vj =25o C

2.90

3.35

V

IC=150A,V Généralement générés = 15 V, T vj =125o C

3.60

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

IC=3.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T vj =25o C

5.0

6.1

7.0

V

ILe CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T vj =25o C

5.0

le nombre de

IGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Le gint

Résistance à la porte interne ance

1.50

oh

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 30V, f=1MHz, V Généralement générés =0V

19.2

nF

Crés

Transfert inverse Capacité

0.60

nF

QG

Charge de la porte

V Généralement générés =-15…+15V

1.83

le taux de décharge

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=150A, R G=6,8Ω, Ls=48nH, V Généralement générés =±15V,T vj =25o C

74

n.S.

t r

Il est temps de monter.

92

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

401

n.S.

t f

Temps d'automne

31

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

19.0

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

3.09

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=150A, R G=6,8Ω, Ls=48nH, V Généralement générés =±15V,T vj =125o C

61

n.S.

t r

Il est temps de monter.

95

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

444

n.S.

t f

Temps d'automne

47

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

22.5

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

3.99

je suis désolé.

ISC

Données SC

t P≤ 10 μs, V Généralement générés = 15 V,

T vj =125o C,V CC =800V, V MEC ≤1200V

975

A

Diode Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

IF =150A,V Généralement générés =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =150A,V Généralement générés =0V,T vj =125o C

1.90

Qr

Charge récupérée

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=1480A/μs,V Généralement générés =-15V, LS =48nH ,T vj =25o C

13.7

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

91

A

Eréc

Récupération Énergie

4.01

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=1560A/μs,V Généralement générés =-15V, LS =48nH ,T vj =125o C

22.1

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

111

A

Eréc

Récupération Énergie

6.65

je suis désolé.

Module Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

LCE

Inductivité de déplacement

30

nH

R CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

0.35

R le CJJ

Réservoir -à -Boîtier (parIGBT ) Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi

0.099 0.259

Pour les produits de base

R thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne. Pour les appareils de traitement des eaux usées, le système de chauffage doit être conforme aux normes de sécurité énoncées à l'annexe II. diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge doit être de 0,8 MPa. (voir le tableau ci-dessous)

0.028 0.072 0.010

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M5 Le couple de montage Vire M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m.

G

Poids de Module

300

g

Le schéma

Schéma de circuit équivalent

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