TG1800HF17H1-S500, Module IGBT, Pont semi IGBT, CRRC

符号 (nom de l'entreprise) Le symbole

nom de l'équipe Paramètre

test conditions

Conditions d'essai

numéro de valeur Valeur

单位 Unité

V. Le groupe Le CES

集电极 -tension d'émetteur

Voltage du collecteur-émetteur

V. Le groupe Généralement générés = 0V, T C = 25 °C

1700

V. Le groupe

V. Le groupe GES

grille -tension d'émetteur

Voltage de l'émetteur de la porte

T C = 25 °C

± 20

V. Le groupe

Je C

集电极电流 Le courant de la centrale électrique

Courant collecteur-émetteur

T C = 85 °C, T vj max = 175°C

1800

Une

Je C (((PK)

courant de pic du collecteur

Courant de collecteur de pointe

t P =1ms

3600

Une

P max

perte maximale de transistor

Dissipation de puissance maximale du transistor

T vj = 175°C, T C = 25 °C

9.38

kW

Je 2t

2 étoiles Je 2t 值 Diode Je 2t

V. Le groupe R =0V, t P = 10 ms, T vj = 175 °C

551

kA 2s

V. Le groupe isolée

绝缘 électrique (模块 )

Isolement tension - par module

短接 tous les terminaux, terminaux et base de données entre les tensions (terminaison connectée s à plaque de base), - Le climatiseur RMS1 min, 50 Hz, T C = 25 °C

4000

V. Le groupe

参数 est Le symbole

explication

Explication

值 Valeur

单位 Unité

distance de contournement

Distance de fuite

bornes -dissipateur de chaleur

Terminal to disjoncteur

36.0

mm

bornes -bornes

Terminal à terminal

28.0

mm

écart d'isolement Autorisation

bornes -dissipateur de chaleur

Terminal to disjoncteur

21.0

mm

bornes -bornes

Terminal à terminal

19.0

mm

indice de traçabilité comparative par fuite

CTI (Comparative Tracking Index)

>400

符号 (nom de l'entreprise) Le symbole

nom de l'équipe Paramètre

test conditions

Conditions d'essai

le plus petit Je ne sais pas.

valeur typique - Je sais.

le maximum Je suis désolé.

单位 Unité

R le dépôt de la demande L'IGBT

L'IGBT résistance thermique de la jonction au boîtier

Thermique résistance – L'IGBT

16

K \/ kW

R le dépôt de la demande Diode

résistance thermique de la jonction de la diode

Thermique résistance – Diode

33

K \/ kW

R le point de départ L'IGBT

résistance thermique de contact (IGBT)

Thermique résistance –

carte vers dissipateur de chaleur (IGBT)

le courant de chargement 5Nm, pâte thermique 1W/m·K Couple de montage 5Nm,

avec montage graisse 1W/m·K

14

K \/ kW

R le point de départ Diode

résistance thermique de contact (Diode)

Thermique résistance –

carte vers dissipateur de chaleur (Diode)

le courant de chargement 5Nm, pâte thermique 1W/m·K Couple de montage 5Nm,

avec montage graisse 1W/m·K

17

K \/ kW

T vjop

température de jonction

Junction de fonctionnement température

L'IGBT puce ( L'IGBT )

-40

150

°C

puce de diode ( Diode )

-40

150

°C

T gST

température de stockage

Plage de température de stockage

-40

150

°C

M

le courant de chargement

Couple de vis

pour le serrage de montage – M5 Montage – M5

3

6

Nm

pour l'interconnexion des circuits – M4

Connexions électriques – M4

1.8

2.1

Nm

pour l'interconnexion des circuits – M8

Connexions électriques – M8

8

10

Nm

符号 (nom de l'entreprise) Le symbole

nom de l'équipe Paramètre

test conditions

Conditions d'essai

le plus petit Je ne sais pas.

valeur typique - Je sais.

le maximum Je suis désolé.

单位 Unité

R le dépôt de la demande L'IGBT

L'IGBT résistance thermique de la jonction au boîtier

Thermique résistance – L'IGBT

16

K \/ kW

R le dépôt de la demande Diode

résistance thermique de la jonction de la diode

Thermique résistance – Diode

33

K \/ kW

R le point de départ L'IGBT

résistance thermique de contact (IGBT)

Thermique résistance –

carte vers dissipateur de chaleur (IGBT)

le courant de chargement 5Nm, pâte thermique 1W/m·K Couple de montage 5Nm,

avec montage graisse 1W/m·K

14

K \/ kW

R le point de départ Diode

résistance thermique de contact (Diode)

Thermique résistance –

carte vers dissipateur de chaleur (Diode)

le courant de chargement 5Nm, pâte thermique 1W/m·K Couple de montage 5Nm,

avec montage graisse 1W/m·K

17

K \/ kW

T vjop

température de jonction

Junction de fonctionnement température

L'IGBT puce ( L'IGBT )

-40

150

°C

puce de diode ( Diode )

-40

150

°C

T gST

température de stockage

Plage de température de stockage

-40

150

°C

M

le courant de chargement

Couple de vis

pour le serrage de montage – M5 Montage – M5

3

6

Nm

pour l'interconnexion des circuits – M4

Connexions électriques – M4

1.8

2.1

Nm

pour l'interconnexion des circuits – M8

Connexions électriques – M8

8

10

Nm

符号 (nom de l'entreprise) Le symbole

nom de l'équipe Paramètre

test conditions

Conditions d'essai

le plus petit Je ne sais pas.

valeur typique - Je sais.

le maximum Je suis désolé.

单位 Unité

R 25

valeur nominale de la résistance

Évalué résistance

T C = 25 °C

5

kΩ

△ R /R

R100 écart

Écart de R100

T C = 100 °C, R 100=493Ω

-5

5

%

P 25

puissance dissipée

Dissipation de puissance

T C = 25 °C

20

mW

B 25 à 50%

Je suis désolé. 值

Valeur B

R 2 = R 25exp [B 25 à 50% 1/T 2 - 1/(298,15 K))]

3375

K

B 25/80

Je suis désolé. 值

Valeur B

R 2 = R 25exp [B 25/80 1/T 2 - 1/(298,15 K))]

3411

K

B 25/100

Je suis désolé. 值

Valeur B

R 2 = R 25exp [B 25/100 1/T 2 - 1/(298,15 K))]

3433

K

符号 (nom de l'entreprise) Le symbole

nom de l'équipe Paramètre

条件

Conditions d'essai

le plus petit Je ne sais pas.

valeur typique - Je sais.

le maximum Je suis désolé.

单位 Unité

Je Le CES

集电极截止电流 Le courant est coupé

Courant de coupure du collecteur

V. Le groupe Généralement générés = 0V, V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES

1

le nombre de

V. Le groupe Généralement générés = 0V, V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES , T vj = 150 °C

40

le nombre de

V. Le groupe Généralement générés = 0V, V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES , T vj =175 °C

60

le nombre de

Je GES

极漏电流 (l'écoulement électrique extrême)

Porte courant de fuite

V. Le groupe Généralement générés = ± 20 V, V. Le groupe CE = 0V

0.5

μA

V. Le groupe Généralement générés (TJ)

grille -tension de seuil de l'émetteur Tension de seuil de porte

Je C = 60mA, V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe CE

5.1

5.7

6.3

V. Le groupe

V. Le groupe CE (sat) le nombre de personnes

集电极 -tension de saturation de l'émetteur

Saturation collecteur-émetteur

tension

V. Le groupe Généralement générés = 15 V, Je C = 1800A

1.70

V. Le groupe

V. Le groupe Généralement générés = 15 V, Je C = 1800A, T vj = 150 °C

2.10

V. Le groupe

V. Le groupe Généralement générés = 15 V, Je C = 1800A, T vj = 175 °C

2.15

V. Le groupe

Je F

courant continu direct de la diode Courant direct de la diode

CC

1800

Une

Je MFN

courant de crête répétitif direct de la diode Diode courant avant de pointe nt

t P = 1 ms

3600

Une

V. Le groupe F le nombre de personnes

tension directe du diode

Tension Directe de Diode

Je F = 1800A, V Généralement générés = 0

1.60

V. Le groupe

Je F = 1800A, V Généralement générés = 0, T vj = 150 °C

1.75

V. Le groupe

Je F = 1800A, V Généralement générés = 0, T vj = 175 °C

1.75

V. Le groupe

Je SC

短路 électrique

Court-circuit actuel

T vj = 175°C, V. Le groupe CC = un débit de tension de 1000 V, V. Le groupe Généralement générés ≤ 15 V, t p ≤ 10μs,

V. Le groupe CE(max) = V. Le groupe Le CES – L le nombre de personnes ×di/dt, IEC 60747-9

7400

Une

C - Je vous en prie.

capacité d'entrée

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, V. Le groupe Généralement générés = 0V, f = 100KHZ

542

nF

Q: Le numéro g

极电荷

Charge de la porte

±15V

23.6

le taux de décharge

C rés

capacité de transmission inverse

Capacité de transfert inverse

V. Le groupe CE = 25V, V. Le groupe Généralement générés = 0V, f = 100KHZ

0.28

nF

L sCE

inductance parasite du module

Module parasite inducta nce

8.4

nH

R CC + EE ’

résistance de la broche du module, bornes -puce M odule de broche résistance, bornier-puce

par interruption

par interrupteur

0.20

mΩ

R Le gint

résistance interne de la grille

Porte intérieure résistance

1

oh

符号 (nom de l'entreprise) Le symbole

nom de l'équipe Paramètre

test conditions

Conditions d'essai

le plus petit Je ne sais pas.

valeur typique - Je sais.

le maximum Je suis désolé.

单位 Unité

t d(off)

délai d'extinction

Temps de retard de déclenchement

Je C =1800A,

V. Le groupe CE = 900V,

V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, R G(OFF) = 0,5Ω, L S = 25nH,

d v. Le groupe ⁄dt =3800V⁄μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

1000

n.S.

T vj = 150 °C

1200

T vj = 175 °C

1250

t f

temps de descente Temps d'automne

T vj = 25 °C

245

n.S.

T vj = 150 °C

420

T vj = 175 °C

485

E. Je suis désolé. Éteint

pertes de coupure

Perte d'énergie à l'arrêt

T vj = 25 °C

425

je suis désolé.

T vj = 150 °C

600

T vj = 175 °C

615

t d(on)

开通延迟时间

Temps de retard d'activation

Je C =1800A,

V. Le groupe CE = 900V,

V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, R Le nombre de personnes concernées = 0,5Ω, L S = 25nH,

d je ⁄dt = 8500A⁄μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

985

n.S.

T vj = 150 °C

1065

T vj = 175 °C

1070

t r

le temps augmente Il est temps de monter.

T vj = 25 °C

135

n.S.

T vj = 150 °C

205

T vj = 175 °C

210

E. Je suis désolé. Sur

pertes de commutation

Énergie d'activation perte de

T vj = 25 °C

405

je suis désolé.

T vj = 150 °C

790

T vj = 175 °C

800

Q: Le numéro rR

charge de récupération inverse du diode Diode inverse

frais de recouvrement

Je F =1800A, V. Le groupe CE = 900V,

- Je ne sais pas. je F /dt = 8500A⁄μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

420

le taux de décharge

T vj = 150 °C

695

T vj = 175 °C

710

Je rR

courant de récupération inverse du diode Diode inverse

courant de récupération

T vj = 25 °C

1330

Une

T vj = 150 °C

1120

T vj = 175 °C

1100

E. Je suis désolé. réc

pertes de récupération inverse du diode Diode inverse

énergie de récupération

T vj = 25 °C

265

je suis désolé.

T vj = 150 °C

400

T vj = 175 °C

420