TG1800HF17H1-S500, Module IGBT, Pont semi IGBT, CRRC

符号 (nom de l'entreprise) Le symbole

nom de l'équipe Paramètre

test conditions

Conditions d'essai

numéro de valeur Valeur

单位 Unité

V Le CES

集电极 -tension d'émetteur

Voltage du collecteur-émetteur

V Généralement générés = 0V, T C= 25 °C

1700

V

V GES

grille -tension d'émetteur

Voltage de l'émetteur de la porte

T C= 25 °C

± 20

V

IC

集电极电流 Le courant de la centrale électrique

Courant collecteur-émetteur

T C = 85 °C, T vj max = 175°C

1800

A

IC (((PK)

courant de pic du collecteur

Courant de collecteur de pointe

t P=1ms

3600

A

Pmax

perte maximale de transistor

Dissipation de puissance maximale du transistor

T vj = 175°C, T C = 25 °C

9.38

kW

I2t

2 étoiles I2t 值 Diode I2t

V R =0V, t P = 10 ms, T vj = 175 °C

551

kA2s

V isolée

绝缘 électrique (模块 )

Isolement tension -par module

短接 tous les terminaux, terminaux et base de données entre les tensions (terminaison connectée s à plaque de base), - Le climatiseur RMS1 min, 50 Hz, T C= 25 °C

4000

V

参数 est Le symbole

explication

Explication

值 Valeur

单位 Unité

distance de contournement

Distance de fuite

bornes -dissipateur de chaleur

Terminal to disjoncteur

36.0

mm

bornes -bornes

Terminal à terminal

28.0

mm

écart d'isolement Autorisation

bornes -dissipateur de chaleur

Terminal to disjoncteur

21.0

mm

bornes -bornes

Terminal à terminal

19.0

mm

indice de traçabilité comparative par fuite

CTI (Comparative Tracking Index)

400

符号 (nom de l'entreprise) Le symbole

nom de l'équipe Paramètre

test conditions

Conditions d'essai

le plus petit Je ne sais pas.

valeur typique - Je sais.

le maximum Je suis désolé.

单位 Unité

R le dépôt de la demande L'IGBT

L'IGBT résistance thermique de la jonction au boîtier

Thermique résistance – L'IGBT

16

K \/ kW

R le dépôt de la demande Diode

résistance thermique de la jonction de la diode

Thermique résistance – Diode

33

K \/ kW

R le point de départ L'IGBT

résistance thermique de contact (IGBT)

Thermique résistance –

carte vers dissipateur de chaleur (IGBT)

le courant de chargement 5Nm, pâte thermique 1W/m·K Couple de montage 5Nm,

avec montage graisse 1W/m·K

14

K \/ kW

R le point de départ Diode

résistance thermique de contact (Diode)

Thermique résistance –

carte vers dissipateur de chaleur (Diode)

le courant de chargement 5Nm, pâte thermique 1W/m·K Couple de montage 5Nm,

avec montage graisse 1W/m·K

17

K \/ kW

T vjop

température de jonction

Junction de fonctionnement température

L'IGBT puce ( L'IGBT )

-40

150

°C

puce de diode ( Diode )

-40

150

°C

T gST

température de stockage

Plage de température de stockage

-40

150

°C

M

le courant de chargement

Couple de vis

pour le serrage de montage – M5 Montage – M5

3

6

Nm

pour l'interconnexion des circuits – M4

Connexions électriques – M4

1.8

2.1

Nm

pour l'interconnexion des circuits – M8

Connexions électriques – M8

8

10

Nm

符号 (nom de l'entreprise) Le symbole

nom de l'équipe Paramètre

test conditions

Conditions d'essai

le plus petit Je ne sais pas.

valeur typique - Je sais.

le maximum Je suis désolé.

单位 Unité

R le dépôt de la demande L'IGBT

L'IGBT résistance thermique de la jonction au boîtier

Thermique résistance – L'IGBT

16

K \/ kW

R le dépôt de la demande Diode

résistance thermique de la jonction de la diode

Thermique résistance – Diode

33

K \/ kW

R le point de départ L'IGBT

résistance thermique de contact (IGBT)

Thermique résistance –

carte vers dissipateur de chaleur (IGBT)

le courant de chargement 5Nm, pâte thermique 1W/m·K Couple de montage 5Nm,

avec montage graisse 1W/m·K

14

K \/ kW

R le point de départ Diode

résistance thermique de contact (Diode)

Thermique résistance –

carte vers dissipateur de chaleur (Diode)

le courant de chargement 5Nm, pâte thermique 1W/m·K Couple de montage 5Nm,

avec montage graisse 1W/m·K

17

K \/ kW

T vjop

température de jonction

Junction de fonctionnement température

L'IGBT puce ( L'IGBT )

-40

150

°C

puce de diode ( Diode )

-40

150

°C

T gST

température de stockage

Plage de température de stockage

-40

150

°C

M

le courant de chargement

Couple de vis

pour le serrage de montage – M5 Montage – M5

3

6

Nm

pour l'interconnexion des circuits – M4

Connexions électriques – M4

1.8

2.1

Nm

pour l'interconnexion des circuits – M8

Connexions électriques – M8

8

10

Nm

符号 (nom de l'entreprise) Le symbole

nom de l'équipe Paramètre

test conditions

Conditions d'essai

le plus petit Je ne sais pas.

valeur typique - Je sais.

le maximum Je suis désolé.

单位 Unité

R 25

valeur nominale de la résistance

Évalué résistance

T C = 25 °C

5

kΩ

△R /R

R100 écart

Écart de R100

T C = 100 °C, R 100=493Ω

-5

5

%

P25

puissance dissipée

Dissipation de puissance

T C = 25 °C

20

mW

B 25/50

Je suis désolé. 值

Valeur B

R 2 = R 25exp [B 25/501/T 2 - 1/(298.15 K))]

3375

K

B 25/80

Je suis désolé. 值

Valeur B

R 2 = R 25exp [B 25/801/T 2 - 1/(298.15 K))]

3411

K

B 25/100

Je suis désolé. 值

Valeur B

R 2 = R 25exp [B 25/1001/T 2 - 1/(298.15 K))]

3433

K

符号 (nom de l'entreprise) Le symbole

nom de l'équipe Paramètre

条件

Conditions d'essai

le plus petit Je ne sais pas.

valeur typique - Je sais.

le maximum Je suis désolé.

单位 Unité

ILe CES

集电极截止电流 Le courant est coupé

Courant de coupure du collecteur

V Généralement générés = 0V, V CE = V Le CES

1

le nombre de

V Généralement générés = 0V, V CE = V Le CES , T vj = 150 °C

40

le nombre de

V Généralement générés = 0V, V CE = V Le CES , T vj =175 °C

60

le nombre de

IGES

极漏电流 (l'écoulement électrique extrême)

Porte courant de fuite

V Généralement générés = ± 20 V, V CE = 0V

0.5

μA

V Généralement générés (TJ)

grille -tension de seuil de l'émetteur Tension de seuil de porte

IC = 60mA, V Généralement générés = V CE

5.1

5.7

6.3

V

V CE (sat) (*1)

集电极 -tension de saturation de l'émetteur

Saturation collecteur-émetteur

tension

V Généralement générés = 15 V, IC = 1800A

1.70

V

V Généralement générés = 15 V, IC = 1800A, T vj = 150 °C

2.10

V

V Généralement générés = 15 V, IC = 1800A, T vj = 175 °C

2.15

V

IF

courant continu direct de la diode Courant direct de la diode

CC

1800

A

IMFN

courant de crête répétitif direct de la diode Diode courant avant de pointe nt

t P = 1 ms

3600

A

V F (*1)

tension directe du diode

Tension Directe de Diode

IF = 1800A, V Généralement générés = 0

1.60

V

IF = 1800A, V Généralement générés = 0, T vj = 150 °C

1.75

V

IF = 1800A, V Généralement générés = 0, T vj = 175 °C

1.75

V

ISC

短路 électrique

Court-circuit actuel

T vj = 175°C, V CC = un débit de tension de 1000 V, V Généralement générés ≤15 V, t p ≤10μs,

V CE(max) = V Le CES – L(*2) ×di/dt, IEC 60747-9

7400

A

C- Je vous en prie.

capacité d'entrée

Capacité d'entrée

V CE = 25V, V Généralement générés = 0V, f = 100KHZ

542

nF

Qg

极电荷

Charge de la porte

±15V

23.6

le taux de décharge

Crés

capacité de transmission inverse

Capacité de transfert inverse

V CE = 25V, V Généralement générés = 0V, f = 100KHZ

0.28

nF

LsCE

inductance parasite du module

Module parasite inducta nce

8.4

nH

R CC ’+EE ’

résistance de la broche du module, bornes -puce Module de broche la résistance, bornier-puce

par interruption

par interrupteur

0.20

mΩ

R Le gint

résistance interne de la grille

Porte intérieure résistance

1

oh

符号 (nom de l'entreprise) Le symbole

nom de l'équipe Paramètre

test conditions

Conditions d'essai

le plus petit Je ne sais pas.

valeur typique - Je sais.

le maximum Je suis désolé.

单位 Unité

t d(off)

délai d'extinction

Temps de retard de déclenchement

IC =1800A,

V CE = 900V,

V Généralement générés = ±15 V, R G(OFF) = 0,5Ω, LS = 25nH,

d v ⁄dt =3800V⁄μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

1000

n.S.

T vj = 150 °C

1200

T vj = 175 °C

1250

t f

temps de descente Temps d'automne

T vj = 25 °C

245

n.S.

T vj = 150 °C

420

T vj = 175 °C

485

EÉteint

pertes de coupure

Perte d'énergie à l'arrêt

T vj = 25 °C

425

je suis désolé.

T vj = 150 °C

600

T vj = 175 °C

615

t d(on)

开通延迟时间

Temps de retard d'activation

IC =1800A,

V CE = 900V,

V Généralement générés = ±15 V, R Le nombre de personnes concernées = 0,5Ω, LS = 25nH,

d i ⁄dt = 8500A⁄μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

985

n.S.

T vj = 150 °C

1065

T vj = 175 °C

1070

t r

le temps augmente Il est temps de monter.

T vj = 25 °C

135

n.S.

T vj = 150 °C

205

T vj = 175 °C

210

EActivé

pertes de commutation

Énergie d'activation perte de

T vj = 25 °C

405

je suis désolé.

T vj = 150 °C

790

T vj = 175 °C

800

QrR

charge de récupération inverse du diode Diode inverse

frais de recouvrement

IF =1800A, V CE = 900V,

- Je ne sais pas. i F /dt = 8500A⁄μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

420

le taux de décharge

T vj = 150 °C

695

T vj = 175 °C

710

IrR

courant de récupération inverse du diode Diode inverse

courant de récupération

T vj = 25 °C

1330

A

T vj = 150 °C

1120

T vj = 175 °C

1100

Eréc

pertes de récupération inverse du diode Diode inverse

énergie de récupération

T vj = 25 °C

265

je suis désolé.

T vj = 150 °C

400

T vj = 175 °C

420