IGBT Modul,YMIF1200-45,Tək Açar IGBT,CRRC

VCES

4500

V

VCE ((sat)

(تایپ)

2.30

V

IC

(ماکس)

1200

A

ICRM)

(ماکس)

2400

A

符号
(شابلون)

参数名称
(پارامتر)

test条件
(آزمایش شرایطی)

数值
(قیمت)

tək vahid
(یوللاندیرما)

VCES

集电极 -
کلکتور-ایمیتر ولتاژ

VGE=OV,Tvj=25°C

4500

V

VGES

qapı -
گئچمه-پریشان ولتاژ

±20

V

IC

集电极电流
کلکتور-ایمیتر ولتاژ

Tvj=125°C،Tcase=85°C

1200

A

IC ((PK)

kollektorun pik cərəyanı
پيك كولكتور آخينليغي

1ms

2400

A

Pmax

ةرصةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةةة

مکس.ترانزیستورون گوج تلفیسی

Tvj=125°C،Tcase=25°C

12.5

kw

1 2 t

diyot 2t 值
Diyod I²t

VR=0V,tp=10ms,Tvj=125°C

530

kA2s

ویزول

绝缘电压 (模块 )

موْدولون ایستیقامت ولتاژسی

短接 تمام端子,端子与基板间施加电压
(بؤلمه سيز بيرينجي سيلاح)
AC RMS، ۱ دقیقه، ۵۰ هرتز

10200

V

QPD

局部放电电荷 (模块 )
جزئي تخليه در هر ماژول

IEC1287.V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

pC

dırmaşma məsafəsi

یولون اوزاقلیغی

56 میلیمتر

绝缘间隙 (ازازازاز)

Təmizləmə

26mm

耐漏电起痕指数

CTI ((Critical Tracking Index))

600

حرارتي و ميكانيكي داتا

符号
(شابلون)

参数名称
(پارامتر)

test条件
(آزمایش شرایطی)

minimum
(دقيقه)

maksimum
(ماکس)

tək vahid
(یوللاندیرما)

Rh ((J-C) IGBT

GBT düyün qabığı istilik müqaviməti

حرارتي مقاومت-IGBT

结恒定功耗
ایستیقامت سیز یوللانما-قوشا-قوشا

8

K/kW

Rh ((J-C) دیود

二极管结热阻
حرارتي مقاومت ديود

结恒定功耗
دواملي بوشاليش -قوشا باغلانيشي

16

K/kW

Rt ((C-H)

toxunma istilik müqaviməti (模块 )
İstilik müqaviməti-
قاب و حرارتی سینک (هر ماژول)

quraşdırma momenti 5Nm (( 导热脂 1W/m · °C)
مونتاژ تورک 5Nm
(موبایل گِریسی 1W/m · °C)

6

K/kW

تلویزیون

bağlantı temperaturu Birlik temperaturu

IGBT 部分 (IGBT)

125

°C

二极管部分 (دیود)

125

°C

TSTG

saxlama temperaturu Qoruş Temperatur Diapazonu

-40

125

°C

M

quraşdırma momenti Vida momenti

安装紧固用 -M6 مونتاژ -M6

5

Nm

电路互连 یاردیم -M4
بيكريکلي باغلانيشلار -M4

2

Nm

电路互连 یاردیم -M8
برق باغلانتی لاری -M8

10

Nm

Tcase=25°C مگر این که در این مورد بیان شده باشد

符号
(شابلون)

参数名称
(پارامتر)

条件
(آزمایش شرایطی)

ən kiçik
(دقيقه)

tipik
(تایپ)

ən böyük
(ماکس)

单位
(یوللاندیرما)

ICES

集电极截止电流
کولکتورون کسمه سی

VGE=OV,VcE=VCES

1

ma

VGE=OV,VcE=VCEs,Tcase=125°C

90

ma

IGES

栅极漏电流
گئچمیش قایناق آخینلیغی

VGE=±20V,VcE=0V

1

μA

VGE ((th)

qapı -emissorun hədd voltajı
گئری قاپی سیخ لیق ولتاژ

Ic=120mA، VGE=VCE

5.0

6.0

7.0

V

VCE(sa)

集电极 -emissorun doymuş voltajı
کلکتور-ایمیتر سیرلشیب
gərginlik

VGE=15V،Ic=1200A

2.3

2.8

V

VGE=15V،Ic=1200A،Tvj=125°C

3.0

3.5

V

İF

diodun müsbət düz axım cərəyanı
دیود اوزروه لی جریان

DC

1200

A

IFRM

diodun müsbət təkrarlanan pik cərəyanı
دیودین ان چوخ قاباقجا آخینلیغی

tP=1ms

2400

A

vF(1

i̇kiqat diodun müsbət gərginliyi
دیود اوزروجه لی ولتاژ

/F=1200A

2.4

2.9

V

/F=1200A،Tvj=125°C

2.7

3.2

V

سیز

giriş kapasitansı
ورگين قابليت

VcE=25V,VGE=OV,f=1MHz

135

nF

Q9

栅极电荷
قاپی باج

±15V

11.9

μC

کریس

tərs ötürmə kapasitansı
گئری گئری یۆکسله مه قابلیتلییی

VcE=25V,VGE=0V,f =1MHz

3.4

nF

LM

modul induktansı
Modul induktansı

10

nH

RINT

daxili müqavimət
ترانزیستورون ایچ قارشیلیغی

90

μΩ

آی.اس.سی

qısa dövr cərəyanı
قصر محور جریان، Isc

Tvj=125°C،Vcc=3400V،
VGE≤15V,tp≤10μs
VCE ((max) = VCEs-L ((2×di/dt)

IEC 60747-9

5300

A

دَه (دَه)

bağlanma gecikməsi
د خاموش کولو ځنډ وخت

Ic=1200A
VcE=2800V
Cge=220nF

L ～ 180nH
VGE=±15V
RG ((ON) = 1.5Ω
RG ((OFF) =2.7Ω

2700

ns

tf

enmə vaxtı
پاييز زاماني

700

ns

EOFF

bağlanma itkiləri
ایستیقامت انرژیسیزلیگی

5800

mJ

tdon)

açılış gecikmə müddəti
تورن-توقتیش واختی

720

ns

t

上升时间
یوکسلیش واختی

270

ns

EON

açılma itkiləri
ایشلتمه انرژیسیزلیگی

3200

mJ

Qm

i̇kiqat diodun tərs bərpa yükü
دیود رئورس ریکوری چارژ

/F=1200A
VcE =2800V
dip/dt =5000A/us

1200

μC

I

i̇kiqat diodun tərs bərpa cərəyanı
دیود رئورس ریکوریوم کرنتی

1350

A

اريك

i̇kiqat diodun tərs bərpa itkiləri
دیودین گئری قاییتما انرژیسی

1750

mJ

دَه (دَه)

bağlanma gecikməsi
د خاموش کولو ځنډ وخت

Ic=1200A
VcE =2800V
Cge=220nF
L ～ 180nH
VGE=±15V
RG ((ON) = 1.5Ω
RGOFF) = 2.7Ω

2650

ns

tf

enmə vaxtı
پاييز زاماني

720

ns

EOFF

bağlanma itkiləri
ایستیقامت انرژیسیزلیگی

6250

mJ

tdon)

açılış gecikmə müddəti
تورن-توقتیش واختی

740

ns

t

上升时间
یوکسلیش واختی

290

ns

EON

açılma itkiləri
ایشلتمه انرژیسیزلیگی

4560

mJ

Q

i̇kiqat diodun tərs bərpa yükü
دیود رئورس ریکوری چارژ

/F=1200A
VcE=2800V
dip/dt =5000A/us

1980

μC

I

i̇kiqat diodun tərs bərpa cərəyanı
دیود رئورس ریکوریوم کرنتی

1720

A

اريك

i̇kiqat diodun tərs bərpa itkiləri
دیودین گئری قاییتما انرژیسی

3250

mJ