IGBT Modul 1700V

Simvol

Tavsif

V oʻtish

Birliklar

VCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1700

V

VGES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

IC

kollektor oqimi @ TC=25°C

kollektor oqimi @ TC=80℃

5200

A

3600

ICM(1)

Pulsli to'plovchi tok tp= 1ms

7200

A

IF

Diod doimiy oldinga oqim

3600

A

MFI

Diode maksimal oldinga tok @ TC=80℃

7200

A

PD

Maksimal quvvat yo'qotilishi @ Tj=175℃

20

кВт

Tj

Maksimal bogʻlanish harorati

175

°C

TSTG

Saqlanish harorat oraliqi

-40 dan +125 gacha

°C

VISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

O'rnatish

Signal terminalning viski:M4

1.8 dan 2.1

Kuch terminalining viski:M8

8.0 dan 10

N.M

Момент

O'rnatish viski:M6

4.25 dan 5.75 gacha

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V(BR) CES

Kollektor-tarqatuvchi

Жорайвий чораларни босим

Tj = 25°C

1700

V

ICES

Kollektorni to'xtatish joriy

VCE=VCES,VGE=0V,Tj=25°C

5.0

mA

IGES

Darvoza emittorining oqishi

Jorov

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃

400

nA

VGE (oʻn)

Darvoza emittorining chegarasi

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

IC=145mA, VCE=VGE, Tj=25°C

5.2

5.8

6.4

V

VCE(sat)

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25℃

2.00

2.45

V

IC=3600A, VGE=15V, Tj=125°C

2.40

2.85

Qg

Darvoza zaryadi

VGE=-15...+15V

42.0

μC

RGint

Ichki Gate Rezistor

Tj = 25°C

0.4

Ω

td(on)

O'chirish kechikish vaqti

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE = ± 15V,Tj = 25°C

730

ns

tr

O'sish vaqti

205

ns

td(off)

O'chirish kechikish vaqti

1510

ns

tf

Pasayish vaqti

185

ns

EON

O'chirishni yoqish yo'qotilishi

498

mJ

Eof

O'chirishni o'chirish yo'qotilishi

1055

mJ

td(on)

O'chirish kechikish vaqti

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=125℃

785

ns

tr

O'sish vaqti

225

ns

td(off)

O'chirish kechikish vaqti

1800

ns

tf

Pasayish vaqti

325

ns

EON

O'chirishni yoqish yo'qotilishi

746

mJ

Eof

O'chirishni o'chirish yo'qotilishi

1451

mJ

Cies

Kirish sig'imi

VCE=25V, f=1Mhz,

VGE=0V

317

NF

Koʻz

Chiqarish quvvati

13.2

NF

Cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

10.5

NF

ISC

SC ma'lumotlari

tSC≤10μs,VGE=15V,

Tj = 125°C,VCC = 1000V,VCEM ≤ 1700V

14000

A

LCE

Yolgʻizlik induktansiyasi

10

nH

RCC+EE

Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha

0.12

mΩ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F = 3600A

T J =25 °C

1.80

2.20

V

T J = 125 °C

1.90

2.30

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

Ман F = 3600A,

V R = 900V,

R Gon = 0,4Ω,

V GE = 15V

T J =25 °C

836

μC

T J = 125 °C

1451

Ман RM

Qayta tiklanish Jorov

T J =25 °C

2800

A

T J = 125 °C

3300

E rek

Qayta tiklanish energiya

T J =25 °C

590

mJ

T J = 125 °C

1051