Все категории

Модуль IGBT 1200 В

Модуль IGBT 1200 В

Главная страница /  Продукты /  Модуль IGBT /  Модуль IGBT 1200 В

GD600SGY120C2S,IGBT Модуль,STARPOWER

1200В 600А

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD600SGY120C2S
  • Введение
  • Основные положения
Введение

Краткое введение

Модуль IGBT , произведенный компанией STARPOWER. 1200V 600A.

Особенности

  • Низкий V СЕ (сидел ) Опоры IGBT тЕХНОЛОГИЯ
  • 10 мкм краткосвязь иллитет
  • В СЕ (сидел ) с положительный температура коэффициент
  • Максимальное температура соединения 175о C
  • Низкая индуктивность кейс
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление противопараллельная FWD
  • Изолированная медная основа, использующая технологию HPS DBC

Типовой Применения

  • Инверторы для двигателей г привод
  • СИ и ПТ сервопривод водить машину усилитель
  • Бесперебойное питание поставка

Абсолютное Максимальное Рейтинги Т C =25 о C если только иначе отмечено

IGBT

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C

@ T C =100 о C

1000

600

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t р =1 мс

1200

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C

3409

В

Диод

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

В

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

600

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t р =1 мс

1200

A

Модуль

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Температура хранения Запас хода

-40 до +125

о C

В ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

4000

В

IGBT Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =600А,В GE =15В, Т j =25 о C

1.70

2.15

В

Я C =600А,В GE =15В, Т j =125 о C

1.95

Я C =600А,В GE =15В, Т j =150 о C

2.00

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 15.0mA,V СЕ =V GE , T j =25 о C

5.2

6.0

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V,

Т j =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.7

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц,

В GE =0В

62.1

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.74

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =- 15…+15В

4.66

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =600А, R G =1.5Ω,

В GE =±15В, Т j =25 о C

257

nS

т r

Время нарастания

96

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

628

nS

т f

Время спада

103

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

37.5

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

51.5

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =600А, R G =1.5Ω,

В GE =±15В, Т j =125 о C

268

nS

т r

Время нарастания

107

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

659

nS

т f

Время спада

144

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

53.5

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

77.3

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =600А, R G =1.5Ω,

В GE =±15В, Т j =150 о C

278

nS

т r

Время нарастания

118

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

680

nS

т f

Время спада

155

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

58.9

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

82.4

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

Т j =150 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

2400

A

Диод Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В F

Диод вперед

Напряжение

Я F =600А,В GE =0V,T j =25 о C

1.65

2.10

В

Я F =600А,В GE =0V,T j = 125о C

1.65

Я F =600А,В GE =0V,T j = 150о C

1.65

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V, Т j =25 о C

61.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

280

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

20.9

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V, Т j = 125о C

114

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

415

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

43.1

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V, Т j = 150о C

128

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

443

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

50.0

mJ

Модуль Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Модуль свинцового сопротивления - Да, конечно, я не знаю.

0.18

мОм

R thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.044

0.078

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.016

0.028

0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 Терминальное Соединение Крутящий момент, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

300

g

Основные положения

image(6b521639e0).png

Получить бесплатную консультацию

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

СВЯЗАННЫЙ ПРОДУКТ

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить предложение

Получить бесплатную консультацию

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Email
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000