Все категории
Получить коммерческое предложение

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

Модуль IGBT 1200 В

Модуль IGBT 1200 В

Главная/Продукция/Модуль IGBT/Модуль IGBT 1200V

GD600SGY120C2S,IGBT Модуль,STARPOWER

1200В 600А

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD600SGY120C2S
  • Введение
  • Основные положения
Введение

Краткое введение

Модуль IGBT , произведенный компанией STARPOWER. 1200V 600A.

Особенности

  • Низкий V СЕ (сидел ) Опоры IGBT технологии
  • 10 мкм краткосвязь иллитет
  • V СЕ (сидел ) с положительный температура коэффициент
  • Максимальный температура соединения 175о C
  • Низкая индуктивность корпус
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление противопараллельная FWD
  • Изолированная медная основа, использующая технологию HPS DBC

Типичный Области применения

  • Инверторы для двигателей д привод
  • СИ и ПТ сервопривод привод усилитель
  • Бесперебойное питание поставка

Абсолютное Максимальный Рейтинги T C=25о C если только иначе отмечено

IGBT

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

И C

Коллекторный ток @ T C=25о C

@ T C=100о C

1000

600

А

И См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

1200

А

PД

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175о C

3409

Ш

Диод

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

V

И F

Диод непрерывно передний арендная плата

600

А

И ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

1200

А

МОДУЛЬ

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T jmax

Максимальная температура стыка

175

о C

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

T СТГ

Температура хранения Дальность действия

-40 до +125

о C

V ISO

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мИН

4000

V

IGBT Характеристики T C=25о C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

И C=600А,В GE =15В, T j =25о C

1.70

2.15

V

И C=600А,В GE =15В, T j =125о C

1.95

И C=600А,В GE =15В, T j =150о C

2.00

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

И C= 15.0mA,V СЕ =V GE , T j =25о C

5.2

6.0

6.8

V

И CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V,

T j =25о C

1.0

mA

И ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25о C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.7

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц,

V GE =0В

62.1

нФ

Cres

Обратная передача

Пропускная способность

1.74

нФ

В Г

Сбор за вход

V GE =- 15…+15В

4.66

μC

t д (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=600А, Пруток Г =1.5Ω,

V GE =±15В, T j =25о C

257

nS

t пруток

Время нарастания

96

nS

t д (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

628

nS

t f

Время спада

103

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

37.5

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

51.5

mJ

t д (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=600А, Пруток Г =1.5Ω,

V GE =±15В, T j =125о C

268

nS

t пруток

Время нарастания

107

nS

t д (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

659

nS

t f

Время спада

144

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

53.5

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

77.3

mJ

t д (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=600А, Пруток Г =1.5Ω,

V GE =±15В, T j =150о C

278

nS

t пруток

Время нарастания

118

nS

t д (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

680

nS

t f

Время спада

155

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

58.9

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

82.4

mJ

И SC

Данные SC

t P≤ 10 мкс,В GE =15В,

T j =150о C,V CC =800V, V СМК ≤ 1200 В

2400

А

Диод Характеристики T C=25о C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед

Напряжение

И F =600А,В GE =0V,T j =25о C

1.65

2.10

V

И F =600А,В GE =0V,T j = 125о C

1.65

И F =600А,В GE =0V,T j = 150о C

1.65

В пруток

Восстановленная зарядка

V CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V, T j =25о C

61.4

μC

И RM

Пик обратный

Ток восстановления

280

А

Erec

Обратное восстановление Энергия

20.9

mJ

В пруток

Восстановленная зарядка

V CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V, T j = 125о C

114

μC

И RM

Пик обратный

Ток восстановления

415

А

Erec

Обратное восстановление Энергия

43.1

mJ

В пруток

Восстановленная зарядка

V CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V, T j = 150о C

128

μC

И RM

Пик обратный

Ток восстановления

443

А

Erec

Обратное восстановление Энергия

50.0

mJ

МОДУЛЬ Характеристики T C=25о C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

Пруток CC+EE

Модуль свинцового сопротивления - Да, конечно, я не знаю.

0.18

мОм

Пруток thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.044

0.078

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.016

0.028

0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 Терминальное Соединение Крутящий момент, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

Н.М

Г

Вес из МОДУЛЬ

300

г

Основные положения

image(6b521639e0).png

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

Сопутствующий товар

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда продаж ждёт ваших консультаций.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить коммерческое предложение

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000