Краткое введение
Модуль IGBT , произведенный компанией STARPOWER. 1200V 600A.
Особенности
- Технология NPT IGBT
-
10 мкм краткосвязь иллитет
-
Низкий потери при переключении
-
Устойчивый с ультрабыстрой производительностью ance
-
В СЕ (сидел ) с положительный температура коэффициент
-
Быстрое и мягкое обратное восстановление противопараллельная FWD
- Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC
Типовой Применения
-
Мощность переключения режима поставка
- Индуктивное нагревание
- Электрический сварщик
Абсолютное Максимальное Рейтинги Т C =25 о C если только иначе отмечено
IGBT
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
В CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
В |
В ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
В |
Я C |
Коллекторный ток @ T C =25 о C
@ T C =70 о C
|
830
600
|
A |
Я CM |
Импульсный ток коллектора t p =1 мс |
1200 |
A |
P Г |
Максимальное рассеивание мощности @ T j =150 о C |
4032 |
В |
Диод
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
В RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение |
1200 |
В |
Я К |
Диод непрерывно передний арендная плата |
600 |
A |
Я ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t p =1 мс |
1200 |
A |
Модуль
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
Т jmax |
Максимальная температура стыка |
150 |
о C |
Т - Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +125 |
о C |
Т СТГ |
Температура хранения Запас хода |
-40 до +125 |
о C |
В ИСО |
Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин |
2500 |
В |
IGBT Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
В CE (США)
|
Сборщик - эмитент
Насыщенное напряжение
|
Я C =600А,В GE =15В, Т j =25 о C |
|
2.90 |
3.35 |
В
|
Я C =600А,В GE =15В, Т j =125 о C |
|
3.60 |
|
В GE (т ) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
Я C =6.0 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C |
5.0 |
5.8 |
6.6 |
В |
Я CES |
Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ
Ток
|
В СЕ = В CES ,В GE =0V,
Т j =25 о C
|
|
|
5.0 |
mA |
Я ГЭС |
Утечка излучателя Ток |
В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C |
|
|
400 |
нД |
R Гинт |
Внутренний портал сопротивления ance |
|
|
0.25 |
|
ω |
C ies |
Входной пропускной способностью |
В СЕ =25В, f=1МГц,
В GE =0В
|
|
39.0 |
|
нФ |
C res |
Обратная передача
Пропускная способность
|
|
2.55 |
|
нФ |
Q G |
Сбор за вход |
В GE =- 15…+15В |
|
6.30 |
|
μC |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =600А, R G = 1. 1Ω,
В GE =±15В, Т j =25 о C
|
|
205 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
50 |
|
nS |
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
265 |
|
nS |
т к |
Время спада |
|
140 |
|
nS |
Е нА |
Включить Переключение
Потеря
|
|
50.4 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
20.0 |
|
mJ |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =600А, R G = 1. 1Ω,
В GE =±15В, Т j = 125о C
|
|
210 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
55 |
|
nS |
т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
275 |
|
nS |
т к |
Время спада |
|
175 |
|
nS |
Е нА |
Включить Переключение
Потеря
|
|
66.0 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
28.9 |
|
mJ |
|
Я SC
|
Данные SC
|
т P ≤ 10 мкс,В GE =15В,
Т j =125 о C,V CC = 900 В, В СМК ≤ 1200 В
|
|
3900
|
|
A
|
Диод Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
В К |
Диод вперед
Напряжение
|
Я К =600А,В GE =0V,T j =25 о C |
|
2.25 |
2.70 |
В |
Я К =600А,В GE =0V,T j = 125о C |
|
2.35 |
|
Q r |
Восстановленная зарядка |
В CC = 600 В,I К =600А,
-di/dt= 12kA/μs,V GE =±15В, Т j =25 о C
|
|
42.0 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
492 |
|
A |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
16.6 |
|
mJ |
Q r |
Восстановленная зарядка |
В CC = 600 В,I К =600А,
-di/dt= 12kA/μs,V GE =±15В, Т j = 125о C
|
|
80.4 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
672 |
|
A |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
37.9 |
|
mJ |
Модуль Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
Л СЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
|
20 |
nH |
R CC+EE |
Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип |
|
0.18 |
|
мОм |
R thJC |
Соединение с делом (на IGB) T)
Соединение с корпусом (на D) йода)
|
|
|
0.031
0.070
|
K/W |
|
R thCH
|
Корпус к радиатору (на IGBT)
Корпус к радиатору (п ер диод)
Корпус к радиатору (на Модуль)
|
|
0.051
0.114
0.035
|
|
K/W |
|
М
|
Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 Терминальное Соединение Крутящий момент, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6 |
1.1
2.5
3.0
|
|
2.0
5.0
5.0
|
Н.М
|
G |
Вес из Модуль |
|
300 |
|
g |
EN
