GD600SGU120C2S,IGBT Модуль,STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C

@ T C =70 о C

830

600

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t р =1 мс

1200

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =150 о C

4032

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

В

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

600

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t р =1 мс

1200

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура стыка

150

о C

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +125

о C

Т СТГ

Температура хранения Запас хода

-40 до +125

о C

В ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =600А,В GE =15В, Т j =25 о C

2.90

3.35

В

Я C =600А,В GE =15В, Т j =125 о C

3.60

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =6.0 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

5.0

5.8

6.6

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V,

Т j =25 о C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.25

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц,

В GE =0В

39.0

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

2.55

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =- 15…+15В

6.30

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =600А, R G = 1. 1Ω,

В GE =±15В, Т j =25 о C

205

nS

т r

Время нарастания

50

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

265

nS

т f

Время спада

140

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

50.4

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

20.0

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =600А, R G = 1. 1Ω,

В GE =±15В, Т j = 125о C

210

nS

т r

Время нарастания

55

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

275

nS

т f

Время спада

175

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

66.0

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

28.9

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

Т j =125 о C,V CC = 900 В, В СМК ≤ 1200 В

3900

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В F

Диод вперед

Напряжение

Я F =600А,В GE =0V,T j =25 о C

2.25

2.70

В

Я F =600А,В GE =0V,T j = 125о C

2.35

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt= 12kA/μs,V GE =±15В, Т j =25 о C

42.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

492

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

16.6

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt= 12kA/μs,V GE =±15В, Т j = 125о C

80.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

672

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

37.9

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.18

мОм

R thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на D) йода)

0.031

0.070

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.051

0.114

0.035

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 Терминальное Соединение Крутящий момент, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

300

g