Все категории
Получить коммерческое предложение

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

Модуль IGBT 1200 В

Модуль IGBT 1200 В

Домашняя страница/Продукция/Модуль IGBT/Модуль IGBT 1200V

GD600SGU120C2S,IGBT Модуль,STARPOWER

1200В 600А

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD600SGU120C2S
  • Введение
  • Основные положения
Введение

Краткое описание

Модуль IGBT , произведенный компанией STARPOWER. 1200V 600A.

Особенности

  • Технология NPT IGBT
  • 10 мкм краткосвязь иллитет
  • Низкая потери при переключении
  • Устойчивый с ультрабыстрой производительностью ance
  • V СЕ (сидел ) с положительный температура коэффициент
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление противопараллельная FWD
  • Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

Типичный Приложения

  • Мощность переключения режима поставка
  • Индуктивное нагревание
  • Электрический сварщик

Абсолютное Максимальный Рейтинги T C=25o C если только иначе отмечено

IGBT

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

Коллекторный ток @ T C=25o C

@ T C=70o C

830

600

A

Я См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

1200

A

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T j =150o C

4032

Ш

Диод

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

V

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

600

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

1200

A

МОДУЛЬ

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T jmax

Максимальная температура стыка

150

o C

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +125

o C

T СТГ

Температура хранения Дальность действия

-40 до +125

o C

V ISO

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мИН

2500

V

IGBT Характеристики T C=25o C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C=600А,В GE =15В, T j =25o C

2.90

3.35

V

Я C=600А,В GE =15В, T j =125o C

3.60

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C=6.0mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C

5.0

5.8

6.6

V

Я CES

Коллектор Вырезан ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.25

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц,

V GE =0В

39.0

нФ

Cres

Обратная передача

Пропускная способность

2.55

нФ

В. Г

Сбор за вход

V GE =- 15…+15В

6.30

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=600А, Пруток Г = 1. 1Ω,

V GE =±15В, T j =25o C

205

nS

t пруток

Время нарастания

50

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

265

nS

t f

Время спада

140

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

50.4

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

20.0

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=600А, Пруток Г = 1. 1Ω,

V GE =±15В, T j = 125o C

210

nS

t пруток

Время нарастания

55

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

275

nS

t f

Время спада

175

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

66.0

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

28.9

mJ

Я SC

Данные SC

t P≤ 10 мкс,В GE =15В,

T j =125o C,V CC = 900 В, V СМК ≤ 1200 В

3900

A

Диод Характеристики T C=25o C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед

Напряжение

Я F =600А,В GE =0V,T j =25o C

2.25

2.70

V

Я F =600А,В GE =0V,T j = 125o C

2.35

В. пруток

Восстановленная зарядка

V CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt= 12kA/μs,V GE =±15В, T j =25o C

42.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

492

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

16.6

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V CC = 600 В,I F =600А,

-di/dt= 12kA/μs,V GE =±15В, T j = 125o C

80.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

672

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

37.9

mJ

МОДУЛЬ Характеристики T C=25o C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.18

мОм

Пруток thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на D) йода)

0.031

0.070

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.051

0.114

0.035

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 Терминальное Соединение Крутящий момент, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

Н.М

Г

Вес из МОДУЛЬ

300

г

Основные положения

image(6b521639e0).png

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

Связанный продукт

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда продаж ждёт ваших консультаций.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить коммерческое предложение

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000