GD100HFX170C1S, IGBT Модуль, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C =100 о C

173

112

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

200

A

P Г

Максимальное Мощность Рассеяние @ Т vj =175 о C

666

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1700

В

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

100

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

200

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т vjmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

4000

В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =100A,V GE =15В, Т vj =25 о C

1.85

2.20

В

Я C =100A,V GE =15В, Т vj =125 о C

2.25

Я C =100A,V GE =15В, Т vj =150 о C

2.35

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =4,0 mA ,В СЕ = В GE , Т vj =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т vj =25 о C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т vj =25 о C

400

нД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

7.5

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

12.0

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.29

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15…+15V

0.94

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =100A, R G =4.7Ω,V GE =±15В, Ls=60нГ,

Т vj =25 о C

272

nS

т r

Время нарастания

55

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

369

nS

т к

Время спада

389

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

28.2

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

16.4

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =100A, R G =4.7Ω,V GE =±15В, Ls=60нГ,

Т vj =125 о C

296

nS

т r

Время нарастания

66

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

448

nS

т к

Время спада

576

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

40.1

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

24.1

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =100A, R G =4.7Ω,V GE =±15В, Ls=60нГ,

Т vj =150 о C

302

nS

т r

Время нарастания

69

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

463

nS

т к

Время спада

607

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

43.9

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

25.7

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤10μs, В GE =15В,

Т vj =150 о C ,В CC =1000V

В СМК ≤1700V

400

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я К =100A,V GE =0V,T vj =2 5о C

1.80

2.25

В

Я К =100A,V GE =0V,T vj =125 о C

1.90

Я К =100A,V GE =0V,T vj =150 о C

1.95

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К =100A,

-di/dt=1290A/μs,V GE = 15 В Ls=60нГ,

Т vj =25 о C

23.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

85

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

11.5

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К =100A,

-di/dt=1020A/μs,V GE = 15 В Ls=60нГ,

Т vj =125 о C

36.6

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

88

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

18.1

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К =100A,

-di/dt=960A/μs,V GE = 15 В Ls=60нГ,

Т vj =150 о C

46.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

91

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

24.6

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

30

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.65

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.225 0.391

K/W

R thCH

Кейс -до -Радиатор (наIGBT )Корпус к радиатору (п ер диод) Корпус к радиатору (на Модуль)

0.158 0.274 0.050

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

150

g