GD100HFX170C1S, IGBT Модуль, STARPOWER

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

Коллекторный ток @ T C=25o C @ T C=100o C

173

112

A

Я См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

200

A

PD

Максимальный Мощность Рассеяние @ T vj =175o C

666

Ш

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1700

V

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

100

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

200

A

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T vjmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

4000

V

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C=100A,V GE =15В, T vj =25o C

1.85

2.20

V

Я C=100A,V GE =15В, T vj =125o C

2.25

Я C=100A,V GE =15В, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C=4.0mA ,V СЕ =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Я CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T vj =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

7.5

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В

12.0

нФ

Cres

Обратная передача Пропускная способность

0.29

нФ

В. Г

Сбор за вход

V GE =-15…+15V

0.94

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C=100A, Пруток Г =4.7Ω,V GE =±15В, Ls=60нГ,

T vj =25o C

272

nS

t пруток

Время нарастания

55

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

369

nS

t f

Время спада

389

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

28.2

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

16.4

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C=100A, Пруток Г =4.7Ω,V GE =±15В, Ls=60нГ,

T vj =125o C

296

nS

t пруток

Время нарастания

66

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

448

nS

t f

Время спада

576

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

40.1

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

24.1

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C=100A, Пруток Г =4.7Ω,V GE =±15В, Ls=60нГ,

T vj =150o C

302

nS

t пруток

Время нарастания

69

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

463

nS

t f

Время спада

607

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

43.9

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

25.7

mJ

Я SC

Данные SC

t P≤10μs, V GE =15В,

T vj =150o C,V CC =1000V

V СМК ≤1700V

400

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

Я F =100A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

Я F =100A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

Я F =100A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =100A,

-di/dt=1290A/μs,V GE = 15 В Ls=60нГ,

T vj =25o C

23.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

85

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

11.5

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =100A,

-di/dt=1020A/μs,V GE = 15 В Ls=60нГ,

T vj =125o C

36.6

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

88

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

18.1

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =100A,

-di/dt=960A/μs,V GE = 15 В Ls=60нГ,

T vj =150o C

46.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

91

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

24.6

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

30

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.65

мОм

Пруток thJC

Переходный пункт —до —Корпус (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.225 0.391

K/W

Пруток thCH

Корпус —до —Радиатор (наIGBT )Корпус к радиатору (п ер диод) Корпус к радиатору (на Модуль)

0.158 0.274 0.050

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

Г

Вес из МОДУЛЬ

150

г