GD100HFX170C1S, IGBT Модуль, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

О C

Коллекторный ток @ T C =25o C @ T C =100o C

173

112

А

О CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

200

А

P D

Максимальный Мощность Рассеяние @ T vj =175o C

666

Ш

Символ

Описание

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1700

V

О F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

100

А

О ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

200

А

Символ

Описание

Значение

Единица

T vjmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

4000

V

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

О C =100A,V GE =15В, T vj =25o C

1.85

2.20

V

О C =100A,V GE =15В, T vj =125o C

2.25

О C =100A,V GE =15В, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

О C =4.0mA ,V СЕ =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

О CES

Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

О ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T vj =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

7.5

ω

C ies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В

12.0

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.29

нФ

Q G

Сбор за вход

V GE =-15…+15V

0.94

μC

t d (по )

Время задержки включения

V CC =900V,I C =100A, Пруток G =4.7Ω,V GE =±15В, Ls=60нГ,

T vj =25o C

272

nS

t пруток

Время нарастания

55

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

369

nS

t f

Время спада

389

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

28.2

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

16.4

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC =900V,I C =100A, Пруток G =4.7Ω,V GE =±15В, Ls=60нГ,

T vj =125o C

296

nS

t пруток

Время нарастания

66

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

448

nS

t f

Время спада

576

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

40.1

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

24.1

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC =900V,I C =100A, Пруток G =4.7Ω,V GE =±15В, Ls=60нГ,

T vj =150o C

302

nS

t пруток

Время нарастания

69

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

463

nS

t f

Время спада

607

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

43.9

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

25.7

mJ

О SC

Данные SC

t P ≤10μs, V GE =15В,

T vj =150o C ,V CC =1000V

V СМК ≤1700V

400

А

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

О F =100A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

О F =100A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

О F =100A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =100A,

-di/dt=1290A/μs,V GE = 15 В Ls=60нГ,

T vj =25o C

23.5

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

85

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

11.5

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =100A,

-di/dt=1020A/μs,V GE = 15 В Ls=60нГ,

T vj =125o C

36.6

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

88

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

18.1

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =100A,

-di/dt=960A/μs,V GE = 15 В Ls=60нГ,

T vj =150o C

46.2

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

91

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

24.6

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

30

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.65

мОм

Пруток thJC

Переходный пункт -к -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.225 0.391

K/W

Пруток thCH

Кейс -к -Радиатор (наIGBT )Корпус к радиатору (п ер диод) Корпус к радиатору (на Модуль)

0.158 0.274 0.050

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

150

g