GD400HFU120C2S, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

GD400HFU120C2S

Единицы

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C = 25℃

@ T C =80 ℃

660

400

A

Я CM (1)

Импульсный ток коллектора t р =1 мс

800

A

Я F

Диод непрерывного прямого тока

400

A

Я ЧМ (1)

Диод максимально протяженный арендная плата

800

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j = 150℃

2660

В

Т SC

Время выдержки короткого замыкания @ T j =125 ℃

10

μs

Т j

Максимальная температура стыка

150

℃

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

℃

В ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

2500

В

Крутящий момент крепления

Крепежный винт силового терминала:M6

2,5 до 5.0

Н.М

Монтаж Винт: M6

3,0 до 6.0

Н.М

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В (БР )CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

Т j =25 ℃

1200

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т j =25 ℃

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя

Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 ℃

400

нД

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя

Напряжение

Я C =4,0 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 ℃

4.4

4.9

6.0

В

В CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =400A,V GE =15В, Т j =25 ℃

3.10

3.60

В

Я C =400A,V GE =15В, Т j = 125℃

3.45

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =400A, R G = 2,2Ω,V GE = ± 15 В, Т j =25 ℃

680

nS

т r

Время нарастания

142

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

638

nS

т f

Время спада

99

nS

Е нА

Включение переключения

Потеря

19.0

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

32.5

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =400A, R G = 2,2Ω,V GE = ± 15 В, Т j = 125℃

690

nS

т r

Время нарастания

146

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

669

nS

т f

Время спада

108

nS

Е нА

Включение переключения

Потеря

26.1

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

36.7

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =30В, f=1МГц,

В GE =0В

33.7

нФ

C - Да.

Выходной объем

2.99

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.21

нФ

Я SC

Данные SC

Т Р ≤ 10 мс,В GE =15 В, Т j =25 ℃ ,

В CC =600 В, В СМК ≤ 1200В

2600

A

R Гинт

Внутренний резис ворот танцевать

0.5

ω

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

18

nH

R CC + EE ’

Модуль свинцового сопротивления c Терминал на чип

Т C =25 ℃

0.32

м ω

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В F

Диод вперед

Напряжение

Я F =400A

Т j =25 ℃

1.95

2.35

В

Т j = 125℃

1.85

Q r

Восстановленная зарядка

Я F =400A,

В R =600 В,

di/dt=-2850A/μs, В GE =- 15В

Т j =25 ℃

24.1

μC

Т j = 125℃

44.3

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

Т j =25 ℃

220

A

Т j = 125℃

295

Е rec

Обратное восстановление Энергия

Т j =25 ℃

13.9

mJ

Т j = 125℃

24.8

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Единицы

R θ Д.К.

Соединение с делом (на IG) БТ)

0.047

K/W

R θ Д.К.

Соединение с корпусом (на D) Йода)

0.096

K/W

R θ КС

Складка-на-мыло (проводимая жирная мазь (примечание)

0.035

K/W

G

Вес Модуль

350

g