GD75PFX170C6SG, IGBT Модуль, STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C =100 о C

139

75

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

150

A

P Г

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175 о C

559

В

Символ

Описание

Ценности

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1700

В

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

75

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

150

A

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

2000

В

Я О

Средний выходной ток 5 0Гц/60Гц, синусоида

75

A

Я ФСМ

Напряжение вперед t p = 10 мс @ T vj = 25о C @ T vj =150 о C

1440

1206

A

Я 2т

Я 2t-значение,t p = 10 мс @ T vj =25 о C @ T vj =150 о C

10368

7272

A 2с

Символ

Описание

Значение

Единица

Т vjmax

Максимальная температура соединения (инвертор) Максимальная температура соединения (прямой ток)

175

150

о C

Т vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

4000

В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =75A,V GE =15В, Т vj =25 о C

1.85

2.20

В

Я C =75A,V GE =15В, Т vj =125 о C

2.25

Я C =75A,V GE =15В, Т vj =150 о C

2.35

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =3.0 mA ,В СЕ = В GE , Т vj =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т vj =25 о C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т vj =25 о C

400

нД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

8.5

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

9.03

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.22

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15 ...+15В

0.71

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =75A, R G =6.8Ω,В GE =±15В, Л С =46 nH ,Т vj =25 о C

236

nS

т r

Время нарастания

42

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

356

nS

т к

Время спада

363

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

17.3

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

11.7

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =75A, R G =6.8Ω,В GE =±15В, Л С =46 nH ,Т vj =125 о C

252

nS

т r

Время нарастания

48

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

420

nS

т к

Время спада

485

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

27.1

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

16.6

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =75A, R G =6.8Ω,В GE =±15В, Л С =46 nH ,Т vj =150 о C

275

nS

т r

Время нарастания

50

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

432

nS

т к

Время спада

524

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

27.9

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

17.7

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤10μs, В GE =15В,

Т vj =150 о C ,В CC =1000V

,

В СМК ≤1700V

300

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я К =75A,V GE =0V,T vj =2 5о C

1.80

2.25

В

Я К =75A,V GE =0V,T vj =12 5о C

1.90

Я К =75A,V GE =0V,T vj =15 0о C

1.95

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К =75A,

-di/dt=1290A/μs,V GE = 15 В Л С =46 nH ,Т vj =25 о C

10.3

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

84

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

7.44

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К =75A,

-di/dt=1100A/μs,V GE =- 15В Л С =46 nH ,Т vj =125 о C

20.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

87

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

16.1

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К =75A,

-di/дт=1060A/μс,V GE = 15 В Л С =46 nH ,Т vj =150 о C

22.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

97

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

19.2

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я C =75A, Т vj =150 о C

0.95

В

Я R

Обратный ток

Т vj =150 о C ,В R =2000V

3.0

mA

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из R 100

Т C =100 о C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R thJC

Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT -инвертор ) Соединение-Корпус (на каждый ДИОД-инвертор р) Термическое сопротивление переход-корпус (на диод-прямой переводчик)

0.268 0.481 0.289

K/W

R thCH

Кейс -до -Радиатор (наIGBT -инвертор )Корпус-к радиатору (на диод-обратный преобразователь) Корпус-к-радиатору (на каждый диод- прямой) Корпус к радиатору (на Модуль)

0.106 0.190 0.114 0.009

K/W

М

Крутящий момент установки, Винт:M5

3.0

6.0

Н.М

G

Вес из Модуль

300

g