GD75PFX170C6SG, IGBT Модуль, STARPOWER

Символ

ОПИСАНИЕ

Ценности

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

Коллекторный ток @ T C=25o C @ T C=100o C

139

75

A

Я См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

150

A

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175o C

559

Ш

Символ

ОПИСАНИЕ

Ценности

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1700

V

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

75

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

150

A

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

2000

V

Я O

Средний выходной ток 5 0Гц/60Гц, синусоида

75

A

Я ФСМ

Напряжение вперед t p = 10 мс @ T vj =25o C @ T vj =150o C

1440

1206

A

Я 2t

Я 2t-значение,t p = 10 мс @ T vj =25o C @ T vj =150o C

10368

7272

A2с

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T vjmax

Максимальная температура соединения (инвертор) Максимальная температура соединения (прямой ток)

175

150

o C

T vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

4000

V

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C=75A,V GE =15В, T vj =25o C

1.85

2.20

V

Я C=75A,V GE =15В, T vj =125o C

2.25

Я C=75A,V GE =15В, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C=3.0mA ,V СЕ =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Я CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T vj =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

8.5

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В

9.03

нФ

Cres

Обратная передача Пропускная способность

0.22

нФ

В. Г

Сбор за вход

V GE =-15 ...+15В

0.71

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C=75A, Пруток Г =6.8Ω,В GE =±15В, LС =46nH ,T vj =25o C

236

nS

t пруток

Время нарастания

42

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

356

nS

t f

Время спада

363

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

17.3

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

11.7

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C=75A, Пруток Г =6.8Ω,В GE =±15В, LС =46nH ,T vj =125o C

252

nS

t пруток

Время нарастания

48

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

420

nS

t f

Время спада

485

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

27.1

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

16.6

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C=75A, Пруток Г =6.8Ω,В GE =±15В, LС =46nH ,T vj =150o C

275

nS

t пруток

Время нарастания

50

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

432

nS

t f

Время спада

524

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

27.9

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

17.7

mJ

Я SC

Данные SC

t P≤10μs, V GE =15В,

T vj =150o C,V CC =1000V

,

V СМК ≤1700V

300

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

Я F =75A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

Я F =75A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

Я F =75A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =75A,

-di/dt=1290A/μs,V GE = 15 В LС =46nH ,T vj =25o C

10.3

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

84

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

7.44

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =75A,

-di/dt=1100A/μs,V GE =-15В LС =46nH ,T vj =125o C

20.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

87

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

16.1

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =75A,

-di/дт=1060A/μс,V GE = 15 В LС =46nH ,T vj =150o C

22.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

97

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

19.2

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

Я C=75A, T vj =150o C

0.95

V

Я Пруток

Обратный ток

T vj =150o C,V Пруток =2000V

3.0

mA

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Пруток 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из Пруток 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2— 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2— 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2— 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Пруток thJC

Переходный пункт —до —Корпус (наIGBT —инвертор ) Соединение-Корпус (на каждый ДИОД-инвертор р) Термическое сопротивление переход-корпус (на диод-прямой переводчик)

0.268 0.481 0.289

K/W

Пруток thCH

Корпус —до —Радиатор (наIGBT —инвертор )Корпус-к радиатору (на диод-обратный преобразователь) Корпус-к-радиатору (на каждый диод- прямой) Корпус к радиатору (на Модуль)

0.106 0.190 0.114 0.009

K/W

М

Крутящий момент установки, Винт:M5

3.0

6.0

Н.М

Г

Вес из МОДУЛЬ

300

г