Все категории
Получить коммерческое предложение

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

Модуль IGBT 1200 В

Модуль IGBT 1200 В

Главная/Продукция/Модуль IGBT/Модуль IGBT 1200V

GD400HFY120C2S, Модуль IGBT, STARPOWER

1200 В 400 А

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400HFY120C2S
  • Введение
  • Основные положения
  • Схема эквивалентной цепи
Введение

Краткое введение

Модуль IGBT , созданный StarPower. 1200 В 400 А.

Особенности

  • Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
  • возможность короткого замыкания 10 мкм
  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Максимальная температура соединения 175oC
  • Склад с низкой индуктивностью
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC

Типичный Области применения

  • Инвертор для привода мотора
  • Усилитель сервоуправления AC и DC
  • Источник бесперебойного питания

Абсолютное Максимальный Рейтинги T C=25о C если только иначе отмечено

IGBT

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

И C

Коллекторный ток @ T C=25о C

@ T C= 100о C

630

400

А

И См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

800

А

PД

Максимальное рассеивание мощности @ T =175о C

2083

Ш

Диод

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

V

И F

Диод непрерывно передний арендная плата

400

А

И ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

800

А

МОДУЛЬ

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T jmax

Максимальная температура стыка

175

о C

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

T СТГ

Температура хранения Дальность действия

-40 до +125

о C

V ISO

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мИН

4000

V

IGBT Характеристики T C=25о C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

И C=400A,V GE =15В, T j =25о C

1.70

2.15

V

И C=400A,V GE =15В, T j =125о C

1.95

И C=400A,V GE =15В, T j =150о C

2.00

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

И C= 10,0 мА,В СЕ =V GE , T j =25о C

5.2

6.0

6.8

V

И CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V,

T j =25о C

5.0

mA

И ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25о C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.9

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц,

V GE =0В

41.4

нФ

Cres

Обратная передача

Пропускная способность

1.16

нФ

В Г

Сбор за вход

V GE =15В

3.11

μC

t д (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=400A, Пруток Г =2,0Ω,

V GE =±15В, T j =25о C

257

nS

t пруток

Время нарастания

96

nS

t д (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

628

nS

t f

Время спада

103

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

23.5

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

34.0

mJ

t д (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=400A, Пруток Г =2,0Ω,

V GE =±15В, T j = 125о C

268

nS

t пруток

Время нарастания

107

nS

t д (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

659

nS

t f

Время спада

144

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

35.3

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

51.5

mJ

t д (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=400A, Пруток Г =2,0Ω,

V GE =±15В, T j = 150о C

278

nS

t пруток

Время нарастания

118

nS

t д (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

680

nS

t f

Время спада

155

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

38.5

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

56.7

mJ

И SC

Данные SC

t P≤ 10 мкс,В GE =15В,

T j =150о C,V CC = 900 В, V СМК ≤ 1200 В

1600

А

Диод Характеристики T C=25о C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед

Напряжение

И F =400A,V GE =0V,T j =25о C

1.65

2.10

V

И F =400A,V GE =0V,T j = 125о C

1.65

И F =400A,V GE =0V,T j = 150о C

1.65

В пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15В T j =25о C

38.0

μC

И RM

Пик обратный

Ток восстановления

285

А

Erec

Обратное восстановление Энергия

19.0

mJ

В пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15В T j = 125о C

66.5

μC

И RM

Пик обратный

Ток восстановления

380

А

Erec

Обратное восстановление Энергия

36.6

mJ

В пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15В T j = 150о C

76.0

μC

И RM

Пик обратный

Ток восстановления

399

А

Erec

Обратное восстановление Энергия

41.8

mJ

МОДУЛЬ Характеристики T C=25о C если только иначе отмечено

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

Пруток CC+EE

Модуль свинцового сопротивления - Да, конечно, я не знаю.

0.35

мОм

Пруток thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.072

0.095

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.035

0.046

0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

Г

Вес из МОДУЛЬ

300

г

Основные положения

image(c3756b8d25).png

Схема эквивалентной цепи

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

Сопутствующий товар

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда продаж ждёт ваших консультаций.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить коммерческое предложение

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000