GD200HFQ120C2SD, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C =100 о C

324

200

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

400

A

P Г

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175 о C

1181

В

Символ

Описание

Ценности

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

В

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

200

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

400

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т vjmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

2500

В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =200A,В GE =15В, Т vj =25 о C

1.85

2.30

В

Я C =200A,В GE =15В, Т vj =125 о C

2.25

Я C =200A,В GE =15В, Т vj =150 о C

2.35

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =8.00 mA ,В СЕ = В GE , Т vj =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т vj =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т vj =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

3.8

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

21.6

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.59

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15…+15V

1.68

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =200A, R G = 4,7Ω, Л С =45 nH , В GE =±15В,Т vj =25 о C

100

nS

т r

Время нарастания

72

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

303

nS

т к

Время спада

71

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

26.0

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

6.11

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =200A, R G = 4,7Ω, Л С =45 nH , В GE =±15В,Т vj =125 о C

99

nS

т r

Время нарастания

76

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

325

nS

т к

Время спада

130

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

33.5

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

8.58

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =200A, R G = 4,7Ω, Л С =45 nH , В GE =±15В,Т vj =150 о C

98

nS

т r

Время нарастания

80

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

345

nS

т к

Время спада

121

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

36.2

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

9.05

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤10μs, В GE =15В,

Т vj =150 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

750

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В К

Диод вперед Напряжение

Я К =200A,В GE =0V,T vj =2 5о C

1.85

2.30

В

Я К =200A,В GE =0V,T vj =125 о C

1.90

Я К =200A,В GE =0V,T vj =150 о C

1.95

Q r

Восстановлено Заряд

В R = 600 В,I К =200A,

-di/dt=1890А/мкс,V GE = 15 В, Л С =45 nH ,Т vj =25 о C

19.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

96

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

5.66

mJ

Q r

Восстановлено Заряд

В R = 600 В,I К =200A,

-di/dt=1680А/мкс,V GE = 15 В, Л С =45 nH ,Т vj =125 о C

29.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

106

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

8.56

mJ

Q r

Восстановлено Заряд

В R = 600 В,I К =200A,

-di/dt=1600А/мкс,V GE = 15 В, Л С =45 nH ,Т vj =150 о C

32.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

107

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

9.24

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.35

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.127 0.163

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.036 0.046 0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

300

g