GD200HFQ120C2SD, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

ОПИСАНИЕ

Ценности

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

Коллекторный ток @ T C=25o C @ T C=100o C

324

200

A

Я См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

400

A

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175o C

1181

Ш

Символ

ОПИСАНИЕ

Ценности

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

V

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

200

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

400

A

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T vjmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

2500

V

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C=200A,В GE =15В, T vj =25o C

1.85

2.30

V

Я C=200A,В GE =15В, T vj =125o C

2.25

Я C=200A,В GE =15В, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C=8.00mA ,V СЕ =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Я CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T vj =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

3.8

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В

21.6

нФ

Cres

Обратная передача Пропускная способность

0.59

нФ

В. Г

Сбор за вход

V GE =-15…+15V

1.68

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=200A, Пруток Г = 4,7Ω, LС =45nH , V GE =±15В,Т vj =25o C

100

nS

t пруток

Время нарастания

72

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

303

nS

t f

Время спада

71

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

26.0

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

6.11

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=200A, Пруток Г = 4,7Ω, LС =45nH , V GE =±15В,Т vj =125o C

99

nS

t пруток

Время нарастания

76

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

325

nS

t f

Время спада

130

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

33.5

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

8.58

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C=200A, Пруток Г = 4,7Ω, LС =45nH , V GE =±15В,Т vj =150o C

98

nS

t пруток

Время нарастания

80

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

345

nS

t f

Время спада

121

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

36.2

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

9.05

mJ

Я SC

Данные SC

t P≤10μs, V GE =15В,

T vj =150o C,V CC =800V, V СМК ≤ 1200 В

750

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

V F

Диод вперед Напряжение

Я F =200A,В GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

Я F =200A,В GE =0V,T vj =125o C

1.90

Я F =200A,В GE =0V,T vj =150o C

1.95

В. пруток

Восстановлено Зарядка

V Пруток = 600 В,I F =200A,

-di/dt=1890А/мкс,V GE = 15 В, LС =45nH ,T vj =25o C

19.4

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

96

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

5.66

mJ

В. пруток

Восстановлено Зарядка

V Пруток = 600 В,I F =200A,

-di/dt=1680А/мкс,V GE = 15 В, LС =45nH ,T vj =125o C

29.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

106

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

8.56

mJ

В. пруток

Восстановлено Зарядка

V Пруток = 600 В,I F =200A,

-di/dt=1600А/мкс,V GE = 15 В, LС =45nH ,T vj =150o C

32.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

107

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

9.24

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.35

мОм

Пруток thJC

Переходный пункт —до —Корпус (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.127 0.163

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.036 0.046 0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

Г

Вес из МОДУЛЬ

300

г