GD400SGY120C2S, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

О C

Коллектор Текущий @ T C =25o C

@ T C = 100o C

630

400

А

О CM

Импульсный Коллектор Текущий t p =1ms

800

А

P D

Максимальный Мощность Рассеяние @ T j =175o C

2083

Ш

Символ

Описание

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

V

О F

Диод непрерывного прямого тока

400

А

О ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

800

А

Символ

Описание

Значение

Единица

T jmax

Максимальная температура соединения атмосфера

175

o C

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 к +150

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 к +125

o C

V ISO

Изоляция Напряжение РМС , f=50 Гц ,t=1 мин

4000

V

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V СЕ (сидел )

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

О C =400A, V GE =15В, T j =25o C

1.70

2.15

V

О C =400A, V GE =15В, T j =125o C

1.95

О C =400A, V GE =15В, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

О C = 10.0mA ,V СЕ =V GE ,T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

О CES

Ток коллектора отключения

Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

О ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V,

T j =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

1.9

ω

C ies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25V,f=1 МГц ,

V GE =0В

41.4

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.16

нФ

Q G

Сбор за вход

V GE =- 15V…+15V

3.11

μC

t d (по )

Время задержки включения

V CC =600 В, О C =400A, Пруток G =2,0Ω,

V GE =±15В, T j =25o C

257

nS

t пруток

Время нарастания

96

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

628

nS

t f

Время спада

103

nS

Е по

Включить Переключение

Потеря

23.5

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

34.0

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC =600 В, О C =400A, Пруток G =2,0Ω,

V GE =±15В, T j = 125o C

268

nS

t пруток

Время нарастания

107

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

659

nS

t f

Время спада

144

nS

Е по

Включить Переключение

Потеря

35.3

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

51.5

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC =600 В, О C =400A, Пруток G =2,0Ω,

V GE =±15В, T j = 150o C

278

nS

t пруток

Время нарастания

118

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

680

nS

t f

Время спада

155

nS

Е по

Включить Переключение

Потеря

38.5

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

56.7

mJ

О SC

Данные SC

t P ≤10μs, V GE =15В,

T j =150o C ,V CC = 900 В, V СМК ≤ 1200 В

1600

А

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед

Напряжение

О F =400A, V GE =0V, T j =25o C

1.80

2.25

V

О F =400A, V GE =0V, T j = 125o C

1.85

О F =400A, V GE =0V, T j = 150o C

1.85

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =600 В, О F =400A,

-ди /dt = 5000 А/μs, V GE =- 15В T j =25o C

38.0

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

285

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

19

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =600 В, О F =400A,

-ди /dt = 5000 А/μs, V GE =- 15В T j = 125o C

66.5

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

380

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

36.6

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =600 В, О F =400A,

-ди /dt = 5000 А/μs, V GE =- 15В T j = 150o C

76.0

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

399

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

41.8

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

Пруток CC ’+EE ’

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.18

мОм

Пруток thJC

Переходный пункт -к -Кейс (на IGBT )

Переходный пункт -к -Кейс (на Диод )

0.072

0.095

K/W

Пруток thCH

Кейс -к -Радиатор (на IGBT )

Кейс -к -Радиатор (на Диод )

Корпус к радиатору (на модуль)

0.018

0.023

0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт M6 Монтаж Крутящий момент , Винт М 6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

G

ВЕС Модуль

300

g