GD400SGY120C2S, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллектор Ток @ Т C =25 о C

@ Т C = 100о C

630

400

A

Я CM

Импульсный Коллектор Ток т p =1 mS

800

A

P Г

Максимальное Мощность Рассеяние @ Т j =175 о C

2083

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

В

Я К

Диод непрерывного прямого тока

400

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

800

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура соединения атмосфера

175

о C

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Изоляция Напряжение РМС , f=50 Гц ,t=1 мин

4000

В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В СЕ (сидел )

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =400A, В GE =15В, Т j =25 о C

1.70

2.15

В

Я C =400A, В GE =15В, Т j =125 о C

1.95

Я C =400A, В GE =15В, Т j =150 о C

2.00

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 10.0mA ,В СЕ = В GE ,Т j =25 о C

5.2

6.0

6.8

В

Я CES

Ток коллектора отключения

Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V,

Т j =25 о C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V,

Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

1.9

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25V,f=1 МГц ,

В GE =0В

41.4

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.16

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =- 15V…+15V

3.11

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =600 В, Я C =400A, R G =2,0Ω,

В GE =±15В, Т j =25 о C

257

nS

т r

Время нарастания

96

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

628

nS

т к

Время спада

103

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

23.5

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

34.0

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =600 В, Я C =400A, R G =2,0Ω,

В GE =±15В, Т j = 125о C

268

nS

т r

Время нарастания

107

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

659

nS

т к

Время спада

144

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

35.3

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

51.5

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =600 В, Я C =400A, R G =2,0Ω,

В GE =±15В, Т j = 150о C

278

nS

т r

Время нарастания

118

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

680

nS

т к

Время спада

155

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

38.5

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

56.7

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤10μs, В GE =15В,

Т j =150 о C ,В CC = 900 В, В СМК ≤ 1200 В

1600

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед

Напряжение

Я К =400A, В GE =0V, Т j =25 о C

1.80

2.25

В

Я К =400A, В GE =0V, Т j = 125о C

1.85

Я К =400A, В GE =0V, Т j = 150о C

1.85

Q r

Восстановленная зарядка

В R =600 В, Я К =400A,

-ди /dt = 5000 А/μs, В GE =- 15В Т j =25 о C

38.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

285

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

19

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =600 В, Я К =400A,

-ди /dt = 5000 А/μs, В GE =- 15В Т j = 125о C

66.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

380

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

36.6

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =600 В, Я К =400A,

-ди /dt = 5000 А/μs, В GE =- 15В Т j = 150о C

76.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

399

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

41.8

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC + EE ’

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.18

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -Кейс (на IGBT )

Переходный пункт -до -Кейс (на Диод )

0.072

0.095

K/W

R thCH

Кейс -до -Радиатор (на IGBT )

Кейс -до -Радиатор (на Диод )

Корпус к радиатору (на модуль)

0.018

0.023

0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт М6 Монтаж Крутящий момент , Винт М 6

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

G

Вес Модуль

300

g