Краткое введение
Модуль IGBT , созданный StarPower. 1200 В 400 А.
Особенности
- Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
- возможность короткого замыкания 10 мкм
- VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
- Максимальная температура соединения 175oC
- Склад с низкой индуктивностью
- Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
- Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC
Типичный Области применения
- Инвертор для привода мотора
- Усилитель сервоуправления AC и DC
- Источник бесперебойного питания
Абсолютное Максимальный Рейтинги T C=25о C если только иначе отмечено
IGBT
Символ |
ОПИСАНИЕ |
Значение |
Единица |
V CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
V |
V ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
V |
И C |
Коллектор Текущий @ T C=25о C
@ T C= 100о C
|
630
400
|
А |
И См |
Импульсный Коллектор Текущий t p =1ms |
800 |
А |
PД |
Максимальный Мощность Рассеяние @ T j =175о C |
2083 |
Ш |
Диод
Символ |
ОПИСАНИЕ |
Значение |
Единица |
V RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение |
1200 |
V |
И F |
Диод непрерывного прямого тока |
400 |
А |
И ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t p =1 мс |
800 |
А |
МОДУЛЬ
Символ |
ОПИСАНИЕ |
Значение |
Единица |
T jmax |
Максимальная температура соединения атмосфера |
175 |
о C |
T - Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
о C |
T СТГ |
Диапазон температур хранения |
-40 до +125 |
о C |
V ISO |
Изоляция Напряжение РМС , f=50 Гц ,t=1 мИН |
4000 |
V |
IGBT Характеристики T C=25о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V СЕ (сидел )
|
Сборщик - эмитент
Насыщенное напряжение
|
И C=400A, V GE =15В, T j =25о C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
И C=400A, V GE =15В, T j =125о C |
|
1.95 |
|
И C=400A, V GE =15В, T j =150о C |
|
2.00 |
|
V GE (th) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
И C= 10.0mA ,V СЕ =V GE ,T j =25о C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
И CES |
Ток коллектора отключения
Текущий
|
V СЕ =V CES ,V GE =0V,
T j =25о C
|
|
|
5.0 |
mA |
И ГЭС |
Утечка излучателя Текущий |
V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V,
T j =25о C
|
|
|
400 |
нД |
Пруток Гинт |
Сопротивление внутреннего воротника |
|
|
1.9 |
|
ω |
Cies |
Входной пропускной способностью |
V СЕ =25V,f=1 МГц ,
V GE =0В
|
|
41.4 |
|
нФ |
Cres |
Обратная передача
Пропускная способность
|
|
1.16 |
|
нФ |
В Г |
Сбор за вход |
V GE =- 15V…+15V |
|
3.11 |
|
μC |
t д (включено ) |
Время задержки включения |
V CC =600 В, И C=400A, Пруток Г =2,0Ω,
V GE =±15В, T j =25о C
|
|
257 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
96 |
|
nS |
t д (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
628 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
103 |
|
nS |
Eвключено |
Включить Переключение
Потеря
|
|
23.5 |
|
mJ |
EвЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
34.0 |
|
mJ |
t д (включено ) |
Время задержки включения |
V CC =600 В, И C=400A, Пруток Г =2,0Ω,
V GE =±15В, T j = 125о C
|
|
268 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
107 |
|
nS |
t д (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
659 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
144 |
|
nS |
Eвключено |
Включить Переключение
Потеря
|
|
35.3 |
|
mJ |
EвЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
51.5 |
|
mJ |
t д (включено ) |
Время задержки включения |
V CC =600 В, И C=400A, Пруток Г =2,0Ω,
V GE =±15В, T j = 150о C
|
|
278 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
118 |
|
nS |
t д (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
680 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
155 |
|
nS |
Eвключено |
Включить Переключение
Потеря
|
|
38.5 |
|
mJ |
EвЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
56.7 |
|
mJ |
|
И SC
|
Данные SC
|
t P≤10μs, V GE =15В,
T j =150о C,V CC = 900 В, V СМК ≤ 1200 В
|
|
1600
|
|
А
|
Диод Характеристики T C=25о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V F
|
Диод вперед
Напряжение
|
И F =400A, V GE =0V, T j =25о C |
|
1.80 |
2.25 |
V
|
И F =400A, V GE =0V, T j = 125о C |
|
1.85 |
|
И F =400A, V GE =0V, T j = 150о C |
|
1.85 |
|
В пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток =600 В, И F =400A,
—ди /dt = 5000 А/μs, V GE =- 15В T j =25о C
|
|
38.0 |
|
μC |
И RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
285 |
|
А |
Erec |
Обратное восстановление Энергия |
|
19 |
|
mJ |
В пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток =600 В, И F =400A,
—ди /dt = 5000 А/μs, V GE =- 15В T j = 125о C
|
|
66.5 |
|
μC |
И RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
380 |
|
А |
Erec |
Обратное восстановление Энергия |
|
36.6 |
|
mJ |
В пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток =600 В, И F =400A,
—ди /dt = 5000 А/μs, V GE =- 15В T j = 150о C
|
|
76.0 |
|
μC |
И RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
399 |
|
А |
Erec |
Обратное восстановление Энергия |
|
41.8 |
|
mJ |
МОДУЛЬ Характеристики T C=25о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
LСЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
|
20 |
nH |
Пруток CC ’+EE ’ |
Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу |
|
0.18 |
|
мОм |
Пруток thJC |
Переходный пункт —до —Корпус (на IGBT )
Переходный пункт —до —Корпус (на Диод )
|
|
|
0.072
0.095
|
K/W |
|
Пруток thCH
|
Корпус —до —Радиатор (на IGBT )
Корпус —до —Радиатор (на Диод )
Корпус к радиатору (на модуль)
|
|
0.018
0.023
0.010
|
|
K/W
|
М |
Крутящий момент соединения терминала, Винт M6 Установка Крутящий момент , Винт М 6 |
2.5
3.0
|
|
5.0
5.0
|
Н.М |
Г |
ВЕС МОДУЛЬ |
|
300 |
|
г |
EN
