YMIBD800-17,IGBT Модуль,Двойной переключатель IGBT,CRRC

(Символ)

(Параметр)

(Условия испытаний)

(значение)

(Единица)

VCES

Напряжение коллектор-эмиттер

V GE = 0V, TC= 25 。C

1700

В

V GES

Напряжение затвор-эмиттер

TC= 25 。C

± 20

В

I C

Ток коллектор-эмиттер

TC = 80 。C

800

A

I C(PK)

Пиковый коллекторный ток

t P=1ms

1600

A

P max

Максимальная мощность рассеяния транзистора

Tvj = 150 。C, TC = 25 。C

6.94

кВт

I 2t

Диод I 2t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 125 。C

120

kA2s

Visol

Напряжение изоляции – на модуль

(Общие терминалы к основанию),

AC RMS,1 мин, 50Hz,TC= 25 。C

4000

В

Q PD

Частичное разряд – на модуль

IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25 。C

10

пК

(Символ )

(Параметры )

(Условия испытаний)

(Мин )

(Тип )

(Макс )

(Единица )

I CES

Ток отсечения коллектора

V GE = 0V,VCE = VCES

1

mA

V GE = 0V, VCE = VCES , TC=125 ° C

25

mA

I GES

Ток утечки затвора

V GE = ±20V, VCE = 0V

4

μA

V GE (TH)

Напряжение порога затвора

I C = 40mA, V GE = VCE

5.00

5.70

6.50

В

VCE (sat)(*1)

Напряжение насыщения коллектора-эмиттера

V GE =15V, I C = 800A

2.30

2.60

В

V GE =15V, I C = 800A,Tvj = 125 ° C

2.80

3.10

В

I F

Диодный прямой ток

直流 Постоянный ток

800

A

I FRM

Максимальный проходный ток диоды

t P = 1мс

1600

A

VF(*1)

Прямое напряжение диода

I F = 800A

1.70

2.00

В

I F = 800A, Tvj = 125 ° C

1.80

2.10

В

C ies

Входной пропускной способностью

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

60

нФ

Q g

Сбор за вход

± 15 В

9

μC

C res

Капацитет обратной передачи

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

-

нФ

L M

Индуктивность модуля

20

nH

R INT

Сопротивление внутреннего транзистора

270

μΩ

I SC

Ток короткого замыкания, ISC

Tvj = 125° C, VCC = 1000V,

V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt,

IEC 6074-9

3700

A

td(off)

Время задержки выключения

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15В

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

890

nS

t f

Время спада

220

nS

E OFF

Потеря энергии при выключении

220

mJ

td(on)

Время задержки включения

320

nS

t r

Время нарастания

190

nS

EON

Потеря энергии при включении

160

mJ

Q rr

Заряд обратного восстановления диода

I F = 800A

VCE = 900В

diF/dt =4000A/us

260

μC

I rr

Ток обратного восстановления диода

510

A

E rec

Энергия обратного восстановления диода

180

mJ

td(off)

Время задержки выключения

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15В

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

980

nS

t f

Время спада

280

nS

E OFF

Потеря энергии при выключении

290

mJ

td(on)

Время задержки включения

400

nS

t r

Время нарастания

250

nS

EON

Потеря энергии при включении

230

mJ

Q rr

Заряд обратного восстановления диода

I F = 800A

VCE = 900В

diF/dt =4000A/us

420

μC

I rr

Ток обратного восстановления диода

580

A

E rec

Энергия обратного восстановления диода

280

mJ