Краткое описание
Модуль IGBT ,произведенный STARPOWER .1200V 600А.
Особенности
- Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
- возможность короткого замыкания 10 мкм
- VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
- Максимальная температура соединения 175oC
- Склад с низкой индуктивностью
- Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
- Изолированный медный подложка с использованием технологии HPS DBC
Типовые области применения
- Инвертор для привода мотора
- Усилитель сервоуправления AC и DC
- Источник бесперебойного питания
Абсолютное Максимальный Рейтинги T F =25o C если только иначе отмечено
IGBT
Символ |
ОПИСАНИЕ |
Значение |
Единица |
V CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
V |
V ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер
Временное напряжение затвора-эмиттера
|
±20 ±30 |
V |
Я C |
Коллекторный ток @ T C=25o C @ T C=100o C |
1096
600
|
A |
Я См |
Импульсный ток коллектора t p =1 мс |
1200 |
A |
PD |
Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175o C |
3947 |
Ш |
Диод
Символ |
ОПИСАНИЕ |
Значение |
Единица |
V RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст |
1200 |
V |
Я F |
Диодная непрерывная прямая токовая способность вход |
600 |
A |
Я ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t p =1 мс |
1200 |
A |
МОДУЛЬ
Символ |
ОПИСАНИЕ |
Значение |
Единица |
T vjmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
o C |
T vjop |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
o C |
T СТГ |
Диапазон температур хранения |
-40 до +125 |
o C |
V ISO |
Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min |
4000 |
V |
IGBT Характеристики T C=25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V CE (США)
|
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение
|
Я C=600А,В GE =15В, T vj =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
Я C=600А,В GE =15В, T vj =125o C |
|
2.05 |
|
Я C=600А,В GE =15В, T vj =150o C |
|
2.15 |
|
V GE (th) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
Я C=24.0mA ,V СЕ =V GE , T vj =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Я CES |
Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий |
V СЕ =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
Я ГЭС |
Утечка излучателя Текущий |
V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T vj =25o C |
|
|
400 |
нД |
Пруток Гинт |
Сопротивление внутреннего воротника |
|
|
1.25 |
|
ω |
Cies |
Входной пропускной способностью |
V СЕ =25V,f=100kHz, V GE =0В |
|
64.7 |
|
нФ |
Cres |
Обратная передача Пропускная способность |
|
1.88 |
|
нФ |
В. Г |
Сбор за вход |
V GE =-15…+15V |
|
5.38 |
|
μC |
t d (включено ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C=600А, Пруток Г =1.5Ω, LС =50nH , V GE =±15В,Т vj =25o C
|
|
314 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
105 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
527 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
151 |
|
nS |
Eвключено |
Включить Переключение Потеря |
|
63.7 |
|
mJ |
EвЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
53.3 |
|
mJ |
t d (включено ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C=600А, Пруток Г =1.5Ω, LС =50nH , V GE =±15В,Т vj =125o C
|
|
350 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
117 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
591 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
315 |
|
nS |
Eвключено |
Включить Переключение Потеря |
|
96.5 |
|
mJ |
EвЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
72.2 |
|
mJ |
t d (включено ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C=600А, Пруток Г =1.5Ω, LС =50nH , V GE =±15В,Т vj =150o C
|
|
359 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
120 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
604 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
328 |
|
nS |
Eвключено |
Включить Переключение Потеря |
|
105 |
|
mJ |
EвЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
75.6 |
|
mJ |
|
Я SC
|
Данные SC
|
t P≤10μs, V GE =15В,
T vj =150o C,V CC =800V, V СМК ≤ 1200 В
|
|
2400
|
|
A
|
Диод Характеристики T C=25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V F
|
Диод вперед Напряжение |
Я F =600А,В GE =0V,T vj =25o C |
|
1.65 |
2.10 |
V
|
Я F =600А,В GE =0V,T vj =125o C |
|
1.65 |
|
Я F =600А,В GE =0V,T vj =150o C |
|
1.60 |
|
В. пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток = 600 В,I F =600А,
-di/dt=5130A/μs, L С =50нГ, V GE =-15В, T vj =25o C
|
|
38.6 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
313 |
|
A |
Erec |
Обратное восстановление Энергия |
|
10.8 |
|
mJ |
В. пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток = 600 В,I F =600А,
-ди/дт=4440А/мкс, L С =50нГ, V GE =-15В, T vj =125o C
|
|
76.1 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
368 |
|
A |
Erec |
Обратное восстановление Энергия |
|
22.5 |
|
mJ |
В. пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток = 600 В,I F =600А,
-ди/дт=4240А/мкс, L С =50нГ, V GE =-15В, T vj =150o C
|
|
88.9 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
387 |
|
A |
Erec |
Обратное восстановление Энергия |
|
26.2 |
|
mJ |
МОДУЛЬ Характеристики T C=25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
LСЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
20 |
|
nH |
Пруток CC+EE |
Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу |
|
0.42 |
|
мОм |
Пруток thJC |
Переходный пункт —до —Корпус (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода) |
|
|
0.038 0.068 |
K/W |
|
Пруток thCH
|
Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок) |
|
0.031 0.056 0.010 |
|
K/W |
М |
Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
Н.М |
Г |
Вес из МОДУЛЬ |
|
320 |
|
г |
EN
