GD600HFX120C2SAD_B20, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

Временное напряжение затвора-эмиттера

±20 ±30

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C =100 о C

1096

600

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t р =1 мс

1200

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175 о C

3947

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

В

Я F

Диодная непрерывная прямая токовая способность вход

600

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t р =1 мс

1200

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т vjmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

4000

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =600А,В GE =15В, Т vj =25 о C

1.70

2.15

В

Я C =600А,В GE =15В, Т vj =125 о C

2.05

Я C =600А,В GE =15В, Т vj =150 о C

2.15

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =24.0 mA ,В СЕ = В GE , Т vj =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т vj =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т vj =25 о C

400

нД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

1.25

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25V,f=100kHz, В GE =0В

64.7

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

1.88

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15…+15V

5.38

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =600А, R G =1.5Ω, Л S =50 nH , В GE =±15В,Т vj =25 о C

314

nS

т r

Время нарастания

105

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

527

nS

т f

Время спада

151

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

63.7

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

53.3

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =600А, R G =1.5Ω, Л S =50 nH , В GE =±15В,Т vj =125 о C

350

nS

т r

Время нарастания

117

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

591

nS

т f

Время спада

315

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

96.5

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

72.2

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =600А, R G =1.5Ω, Л S =50 nH , В GE =±15В,Т vj =150 о C

359

nS

т r

Время нарастания

120

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

604

nS

т f

Время спада

328

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

105

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

75.6

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤10μs, В GE =15В,

Т vj =150 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

2400

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В F

Диод вперед Напряжение

Я F =600А,В GE =0V,T vj =2 5о C

1.65

2.10

В

Я F =600А,В GE =0V,T vj =125 о C

1.65

Я F =600А,В GE =0V,T vj =150 о C

1.60

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =600А,

-di/dt=5130A/μs, L S =50нГ, В GE =-15В, T vj =25 о C

38.6

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

313

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

10.8

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =600А,

-ди/дт=4440А/мкс, L S =50нГ, В GE =-15В, T vj =125 о C

76.1

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

368

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

22.5

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =600А,

-ди/дт=4240А/мкс, L S =50нГ, В GE =-15В, T vj =150 о C

88.9

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

387

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

26.2

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.42

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.038 0.068

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.031 0.056 0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

320

g