GD300HFX170C6S, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C = 100о C

493

300

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

600

A

P Г

Максимальное рассеивание мощности @ T =175 о C

1829

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1700

В

Я К

Диод непрерывно передний арендная плата

300

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

600

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Температура хранения Запас хода

-40 до +125

о C

В ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

4000

В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C = 300 А,В GE =15В, Т j =25 о C

1.85

2.20

В

Я C = 300 А,В GE =15В, Т j =125 о C

2.25

Я C = 300 А,В GE =15В, Т j =150 о C

2.35

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 12,0 мА,В СЕ =V GE , Т j =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т j =25 о C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

2.5

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

36.1

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.88

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15 ...+15В

2.83

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C = 300A, R Гон =3,3Ω,

R Гофф = 4,7Ω, В GE =±15В,

Т j =25 о C

213

nS

т r

Время нарастания

83

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

621

nS

т к

Время спада

350

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

79.2

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

70.2

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C = 300A, R Гон =3,3Ω,

R Гофф = 4,7Ω, В GE =±15В,

Т j = 125о C

240

nS

т r

Время нарастания

92

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

726

nS

т к

Время спада

649

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

104

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

108

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C = 300A, R Гон =3,3Ω, R Гофф = 4,7Ω,

В GE =±15В, Т j = 150о C

248

nS

т r

Время нарастания

95

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

736

nS

т к

Время спада

720

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

115

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

116

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤ 10 мкс,В GE =15В,

Т j =150 о C,V CC = 1000V, В СМК ≤1700V

1200

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В К

Диод вперед Напряжение

Я К = 300 А,В GE =0V,T j =25 о C

1.80

2.25

В

Я К = 300 А,В GE =0V,T j = 125о C

1.90

Я К = 300 А,В GE =0V,T j = 150о C

1.95

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К = 300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE = 15 В Т j =25 о C

82.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

407

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

46.6

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К = 300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE = 15 В Т j =125 о C

138

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

462

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

92.2

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К = 300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE = 15 В Т j =150 о C

154

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

460

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

109

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

δR/R

Отклонение из R 100

Т C = 100 о C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

1.10

мОм

R thJC

Соединение с делом (на IGB) T) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.082 0.129

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Корпус к радиатору (п ер диод) Корпус к радиатору (на Модуль)

0.029 0.046 0.009

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Н.М

G

Вес из Модуль

350

g