GD300HFX170C6S, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

О C

Коллекторный ток @ T C =25o C @ T C = 100o C

493

300

А

О CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

600

А

P D

Максимальное рассеивание мощности @ T =175o C

1829

Ш

Символ

Описание

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1700

V

О F

Диод непрерывно передний арендная плата

300

А

О ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

600

А

Символ

Описание

Значение

Единица

T jmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Температура хранения Дальность действия

-40 до +125

o C

V ISO

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

4000

V

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

О C = 300 А,В GE =15В, T j =25o C

1.85

2.20

V

О C = 300 А,В GE =15В, T j =125o C

2.25

О C = 300 А,В GE =15В, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

О C = 12,0 мА,В СЕ =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

О CES

Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

О ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

2.5

ω

C ies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В

36.1

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.88

нФ

Q G

Сбор за вход

V GE =-15 ...+15В

2.83

μC

t d (по )

Время задержки включения

V CC =900V,I C = 300A, Пруток Гон =3,3Ω,

Пруток Гофф = 4,7Ω, V GE =±15В,

T j =25o C

213

nS

t пруток

Время нарастания

83

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

621

nS

t f

Время спада

350

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

79.2

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

70.2

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC =900V,I C = 300A, Пруток Гон =3,3Ω,

Пруток Гофф = 4,7Ω, V GE =±15В,

T j = 125o C

240

nS

t пруток

Время нарастания

92

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

726

nS

t f

Время спада

649

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

104

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

108

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC =900V,I C = 300A, Пруток Гон =3,3Ω, Пруток Гофф = 4,7Ω,

V GE =±15В, T j = 150o C

248

nS

t пруток

Время нарастания

95

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

736

nS

t f

Время спада

720

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

115

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

116

mJ

О SC

Данные SC

t P ≤ 10 мкс,В GE =15В,

T j =150o C,V CC = 1000V, V СМК ≤1700V

1200

А

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

V F

Диод вперед Напряжение

О F = 300 А,В GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

О F = 300 А,В GE =0V,T j = 125o C

1.90

О F = 300 А,В GE =0V,T j = 150o C

1.95

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F = 300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE = 15 В T j =25o C

82.5

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

407

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

46.6

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F = 300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE = 15 В T j =125o C

138

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

462

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

92.2

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F = 300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE = 15 В T j =150o C

154

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

460

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

109

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Пруток 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

δR/R

Отклонение из Пруток 100

T C = 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

1.10

мОм

Пруток thJC

Соединение с делом (на IGB) T) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.082 0.129

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Корпус к радиатору (п ер диод) Корпус к радиатору (на Модуль)

0.029 0.046 0.009

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Н.М

G

Вес из Модуль

350

g