GD300HFX170C6S, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

Коллекторный ток @ T C=25o C@ T C= 100o C

493

300

A

Я См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

600

A

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T =175o C

1829

Ш

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1700

V

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

300

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

600

A

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T jmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Температура хранения Дальность действия

-40 до +125

o C

V ISO

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мИН

4000

V

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C= 300 А,В GE =15В, T j =25o C

1.85

2.20

V

Я C= 300 А,В GE =15В, T j =125o C

2.25

Я C= 300 А,В GE =15В, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C= 12,0 мА,В СЕ =V GE ,T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Я CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

2.5

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В

36.1

нФ

Cres

Обратная передача Пропускная способность

0.88

нФ

В. Г

Сбор за вход

V GE =-15 ...+15В

2.83

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C= 300A, Пруток Гон =3,3Ω,

Пруток Гофф = 4,7Ω, V GE =±15В,

T j =25o C

213

nS

t пруток

Время нарастания

83

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

621

nS

t f

Время спада

350

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

79.2

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

70.2

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C= 300A, Пруток Гон =3,3Ω,

Пруток Гофф = 4,7Ω, V GE =±15В,

T j = 125o C

240

nS

t пруток

Время нарастания

92

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

726

nS

t f

Время спада

649

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

104

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

108

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C= 300A, Пруток Гон =3,3Ω, Пруток Гофф = 4,7Ω,

V GE =±15В, T j = 150o C

248

nS

t пруток

Время нарастания

95

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

736

nS

t f

Время спада

720

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

115

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

116

mJ

Я SC

Данные SC

t P≤ 10 мкс,В GE =15В,

T j =150o C,V CC = 1000V, V СМК ≤1700V

1200

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

V F

Диод вперед Напряжение

Я F = 300 А,В GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

Я F = 300 А,В GE =0V,T j = 125o C

1.90

Я F = 300 А,В GE =0V,T j = 150o C

1.95

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F = 300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE = 15 В T j =25o C

82.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

407

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

46.6

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F = 300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE = 15 В T j =125o C

138

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

462

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

92.2

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F = 300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE = 15 В T j =150o C

154

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

460

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

109

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Пруток 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

δR/R

Отклонение из Пруток 100

T C= 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2— 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2— 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2— 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

1.10

мОм

Пруток thJC

Соединение с делом (на IGB) T) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.082 0.129

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Корпус к радиатору (п ер диод) Корпус к радиатору (на Модуль)

0.029 0.046 0.009

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Н.М

Г

Вес из МОДУЛЬ

350

г