GD100PIX120C6SNA, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C =100 о C

155

100

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

200

A

P Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C

511

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

В

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

100

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

200

A

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1600

В

Я О

Средний выходной ток 5 0Гц/60Гц, синусоида

100

A

Я ФСМ

Напряжение вперед t p = 10 мс @ T j = 25о C @ T j =150 о C

1150

880

A

Я 2т

Я 2t-значение,t p = 10 мс @ T j =25 о C @ T j =150 о C

6600

3850

A 2с

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C =100 о C

87

50

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

100

A

P Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C

308

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

В

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

25

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

50

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура соединения (инвертор, тормоз) Максимальная температура соединения (прямой ток)

175

150

о C

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

2500

В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =100A,V GE =15В, Т j =25 о C

1.70

2.15

В

Я C =100A,V GE =15В, Т j =125 о C

1.95

Я C =100A,V GE =15В, Т j =150 о C

2.00

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =4.00 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т j =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

7.5

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

10.4

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.29

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15 ...+15В

0.78

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =100A, R G =1.6Ω,V GE =±15В, Т j =25 о C

218

nS

т r

Время нарастания

35

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

287

nS

т к

Время спада

212

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

9.23

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

6.85

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =100A, R G =1.6Ω,V GE =±15В, Т j =125 о C

242

nS

т r

Время нарастания

41

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

352

nS

т к

Время спада

323

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

13.6

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

9.95

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =100A, R G =1.6Ω,V GE =±15В, Т j =150 о C

248

nS

т r

Время нарастания

43

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

365

nS

т к

Время спада

333

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

14.9

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

10.5

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤10μs, В GE =15В,

Т j =150 о C,V CC = 900 В, В СМК ≤ 1200 В

400

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я К =100A,V GE =0V,T j =25 о C

1.85

2.30

В

Я К =100A,V GE =0V,T j =1 25о C

1.90

Я К =100A,V GE =0V,T j =1 50о C

1.95

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =100A,

-di/dt=2500A/μс,V GE = 15 В Т j =25 о C

5.89

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

103

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

3.85

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =100A,

-di/dt=2100A/μс,V GE = 15 В Т j =125 о C

13.7

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

109

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

6.64

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =100A,

-di/dt=1950A/μс,V GE = 15 В Т j =150 о C

15.6

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

109

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

7.39

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я К =100A, Т j =150 о C

0.95

В

Я R

Обратный ток

Т j =150 о C,V R =1600В

2.0

mA

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =50A,V GE =15В, Т j =25 о C

1.70

2.15

В

Я C =50A,V GE =15В, Т j =125 о C

1.95

Я C =50A,V GE =15В, Т j =150 о C

2.00

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =2.00 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т j =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

0

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

5.18

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.15

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15 ...+15В

0.39

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =50A, R G =15Ω,V GE =±15В, Т j =25 о C

171

nS

т r

Время нарастания

32

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

340

nS

т к

Время спада

82

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

6.10

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

2.88

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =50A, R G =15Ω,V GE =±15В, Т j =125 о C

182

nS

т r

Время нарастания

43

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

443

nS

т к

Время спада

155

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

8.24

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

4.43

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =50A, R G =15Ω,V GE =±15В, Т j =150 о C

182

nS

т r

Время нарастания

43

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

464

nS

т к

Время спада

175

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

8.99

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

4.94

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤10μs, В GE =15В,

Т j =150 о C,V CC = 900 В, В СМК ≤ 1200 В

200

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я К = 25A,V GE =0V,T j =25 о C

1.85

2.30

В

Я К = 25A,V GE =0V,T j =125 о C

1.90

Я К = 25A,V GE =0V,T j =150 о C

1.95

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =25А,

-di/dt=900A/μс,V GE = 15 В Т j =25 о C

2.9

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

55

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

0.93

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =25А,

-di/dt=900A/μс,V GE = 15 В Т j =125 о C

5.1

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

58

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

1.72

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =25А,

-di/dt=900A/μс,V GE = 15 В Т j =150 о C

5.6

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

60

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

2.01

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из R 100

Т C =100 о C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

40

nH

R CC+EE R AA + CC ’

Модуль свинцового сопротивления nce, Терминал к чипу

4.00 3.00

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT -инвертор )

Соединение вывода с корпусом (на диод-инвертор )

Термическое сопротивление переход-корпус (на диод-прямой переводчик)

Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT -тормоз -измельчитель ) Соединение «коллектор-корпус» (на диод торможения) на

0.293 0.505 0.503 0.487 1.233

K/W

R thCH

Кейс -до -Радиатор (наIGBT -инвертор )

Корпус-к-радиатору (на диод-в )

Корпус-к-радиатору (на каждый диод- прямой)

Кейс -до -Радиатор (наIGBT -тормоз -измельчитель )Корпус-к-радиатору (на диод-тормоз- шоппер) Корпус к радиатору (на Модуль)

0.124 0.214 0.213 0.207 0.523 0.009

K/W

М

Крутящий момент установки, Винт:M5

3.0

6.0

Н.М

G

Вес из Модуль

300

g