1200В 150А, упаковка: C6
Краткое введение
Модуль IGBT ,произведенный STARPOWER . 1200V 100А.
Особенности
Типичные применения
Абсолютное Максимальное Рейтинги Т F =25 о C если только иначе отмечено
IGBT-инвертор
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
В CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
В |
В ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
В |
Я C |
Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C =100 о C |
155 100 |
A |
Я CM |
Импульсный ток коллектора t р =1 мс |
200 |
A |
Р Г |
Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C |
511 |
В |
DIODE-инвертор
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
В RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст |
1200 |
В |
Я F |
Диод Непрерывный прямой ток ренты |
100 |
A |
Я ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t р =1 мс |
200 |
A |
Диод-прямой ток
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
В RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст |
1600 |
В |
Я О |
Средний выходной ток 5 0Гц/60Гц, синусоида |
100 |
A |
Я ФСМ |
Напряжение вперед t р = 10 мс @ T j = 25о C @ T j =150 о C |
1150 880 |
A |
Я 2т |
Я 2t-значение,t р = 10 мс @ T j =25 о C @ T j =150 о C |
6600 3850 |
A 2с |
IGBT-тормоз
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
В CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
В |
В ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
В |
Я C |
Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C =100 о C |
87 50 |
A |
Я CM |
Импульсный ток коллектора t р =1 мс |
100 |
A |
Р Г |
Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C |
308 |
В |
Диод -тормоз
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
В RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст |
1200 |
В |
Я F |
Диод Непрерывный прямой ток ренты |
25 |
A |
Я ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t р =1 мс |
50 |
A |
Модуль
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
Т jmax |
Максимальная температура соединения (инвертор, тормоз) Максимальная температура соединения (прямой ток) |
175 150 |
о C |
Т - Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
о C |
Т СТГ |
Диапазон температур хранения |
-40 до +125 |
о C |
В ИСО |
Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min |
2500 |
В |
IGBT -инвертор Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
В CE (США) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение |
Я C =100A,V GE =15В, Т j =25 о C |
|
1.70 |
2.15 |
В |
Я C =100A,V GE =15В, Т j =125 о C |
|
1.95 |
|
|||
Я C =100A,V GE =15В, Т j =150 о C |
|
2.00 |
|
|||
В GE (т ) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
Я C =4.00 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
В |
Я CES |
Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток |
В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т j =25 о C |
|
|
1.0 |
mA |
Я ГЭС |
Утечка излучателя Ток |
В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C |
|
|
400 |
нД |
R Гинт |
Внутренний портал сопротивления ance |
|
|
7.5 |
|
ω |
C ies |
Входной пропускной способностью |
В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В |
|
10.4 |
|
нФ |
C res |
Обратная передача Пропускная способность |
|
0.29 |
|
нФ |
|
Q G |
Сбор за вход |
В GE =-15 ...+15В |
|
0.78 |
|
μC |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =100A, R G =1.6Ω,V GE =±15В, Т j =25 о C |
|
218 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
35 |
|
nS |
|
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
287 |
|
nS |
|
т f |
Время спада |
|
212 |
|
nS |
|
Е нА |
Включить Переключение Потеря |
|
9.23 |
|
mJ |
|
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
6.85 |
|
mJ |
|
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =100A, R G =1.6Ω,V GE =±15В, Т j =125 о C |
|
242 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
41 |
|
nS |
|
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
352 |
|
nS |
|
т f |
Время спада |
|
323 |
|
nS |
|
Е нА |
Включить Переключение Потеря |
|
13.6 |
|
mJ |
|
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
9.95 |
|
mJ |
|
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =100A, R G =1.6Ω,V GE =±15В, Т j =150 о C |
|
248 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
43 |
|
nS |
|
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
365 |
|
nS |
|
т f |
Время спада |
|
333 |
|
nS |
|
Е нА |
Включить Переключение Потеря |
|
14.9 |
|
mJ |
|
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
10.5 |
|
mJ |
|
Я SC |
Данные SC |
т Р ≤10μs, В GE =15В, Т j =150 о C,V CC = 900 В, В СМК ≤ 1200 В |
|
400 |
|
A |
Диод -инвертор Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
В F |
Диод вперед Напряжение |
Я F =100A,V GE =0V,T j =25 о C |
|
1.85 |
2.30 |
В |
Я F =100A,V GE =0V,T j =1 25о C |
|
1.90 |
|
|||
Я F =100A,V GE =0V,T j =1 50о C |
|
1.95 |
|
|||
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R = 600 В,I F =100A, -di/dt=2500A/μс,V GE = 15 В Т j =25 о C |
|
5.89 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
103 |
|
A |
|
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
3.85 |
|
mJ |
|
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R = 600 В,I F =100A, -di/dt=2100A/μс,V GE = 15 В Т j =125 о C |
|
13.7 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
109 |
|
A |
|
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
6.64 |
|
mJ |
|
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R = 600 В,I F =100A, -di/dt=1950A/μс,V GE = 15 В Т j =150 о C |
|
15.6 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
109 |
|
A |
|
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
7.39 |
|
mJ |
Диод -выпрямитель Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
В F |
Диод вперед Напряжение |
Я F =100A, Т j =150 о C |
|
0.95 |
|
В |
Я R |
Обратный ток |
Т j =150 о C,V R =1600В |
|
|
2.0 |
mA |
IGBT -тормоз Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
В CE (США) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение |
Я C =50A,V GE =15В, Т j =25 о C |
|
1.70 |
2.15 |
В |
Я C =50A,V GE =15В, Т j =125 о C |
|
1.95 |
|
|||
Я C =50A,V GE =15В, Т j =150 о C |
|
2.00 |
|
|||
В GE (т ) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
Я C =2.00 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
В |
Я CES |
Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток |
В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т j =25 о C |
|
|
1.0 |
mA |
Я ГЭС |
Утечка излучателя Ток |
В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C |
|
|
400 |
нД |
R Гинт |
Сопротивление внутреннего воротника |
|
|
0 |
|
ω |
C ies |
Входной пропускной способностью |
В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В |
|
5.18 |
|
нФ |
C res |
Обратная передача Пропускная способность |
|
0.15 |
|
нФ |
|
Q G |
Сбор за вход |
В GE =-15 ...+15В |
|
0.39 |
|
μC |
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =50A, R G =15Ω,V GE =±15В, Т j =25 о C |
|
171 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
32 |
|
nS |
|
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
340 |
|
nS |
|
т f |
Время спада |
|
82 |
|
nS |
|
Е нА |
Включить Переключение Потеря |
|
6.10 |
|
mJ |
|
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
2.88 |
|
mJ |
|
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =50A, R G =15Ω,V GE =±15В, Т j =125 о C |
|
182 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
43 |
|
nS |
|
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
443 |
|
nS |
|
т f |
Время спада |
|
155 |
|
nS |
|
Е нА |
Включить Переключение Потеря |
|
8.24 |
|
mJ |
|
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
4.43 |
|
mJ |
|
т г (нА ) |
Время задержки включения |
В CC = 600 В,I C =50A, R G =15Ω,V GE =±15В, Т j =150 о C |
|
182 |
|
nS |
т r |
Время нарастания |
|
43 |
|
nS |
|
т d(off) |
Выключение Время задержки |
|
464 |
|
nS |
|
т f |
Время спада |
|
175 |
|
nS |
|
Е нА |
Включить Переключение Потеря |
|
8.99 |
|
mJ |
|
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
4.94 |
|
mJ |
|
Я SC |
Данные SC |
т Р ≤10μs, В GE =15В, Т j =150 о C,V CC = 900 В, В СМК ≤ 1200 В |
|
200 |
|
A |
Диод -тормоз Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
В F |
Диод вперед Напряжение |
Я F = 25A,V GE =0V,T j =25 о C |
|
1.85 |
2.30 |
В |
Я F = 25A,V GE =0V,T j =125 о C |
|
1.90 |
|
|||
Я F = 25A,V GE =0V,T j =150 о C |
|
1.95 |
|
|||
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R = 600 В,I F =25А, -di/dt=900A/μс,V GE = 15 В Т j =25 о C |
|
2.9 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
55 |
|
A |
|
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
0.93 |
|
mJ |
|
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R = 600 В,I F =25А, -di/dt=900A/μс,V GE = 15 В Т j =125 о C |
|
5.1 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
58 |
|
A |
|
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
1.72 |
|
mJ |
|
Q r |
Восстановленная зарядка |
В R = 600 В,I F =25А, -di/dt=900A/μс,V GE = 15 В Т j =150 о C |
|
5.6 |
|
μC |
Я RM |
Пик обратный Ток восстановления |
|
60 |
|
A |
|
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
2.01 |
|
mJ |
НТЦ Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
R 25 |
Номинальное сопротивление |
|
|
5.0 |
|
кΩ |
∆R/R |
Отклонение из R 100 |
Т C =100 о C ,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
Р 25 |
Мощность Рассеяние |
|
|
|
20.0 |
мВт |
B 25/50 |
B-значение |
R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
К |
B 25/80 |
B-значение |
R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
К |
B 25/100 |
B-значение |
R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
К |
Модуль Характеристики Т C =25 о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
Л СЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
40 |
|
nH |
R CC+EE R AA + CC ’ |
Модуль свинцового сопротивления nce, Терминал к чипу |
|
4.00 3.00 |
|
мОм |
R thJC |
Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT -инвертор ) Соединение вывода с корпусом (на диод-инвертор ) Термическое сопротивление переход-корпус (на диод-прямой переводчик) Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT -тормоз -измельчитель ) Соединение «коллектор-корпус» (на диод торможения) на |
|
|
0.293 0.505 0.503 0.487 1.233 |
K/W |
R thCH |
Кейс -до -Радиатор (наIGBT -инвертор ) Корпус-к-радиатору (на диод-в ) Корпус-к-радиатору (на каждый диод- прямой) Кейс -до -Радиатор (наIGBT -тормоз -измельчитель )Корпус-к-радиатору (на диод-тормоз- шоппер) Корпус к радиатору (на Модуль) |
|
0.124 0.214 0.213 0.207 0.523 0.009 |
|
K/W |
М |
Крутящий момент установки, Винт:M5 |
3.0 |
|
6.0 |
Н.М |
G |
Вес из Модуль |
|
300 |
|
g |
Наша профессиональная команда продаж ожидает вашего обращения.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.