Краткое введение
Модуль IGBT ,произведенный STARPOWER .1200V 100А.
Особенности
- Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
- возможность короткого замыкания 10 мкм
- VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
-
Максимальная температура соединения 175 ℃
- Склад с низкой индуктивностью
- Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
- Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC
Типовые области применения
- Инвертор для привода мотора
- Усилитель сервоуправления AC и DC
- Источник бесперебойного питания
Абсолютное Максимальный Рейтинги T F =25о C если только иначе отмечено
IGBT-инвертор
Символ |
ОПИСАНИЕ |
Значение |
Единица |
V CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
V |
V ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
V |
И C |
Коллекторный ток @ T C=25о C @ T C=100о C |
155
100
|
А |
И См |
Импульсный ток коллектора t p =1 мс |
200 |
А |
PД |
Максимальное рассеивание мощности @ T j =175о C |
511 |
Ш |
DIODE-инвертор
Символ |
ОПИСАНИЕ |
Значение |
Единица |
V RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст |
1200 |
V |
И F |
Диод Непрерывный прямой ток ренты |
100 |
А |
И ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t p =1 мс |
200 |
А |
Диод-прямой ток
Символ |
ОПИСАНИЕ |
Значение |
Единица |
V RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст |
1600 |
V |
И О |
Средний выходной ток 5 0Гц/60Гц, синусоида |
100 |
А |
И ФСМ |
Напряжение вперед t p = 10 мс @ T j =25о C @ T j =150о C |
1150
880
|
А |
И 2t |
И 2t-значение,t p = 10 мс @ T j =25о C @ T j =150о C |
6600
3850
|
А 2с |
IGBT-тормоз
Символ |
ОПИСАНИЕ |
Значение |
Единица |
V CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
V |
V ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
V |
И C |
Коллекторный ток @ T C=25о C @ T C=100о C |
87
50
|
А |
И См |
Импульсный ток коллектора t p =1 мс |
100 |
А |
PД |
Максимальное рассеивание мощности @ T j =175о C |
308 |
Ш |
Диод —тормоз
Символ |
ОПИСАНИЕ |
Значение |
Единица |
V RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст |
1200 |
V |
И F |
Диод Непрерывный прямой ток ренты |
25 |
А |
И ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t p =1 мс |
50 |
А |
МОДУЛЬ
Символ |
ОПИСАНИЕ |
Значение |
Единица |
T jmax |
Максимальная температура соединения (инвертор, тормоз) Максимальная температура соединения (прямой ток) |
175
150
|
о C |
T - Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
о C |
T СТГ |
Диапазон температур хранения |
-40 до +125 |
о C |
V ISO |
Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min |
2500 |
V |
IGBT —инвертор Характеристики T C=25о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V CE (США)
|
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение
|
И C=100A,V GE =15В, T j =25о C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
И C=100A,V GE =15В, T j =125о C |
|
1.95 |
|
И C=100A,V GE =15В, T j =150о C |
|
2.00 |
|
V GE (th) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
И C=4.00mA ,V СЕ =V GE , T j =25о C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
И CES |
Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий |
V СЕ =V CES ,V GE =0V, T j =25о C |
|
|
1.0 |
mA |
И ГЭС |
Утечка излучателя Текущий |
V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25о C |
|
|
400 |
нД |
Пруток Гинт |
Внутренний портал сопротивления ance |
|
|
7.5 |
|
ω |
Cies |
Входной пропускной способностью |
V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В |
|
10.4 |
|
нФ |
Cres |
Обратная передача Пропускная способность |
|
0.29 |
|
нФ |
В Г |
Сбор за вход |
V GE =-15 ...+15В |
|
0.78 |
|
μC |
t д (включено ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C=100A, Пруток Г =1.6Ω,V GE =±15В, T j =25о C
|
|
218 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
35 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
287 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
212 |
|
nS |
Eвключено |
Включить Переключение Потеря |
|
9.23 |
|
mJ |
EвЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
6.85 |
|
mJ |
t д (включено ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C=100A, Пруток Г =1.6Ω,V GE =±15В, T j =125о C
|
|
242 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
41 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
352 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
323 |
|
nS |
Eвключено |
Включить Переключение Потеря |
|
13.6 |
|
mJ |
EвЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
9.95 |
|
mJ |
t д (включено ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C=100A, Пруток Г =1.6Ω,V GE =±15В, T j =150о C
|
|
248 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
43 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
365 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
333 |
|
nS |
Eвключено |
Включить Переключение Потеря |
|
14.9 |
|
mJ |
EвЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
10.5 |
|
mJ |
|
И SC
|
Данные SC
|
t P≤10μs, V GE =15В,
T j =150о C,V CC = 900 В, V СМК ≤ 1200 В
|
|
400
|
|
А
|
Диод —инвертор Характеристики T C=25о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V F
|
Диод вперед Напряжение |
И F =100A,V GE =0V,T j =25о C |
|
1.85 |
2.30 |
V
|
И F =100A,V GE =0V,T j =125о C |
|
1.90 |
|
И F =100A,V GE =0V,T j =150о C |
|
1.95 |
|
В пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток = 600 В,I F =100A,
-di/dt=2500A/μс,V GE = 15 В T j =25о C
|
|
5.89 |
|
μC |
И RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
103 |
|
А |
Erec |
Обратное восстановление Энергия |
|
3.85 |
|
mJ |
В пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток = 600 В,I F =100A,
-di/dt=2100A/μс,V GE = 15 В T j =125о C
|
|
13.7 |
|
μC |
И RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
109 |
|
А |
Erec |
Обратное восстановление Энергия |
|
6.64 |
|
mJ |
В пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток = 600 В,I F =100A,
-di/dt=1950A/μс,V GE = 15 В T j =150о C
|
|
15.6 |
|
μC |
И RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
109 |
|
А |
Erec |
Обратное восстановление Энергия |
|
7.39 |
|
mJ |
Диод —выпрямитель Характеристики T C=25о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
V F |
Диод вперед Напряжение |
И F =100A, T j =150о C |
|
0.95 |
|
V |
И Пруток |
Обратный ток |
T j =150о C,V Пруток =1600В |
|
|
2.0 |
mA |
IGBT —тормоз Характеристики T C=25о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V CE (США)
|
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение
|
И C=50A,V GE =15В, T j =25о C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
И C=50A,V GE =15В, T j =125о C |
|
1.95 |
|
И C=50A,V GE =15В, T j =150о C |
|
2.00 |
|
V GE (th) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
И C=2.00mA ,V СЕ =V GE , T j =25о C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
И CES |
Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий |
V СЕ =V CES ,V GE =0V, T j =25о C |
|
|
1.0 |
mA |
И ГЭС |
Утечка излучателя Текущий |
V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25о C |
|
|
400 |
нД |
Пруток Гинт |
Сопротивление внутреннего воротника |
|
|
0 |
|
ω |
Cies |
Входной пропускной способностью |
V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В |
|
5.18 |
|
нФ |
Cres |
Обратная передача Пропускная способность |
|
0.15 |
|
нФ |
В Г |
Сбор за вход |
V GE =-15 ...+15В |
|
0.39 |
|
μC |
t д (включено ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C=50A, Пруток Г =15Ω,V GE =±15В, T j =25о C
|
|
171 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
32 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
340 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
82 |
|
nS |
Eвключено |
Включить Переключение Потеря |
|
6.10 |
|
mJ |
EвЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
2.88 |
|
mJ |
t д (включено ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C=50A, Пруток Г =15Ω,V GE =±15В, T j =125о C
|
|
182 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
43 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
443 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
155 |
|
nS |
Eвключено |
Включить Переключение Потеря |
|
8.24 |
|
mJ |
EвЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
4.43 |
|
mJ |
t д (включено ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C=50A, Пруток Г =15Ω,V GE =±15В, T j =150о C
|
|
182 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
43 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
464 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
175 |
|
nS |
Eвключено |
Включить Переключение Потеря |
|
8.99 |
|
mJ |
EвЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель Потеря |
|
4.94 |
|
mJ |
|
И SC
|
Данные SC
|
t P≤10μs, V GE =15В,
T j =150о C,V CC = 900 В, V СМК ≤ 1200 В
|
|
200
|
|
А
|
Диод —тормоз Характеристики T C=25о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V F
|
Диод вперед Напряжение |
И F = 25A,V GE =0V,T j =25о C |
|
1.85 |
2.30 |
V
|
И F = 25A,V GE =0V,T j =125о C |
|
1.90 |
|
И F = 25A,V GE =0V,T j =150о C |
|
1.95 |
|
В пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток = 600 В,I F =25А,
-di/dt=900A/μс,V GE = 15 В T j =25о C
|
|
2.9 |
|
μC |
И RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
55 |
|
А |
Erec |
Обратное восстановление Энергия |
|
0.93 |
|
mJ |
В пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток = 600 В,I F =25А,
-di/dt=900A/μс,V GE = 15 В T j =125о C
|
|
5.1 |
|
μC |
И RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
58 |
|
А |
Erec |
Обратное восстановление Энергия |
|
1.72 |
|
mJ |
В пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток = 600 В,I F =25А,
-di/dt=900A/μс,V GE = 15 В T j =150о C
|
|
5.6 |
|
μC |
И RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
60 |
|
А |
Erec |
Обратное восстановление Энергия |
|
2.01 |
|
mJ |
НТЦ Характеристики T C=25о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
Пруток 25 |
Номинальное сопротивление |
|
|
5.0 |
|
кΩ |
∆R/R |
Отклонение из Пруток 100 |
T C=100 о C,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Мощность
Рассеяние
|
|
|
|
20.0 |
мВт |
B 25/50 |
B-значение |
Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2— 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
К |
B 25/80 |
B-значение |
Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2— 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
К |
B 25/100 |
B-значение |
Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2— 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
К |
МОДУЛЬ Характеристики T C=25о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
LСЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
40 |
|
nH |
Пруток CC+EE Пруток AA ’+CC ’ |
Модуль свинцового сопротивления nce, Терминал к чипу |
|
4.00 3.00 |
|
мОм |
|
Пруток thJC
|
Переходный пункт —до —Корпус (наIGBT —инвертор )
Соединение вывода с корпусом (на диод-инвертор )
Термическое сопротивление переход-корпус (на диод-прямой переводчик)
Переходный пункт —до —Корпус (наIGBT —тормоз —измельчитель ) Соединение «коллектор-корпус» (на диод торможения) на
|
|
|
0.293 0.505 0.503 0.487 1.233 |
K/W
|
|
Пруток thCH
|
Корпус —до —Радиатор (наIGBT —инвертор )
Корпус-к-радиатору (на диод-в )
Корпус-к-радиатору (на каждый диод- прямой)
Корпус —до —Радиатор (наIGBT —тормоз —измельчитель )Корпус-к-радиатору (на диод-тормоз- шоппер) Корпус к радиатору (на Модуль)
|
|
0.124 0.214 0.213 0.207 0.523 0.009 |
|
K/W
|
М |
Крутящий момент установки, Винт:M5 |
3.0 |
|
6.0 |
Н.М |
Г |
Вес из МОДУЛЬ |
|
300 |
|
г |
EN
