GD400CLX120C2S, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C =100 о C

636

400

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

800

A

P Г

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175 о C

2083

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

В

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

400

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

800

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т vjmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

2500

В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =400A,V GE =15В, Т vj =25 о C

1.75

2.20

В

Я C =400A,V GE =15В, Т vj =125 о C

2.00

Я C =400A,V GE =15В, Т vj =150 о C

2.05

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =14.4 mA ,В СЕ = В GE , Т vj =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т vj =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т vj =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.5

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

37.3

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

1.04

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15 ...+15В

2.80

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =400A, R G =2.0Ω, L С =50нГн , В GE =±15В, T vj =25 о C

223

nS

т r

Время нарастания

49

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

334

nS

т к

Время спада

190

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

17.9

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

28.7

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =400A, R G =2.0Ω, L С =50нГн , В GE =±15В, T vj =125 о C

230

nS

т r

Время нарастания

54

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

385

nS

т к

Время спада

300

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

29.4

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

41.2

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =400A, R G =2.0Ω, L С =50нГн , В GE =±15В, T vj =150 о C

228

nS

т r

Время нарастания

57

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

393

nS

т к

Время спада

315

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

32.3

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

42.9

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤10μs, В GE =15В,

Т vj =150 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

1600

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я К =400A,V GE =0V,T vj =2 5о C

1.85

2.30

В

Я К =400A,V GE =0V,T vj =125 о C

1.90

Я К =400A,V GE =0V,T vj =150 о C

1.95

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =400A,

-di/dt=8030A/мкс, L С =50нГн, V GE = 15 В, Т vj =25 о C

33.6

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

374

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

13.6

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =400A,

-di/dt=7030A/мкс, L С =50нГн, V GE = 15 В, Т vj =125 о C

67.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

446

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

28.2

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =400A,

-di/dt=6880A/μс, L С =50нГн, V GE = 15 В, Т vj =150 о C

75.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

452

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

31.4

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.35

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT ) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.072 0.113

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М) (отрывок)

0.023 0.036 0.010

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Шуруп M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Вес из Модуль

300

g