GD200HFY120C8SN, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C

@ T C = 100о C

400

200

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

400

A

P Г

Максимальное рассеивание мощности @ T =175 о C

1578

В

Символ

Описание

Ценности

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

В

Я К

Диод непрерывно передний арендная плата

200

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

400

A

Символ

Описание

Ценности

Единица

Т jmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Температура хранения Запас хода

-40 до +125

о C

В ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =200A,В GE =15В, Т j =25 о C

1.70

2.15

В

Я C =200A,В GE =15В, Т j =125 о C

1.95

Я C =200A,В GE =15В, Т j =150 о C

2.00

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =5.0 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

5.2

6.0

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V,

Т j =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

3.8

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц,

В GE =0В

20.7

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.58

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =- 15…+15В

1.55

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =200A, R G = 1. 1Ω, В GE =±15В, Т j =25 о C

150

nS

т r

Время нарастания

32

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

330

nS

т к

Время спада

93

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

11.2

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

11.3

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =200A, R G = 1. 1Ω, В GE =±15В, Т j = 125о C

161

nS

т r

Время нарастания

37

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

412

nS

т к

Время спада

165

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

19.8

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

17.0

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =200A, R G = 1. 1Ω, В GE =±15В, Т j = 150о C

161

nS

т r

Время нарастания

43

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

433

nS

т к

Время спада

185

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

21.9

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

19.1

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤ 10 мкс,В GE =15В,

Т j =150 о C,V CC = 900 В, В СМК ≤ 1200 В

800

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В К

Диод вперед

Напряжение

Я К =200A,В GE =0V,T j =25 о C

1.65

2.10

В

Я К =200A,В GE =0V,T j = 125о C

1.65

Я К =200A,В GE =0V,T j = 150о C

1.65

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15В Т j =25 о C

17.6

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

228

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

7.7

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15В Т j =125 о C

31.8

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

238

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

13.8

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15В Т j =150 о C

36.6

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

247

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

15.2

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

22

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.65

мОм

R thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на D) йода)

0.095

0.161

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.146

0.248

0.046

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Винт M5

2.5

2.5

3.5

3.5

Н.М

G

Вес из Модуль

200

g