GD450HFX170C6S, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

О C

Коллекторный ток @ T C =25o C

@ T C = 100o C

706

450

А

О CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

900

А

P D

Максимальное рассеивание мощности @ T =175o C

2542

Ш

Символ

Описание

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1700

V

О F

Диод непрерывно передний арендная плата

450

А

О ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

900

А

Символ

Описание

Значение

Единица

T jmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Температура хранения Дальность действия

-40 до +125

o C

V ISO

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

4000

V

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

О C =450A,V GE =15В, T j =25o C

1.85

2.20

V

О C =450A,V GE =15В, T j =125o C

2.25

О C =450A,V GE =15В, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

О C = 18,0 мА,В СЕ =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

О CES

Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

О ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.67

ω

C ies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц,

V GE =0В

54.2

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.32

нФ

Q G

Сбор за вход

V GE =- 15…+15В

4.24

μC

t d (по )

Время задержки включения

V CC =900V,I C =450A, Пруток G =3.3Ω,V GE =±15В, T j =25o C

179

nS

t пруток

Время нарастания

105

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

680

nS

t f

Время спада

375

nS

Е по

Включить Переключение

Потеря

116

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

113

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC =900V,I C =450A, Пруток G =3.3Ω,V GE =±15В, T j = 125o C

208

nS

t пруток

Время нарастания

120

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

784

nS

t f

Время спада

613

nS

Е по

Включить Переключение

Потеря

152

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

171

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC =900V,I C =450A, Пруток G =3.3Ω,V GE =±15В, T j = 150o C

208

nS

t пруток

Время нарастания

120

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

800

nS

t f

Время спада

720

nS

Е по

Включить Переключение

Потеря

167

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

179

mJ

О SC

Данные SC

t P ≤ 10 мкс,В GE =15В,

T j =150o C,V CC = 1000V, V СМК ≤1700V

1800

А

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед

Напряжение

О F =450A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

О F =450A,V GE =0V,T j = 125o C

1.95

О F =450A,V GE =0V,T j = 150o C

1.90

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE =- 15В T j =25o C

105

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

198

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

69.0

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE =- 15В T j = 125o C

187

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

578

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

129

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE =- 15В T j = 150o C

209

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

585

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

150

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Пруток 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

δR/R

Отклонение из Пруток 100

T C = 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

1.10

мОм

Пруток thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.059

0.083

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.031

0.043

0.009

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0

3.0

6.0

6.0

Н.М

G

Вес из Модуль

350

g