GD450HFX170C6S, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

Коллекторный ток @ T C=25o C

@ T C= 100o C

706

450

A

Я См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

900

A

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T =175o C

2542

Ш

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1700

V

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

450

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

900

A

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T jmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Температура хранения Дальность действия

-40 до +125

o C

V ISO

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мИН

4000

V

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C=450A,V GE =15В, T j =25o C

1.85

2.20

V

Я C=450A,V GE =15В, T j =125o C

2.25

Я C=450A,V GE =15В, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C= 18,0 мА,В СЕ =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Я CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.67

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц,

V GE =0В

54.2

нФ

Cres

Обратная передача

Пропускная способность

1.32

нФ

В. Г

Сбор за вход

V GE =- 15…+15В

4.24

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C=450A, Пруток Г =3.3Ω,V GE =±15В, T j =25o C

179

nS

t пруток

Время нарастания

105

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

680

nS

t f

Время спада

375

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

116

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

113

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C=450A, Пруток Г =3.3Ω,V GE =±15В, T j = 125o C

208

nS

t пруток

Время нарастания

120

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

784

nS

t f

Время спада

613

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

152

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

171

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C=450A, Пруток Г =3.3Ω,V GE =±15В, T j = 150o C

208

nS

t пруток

Время нарастания

120

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

800

nS

t f

Время спада

720

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

167

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

179

mJ

Я SC

Данные SC

t P≤ 10 мкс,В GE =15В,

T j =150o C,V CC = 1000V, V СМК ≤1700V

1800

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед

Напряжение

Я F =450A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

Я F =450A,V GE =0V,T j = 125o C

1.95

Я F =450A,V GE =0V,T j = 150o C

1.90

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE =- 15В T j =25o C

105

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

198

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

69.0

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE =- 15В T j = 125o C

187

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

578

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

129

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток =900V,I F =450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE =- 15В T j = 150o C

209

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

585

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

150

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Пруток 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

δR/R

Отклонение из Пруток 100

T C= 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2—

1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2—

1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2—

1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

1.10

мОм

Пруток thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.059

0.083

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.031

0.043

0.009

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0

3.0

6.0

6.0

Н.М

Г

Вес из МОДУЛЬ

350

г