GD450HFX170C6S, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C

@ T C = 100о C

706

450

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

900

A

P Г

Максимальное рассеивание мощности @ T =175 о C

2542

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1700

В

Я К

Диод непрерывно передний арендная плата

450

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

900

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Температура хранения Запас хода

-40 до +125

о C

В ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

4000

В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =450A,V GE =15В, Т j =25 о C

1.85

2.20

В

Я C =450A,V GE =15В, Т j =125 о C

2.25

Я C =450A,V GE =15В, Т j =150 о C

2.35

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 18,0 мА,В СЕ =V GE , T j =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V,

Т j =25 о C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

1.67

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц,

В GE =0В

54.2

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

1.32

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =- 15…+15В

4.24

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =450A, R G =3.3Ω,V GE =±15В, Т j =25 о C

179

nS

т r

Время нарастания

105

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

680

nS

т к

Время спада

375

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

116

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

113

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =450A, R G =3.3Ω,V GE =±15В, Т j = 125о C

208

nS

т r

Время нарастания

120

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

784

nS

т к

Время спада

613

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

152

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

171

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =450A, R G =3.3Ω,V GE =±15В, Т j = 150о C

208

nS

т r

Время нарастания

120

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

800

nS

т к

Время спада

720

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

167

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

179

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤ 10 мкс,В GE =15В,

Т j =150 о C,V CC = 1000V, В СМК ≤1700V

1800

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед

Напряжение

Я К =450A,V GE =0V,T j =25 о C

1.80

2.25

В

Я К =450A,V GE =0V,T j = 125о C

1.95

Я К =450A,V GE =0V,T j = 150о C

1.90

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К =450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE =- 15В Т j =25 о C

105

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

198

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

69.0

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К =450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE =- 15В Т j = 125о C

187

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

578

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

129

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R =900V,I К =450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE =- 15В Т j = 150о C

209

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

585

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

150

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

δR/R

Отклонение из R 100

Т C = 100 о C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

1.10

мОм

R thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.059

0.083

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (п ер диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.031

0.043

0.009

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0

3.0

6.0

6.0

Н.М

G

Вес из Модуль

350

g