GD900HFA120C6S, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =90 о C

900

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t р =1 мс

1800

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C

3409

В

Символ

Описание

Ценности

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

В

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

900

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t р =1 мс

1800

A

Я ФСМ

Напряжение вперед t р = 10 мс @ Т j =25 о C @ T j =150 о C

4100

3000

A

Я 2т

Я 2t-значение,t р = 10 мс @ T j =25 о C

@ T j =150 о C

84000

45000

A 2s

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

2500

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C =900A,V GE =15В, Т j =25 о C

1.40

1.85

В

Я C =900A,V GE =15В, Т j =125 о C

1.60

Я C =900A,V GE =15В, Т j =175 о C

1.65

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =24.0 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

5.5

6.3

7.0

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V,

Т j =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

0.5

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25V,f=100kHz, В GE =0В

51.5

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.36

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =- 15…+15В

13.6

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =900A, R G =0.51Ω, L S =40nH, В GE =-8V/+15V,

Т j =25 о C

330

nS

т r

Время нарастания

140

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

842

nS

т f

Время спада

84

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

144

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

87.8

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =900A, R G =0.51Ω, L S =40nH, В GE =-8V/+15V,

Т j =125 о C

373

nS

т r

Время нарастания

155

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

915

nS

т f

Время спада

135

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

186

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

104

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =900A, R G =0.51Ω, L S =40nH, В GE =-8V/+15V,

Т j =175 о C

390

nS

т r

Время нарастания

172

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

950

nS

т f

Время спада

162

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

209

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

114

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤8μs,V GE =15В,

Т j =150 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200В

3200

A

т Р ≤6μs,V GE =15В,

Т j =175 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200В

3000

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В F

Диод вперед

Напряжение

Я F =900A,V GE =0V,T j =25 о C

1.55

2.00

В

Я F =900A,V GE =0V,T j =1 25о C

1.65

Я F =900A,V GE =0V,T j =1 75о C

1.55

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V, Л S =40 nH ,Т j =25 о C

91.0

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

441

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

26.3

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V GE =-8V, Л S =40 nH ,Т j =125 о C

141

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

493

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

42.5

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V GE =-8V, Л S =40 nH ,Т j =175 о C

174

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

536

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

52.4

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из R 100

Т C =100 о C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

Р 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.80

мОм

R thJC

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на Di) (оде)

0.044

0.076

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод)

Корпус к радиатору (на Модуль)

0.028

0.049

0.009

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0

3.0

6.0

6.0

Н.М

G

Вес из Модуль

350

g