Краткое введение
Модуль IGBT , произведенный компанией STARPOWER. 1200В 900А.
Особенности
- Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
- Возможности короткого замыкания
- VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
-
Максимальный температура соединения 175oC
- Склад с низкой индуктивностью
- Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
- Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC
Типичный Области применения
-
Гибридный и электрический v автомобиль
-
Инвертор для привода мотора
-
Бесперебойное питание пруток поставка
Абсолютное Максимальный Рейтинги T C=25о C если только иначе отмечено
IGBT
Символ |
ОПИСАНИЕ |
Ценности |
Единица |
V CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
V |
V ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
V |
И C |
Коллекторный ток @ T C=90о C |
900 |
А |
И См |
Импульсный ток коллектора t p =1 мс |
1800 |
А |
PД |
Максимальное рассеивание мощности @ T j =175о C |
3409 |
Ш |
Диод
Символ |
ОПИСАНИЕ |
Ценности |
Единица |
V RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст |
1200 |
V |
И F |
Диод непрерывно передний арендная плата |
900 |
А |
И ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t p =1 мс |
1800 |
А |
И ФСМ |
Напряжение вперед t p = 10 мс @ T j =25о C @ T j =150о C |
4100
3000
|
А |
И 2t |
И 2t-значение,t p = 10 мс @ T j =25о C
@ T j =150о C
|
84000
45000
|
А 2с |
МОДУЛЬ
Символ |
ОПИСАНИЕ |
Значение |
Единица |
T jmax |
Максимальная температура стыка |
175 |
о C |
T - Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +150 |
о C |
T СТГ |
Диапазон температур хранения |
-40 до +125 |
о C |
V ISO |
Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min |
2500 |
V |
IGBT Характеристики T C=25о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V CE (США)
|
Сборщик - эмитент
Насыщенное напряжение
|
И C=900A,V GE =15В, T j =25о C |
|
1.40 |
1.85 |
V
|
И C=900A,V GE =15В, T j =125о C |
|
1.60 |
|
И C=900A,V GE =15В, T j =175о C |
|
1.65 |
|
V GE (th) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
И C=24.0mA ,V СЕ =V GE , T j =25о C |
5.5 |
6.3 |
7.0 |
V |
И CES |
Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ
Текущий
|
V СЕ =V CES ,V GE =0V,
T j =25о C
|
|
|
1.0 |
mA |
И ГЭС |
Утечка излучателя Текущий |
V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25о C |
|
|
400 |
нД |
Пруток Гинт |
Внутренний портал сопротивления ance |
|
|
0.5 |
|
ω |
Cies |
Входной пропускной способностью |
V СЕ =25V,f=100kHz, V GE =0В |
|
51.5 |
|
нФ |
Cres |
Обратная передача
Пропускная способность
|
|
0.36 |
|
нФ |
В Г |
Сбор за вход |
V GE =- 15…+15В |
|
13.6 |
|
μC |
t д (включено ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C=900A, Пруток Г =0.51Ω, L С =40nH, V GE =-8V/+15V,
T j =25о C
|
|
330 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
140 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
842 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
84 |
|
nS |
Eвключено |
Включить Переключение
Потеря
|
|
144 |
|
mJ |
EвЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
87.8 |
|
mJ |
t д (включено ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C=900A, Пруток Г =0.51Ω, L С =40nH, V GE =-8V/+15V,
T j =125о C
|
|
373 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
155 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
915 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
135 |
|
nS |
Eвключено |
Включить Переключение
Потеря
|
|
186 |
|
mJ |
EвЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
104 |
|
mJ |
t д (включено ) |
Время задержки включения |
V CC = 600 В,I C=900A, Пруток Г =0.51Ω, L С =40nH, V GE =-8V/+15V,
T j =175о C
|
|
390 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
172 |
|
nS |
t d(off) |
Выключение Время задержки |
|
950 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
162 |
|
nS |
Eвключено |
Включить Переключение
Потеря
|
|
209 |
|
mJ |
EвЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
114 |
|
mJ |
|
И SC
|
Данные SC
|
t P≤8μs,V GE =15В,
T j =150о C,V CC =800V, V СМК ≤1200В
|
|
3200
|
|
А
|
|
t P≤6μs,V GE =15В,
T j =175о C,V CC =800V, V СМК ≤1200В
|
|
3000
|
|
А
|
Диод Характеристики T C=25о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единицы |
|
V F
|
Диод вперед
Напряжение
|
И F =900A,V GE =0V,T j =25о C |
|
1.55 |
2.00 |
V
|
И F =900A,V GE =0V,T j =125о C |
|
1.65 |
|
И F =900A,V GE =0V,T j =175о C |
|
1.55 |
|
В пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток = 600 В,I F =900A,
-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V, LС =40nH ,T j =25о C
|
|
91.0 |
|
μC |
И RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
441 |
|
А |
Erec |
Обратное восстановление Энергия |
|
26.3 |
|
mJ |
В пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток = 600 В,I F =900A,
-di/dt=4440A/μs,V GE =-8V, LС =40nH ,T j =125о C
|
|
141 |
|
μC |
И RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
493 |
|
А |
Erec |
Обратное восстановление Энергия |
|
42.5 |
|
mJ |
В пруток |
Восстановленная зарядка |
V Пруток = 600 В,I F =900A,
-di/dt=4160A/μs,V GE =-8V, LС =40nH ,T j =175о C
|
|
174 |
|
μC |
И RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
536 |
|
А |
Erec |
Обратное восстановление Энергия |
|
52.4 |
|
mJ |
НТЦ Характеристики T C=25о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
Пруток 25 |
Номинальное сопротивление |
|
|
5.0 |
|
кΩ |
∆R/R |
Отклонение из Пруток 100 |
T C=100 о C,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Мощность
Рассеяние
|
|
|
|
20.0 |
мВт |
B 25/50 |
B-значение |
Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2—
1/(298.15K))]
|
|
3375 |
|
К |
B 25/80 |
B-значение |
Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2—
1/(298.15K))]
|
|
3411 |
|
К |
B 25/100 |
B-значение |
Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2—
1/(298.15K))]
|
|
3433 |
|
К |
МОДУЛЬ Характеристики T C=25о C если только иначе отмечено
Символ |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
LСЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
20 |
|
nH |
Пруток CC+EE |
Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу |
|
0.80 |
|
мОм |
Пруток thJC |
Соединение с делом (на IGB) T)
Соединение с корпусом (на Di) (оде)
|
|
|
0.044
0.076
|
K/W |
|
Пруток thCH
|
Корпус к радиатору (на IGBT)
Кассе-на-теплоотводы (pe) r Диод)
Корпус к радиатору (на Модуль)
|
|
0.028
0.049
0.009
|
|
K/W |
М |
Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5 |
3.0
3.0
|
|
6.0
6.0
|
Н.М |
Г |
Вес из МОДУЛЬ |
|
350 |
|
г |
EN
