Все категории
Получить коммерческое предложение

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

IGBT Дискретный

IGBT Дискретный

Домашняя страница /  Продукция /  Элемент IGBT

DG120X07T2, IGBT дискретный, STARPOWER

1200В,120А

Brand:
STARPOWER
Spu:
DG120X07T2
  • Введение
Введение

Доброе напоминание. :F или более IGBT дискретные, пожалуйста, отправьте электронное письмо.

Особенности

  • Низкая VCE(sat) Технология IGBT с канавкой
  • Низкие потери при переключении
  • Максимальная температура соединения 175oC
  • VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
  • Быстрое и мягкое обратное восстановление антипараллельное FWD
  • Оловобезопасный пакет

Типичный Области применения

  • Инвертор для привода мотора
  • Усилитель сервоуправления AC и DC
  • Источник бесперебойного питания

Абсолютное Максимальный Рейтинги T C =25o C если только иначе отмечено

IGBT

Символ

Описание

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

650

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

О C

Коллекторный ток @ T C =25o C @ T C =135o C

240

120

А

О CM

Импульсный Коллектор Текущий t p ограниченный от T jmax

360

А

P D

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175o C

893

Ш

Диод

Символ

Описание

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

650

V

О F

Диод Непрерывный Прямой Ток @ T C =25o C @ T C =80o C

177

120

А

О ЧМ

Диод Максимальный Прямой Текущий t p ограниченный от T jmax

360

А

Дискретно

Символ

Описание

Ценности

Единица

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +175

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-55 до +150

o C

T S

Температура пайки,1.6mm f rom case for 10с

260

o C

IGBT Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

О C =120A,V GE =15В, T j =25o C

1.40

1.85

V

О C =120A,V GE =15В, T j =150o C

1.70

О C =120A,V GE =15В, T j =175o C

1.75

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

О C =1.92mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C

5.1

5.8

6.5

V

О CES

Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

250

uA

О ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

200

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

/

ω

C ies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25V,f=100kHz, V GE =0В

14.1

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.42

нФ

Q G

Сбор за вход

V GE =-15 ...+15В

0.86

uC

t d (по )

Время задержки включения

V CC =300V,I C =120A, Пруток G =7.5Ω,

V GE =±15В, Л S =40nH ,T j =25o C

68

nS

t пруток

Время нарастания

201

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

166

nS

t f

Время спада

54

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

7.19

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

2.56

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC =300V,I C =120A, Пруток G =7.5Ω,

V GE =±15В, Л S =40nH ,T j =150o C

70

nS

t пруток

Время нарастания

207

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

186

nS

t f

Время спада

106

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

7.70

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

2.89

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC =300V,I C =120A, Пруток G =7.5Ω,

V GE =±15В, Л S =40nH ,T j =175o C

71

nS

t пруток

Время нарастания

211

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

195

nS

t f

Время спада

139

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

7.80

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

2.98

mJ

О SC

Данные SC

t P ≤6μs, V GE =15В,

T j =150 o C,V CC = 300 В, V СМК ≤650V

600

А

Диод Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

О F =120A,V GE =0V,T j =25o C

1.65

2.10

V

О F =120A,V GE =0V,T j =150o C

1.60

О F =120A,V GE =0V,T j =175o C

1.60

t рР

Обратный диод Время восстановления

V Пруток =300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE = 15 В Л S =40nH ,T j =25o C

184

nS

Q пруток

Восстановленная зарядка

1.65

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

17.2

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

0.23

mJ

t рР

Обратный диод Время восстановления

V Пруток =300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE = 15 В Л S =40nH ,T j =150o C

221

nS

Q пруток

Восстановленная зарядка

3.24

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

23.1

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

0.53

mJ

t рР

Обратный диод Время восстановления

V Пруток =300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE = 15 В Л S =40nH ,T j =175o C

246

nS

Q пруток

Восстановленная зарядка

3.98

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

26.8

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

0.64

mJ

Дискретно Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Пруток thJC

Соединение с делом (на IGB) T) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.168 0.369

K/W

Пруток тГА

Соединение с окружающей средой

40

K/W

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

Сопутствующий товар

Есть вопросы по каким-либо продуктам?

Наша профессиональная команда продаж ожидает вашего обращения.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.

Получить коммерческое предложение

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000

Получить бесплатное предложение

Наш представитель свяжется с вами в ближайшее время.
Электронная почта
Имя
Название компании
Сообщение
0/1000