DG120X07T2, IGBT дискретный, STARPOWER

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

650

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

Коллекторный ток @ T C=25o C @ T C=135o C

240

120

A

Я См

Импульсный Коллектор Текущий t p ограничено от T jmax

360

A

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175o C

893

Ш

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

650

V

Я F

Диод Непрерывный Прямой Ток @ T C=25o C @ T C=80o C

177

120

A

Я ЧМ

Диод Максимальный Прямой Текущий t p ограничено от T jmax

360

A

Символ

ОПИСАНИЕ

Ценности

Единица

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +175

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-55 до +150

o C

T С

Температура пайки,1.6mm f rom case for 10с

260

o C

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C=120A,V GE =15В, T j =25o C

1.40

1.85

V

Я C=120A,V GE =15В, T j =150o C

1.70

Я C=120A,V GE =15В, T j =175o C

1.75

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C=1.92mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C

5.1

5.8

6.5

V

Я CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

250

uA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

200

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

/

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25V,f=100kHz, V GE =0В

14.1

нФ

Cres

Обратная передача Пропускная способность

0.42

нФ

В. Г

Сбор за вход

V GE =-15 ...+15В

0.86

uC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =300V,I C=120A, Пруток Г =7.5Ω,

V GE =±15В, LС =40nH ,T j =25o C

68

nS

t пруток

Время нарастания

201

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

166

nS

t f

Время спада

54

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

7.19

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

2.56

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =300V,I C=120A, Пруток Г =7.5Ω,

V GE =±15В, LС =40nH ,T j =150o C

70

nS

t пруток

Время нарастания

207

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

186

nS

t f

Время спада

106

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

7.70

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

2.89

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =300V,I C=120A, Пруток Г =7.5Ω,

V GE =±15В, LС =40nH ,T j =175o C

71

nS

t пруток

Время нарастания

211

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

195

nS

t f

Время спада

139

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

7.80

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

2.98

mJ

Я SC

Данные SC

t P≤6μs, V GE =15В,

T j =150 o C,V CC = 300 В, V СМК ≤650V

600

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

Я F =120A,V GE =0V,T j =25o C

1.65

2.10

V

Я F =120A,V GE =0V,T j =150o C

1.60

Я F =120A,V GE =0V,T j =175o C

1.60

t рР

Обратный диод Время восстановления

V Пруток =300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE = 15 В LС =40nH ,T j =25o C

184

nS

В. пруток

Восстановленная зарядка

1.65

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

17.2

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

0.23

mJ

t рР

Обратный диод Время восстановления

V Пруток =300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE = 15 В LС =40nH ,T j =150o C

221

nS

В. пруток

Восстановленная зарядка

3.24

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

23.1

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

0.53

mJ

t рР

Обратный диод Время восстановления

V Пруток =300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE = 15 В LС =40nH ,T j =175o C

246

nS

В. пруток

Восстановленная зарядка

3.98

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

26.8

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

0.64

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Пруток thJC

Соединение с делом (на IGB) T) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.168 0.369

K/W

Пруток тГА

Соединение с окружающей средой

40

K/W