DG120X07T2, IGBT дискретный, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

650

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C =135 о C

240

120

A

Я CM

Импульсный Коллектор Ток т p ограниченный от Т jmax

360

A

P Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =175 о C

893

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

650

В

Я К

Диод Непрерывный Прямой Ток @ T C =25 о C @ T C =80 о C

177

120

A

Я ЧМ

Диод Максимальное Прямой Ток т p ограниченный от Т jmax

360

A

Символ

Описание

Ценности

Единица

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +175

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-55 до +150

о C

Т С

Температура пайки,1.6mm f rom case for 10с

260

о C

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =120A,V GE =15В, Т j =25 о C

1.40

1.85

В

Я C =120A,V GE =15В, Т j =150 о C

1.70

Я C =120A,V GE =15В, Т j =175 о C

1.75

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =1.92 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

5.1

5.8

6.5

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т j =25 о C

250

uA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

200

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

/

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25V,f=100kHz, В GE =0В

14.1

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.42

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15 ...+15В

0.86

uC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =300V,I C =120A, R G =7.5Ω,

В GE =±15В, Л С =40 nH ,Т j =25 о C

68

nS

т r

Время нарастания

201

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

166

nS

т к

Время спада

54

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

7.19

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

2.56

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =300V,I C =120A, R G =7.5Ω,

В GE =±15В, Л С =40 nH ,Т j =150 о C

70

nS

т r

Время нарастания

207

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

186

nS

т к

Время спада

106

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

7.70

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

2.89

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =300V,I C =120A, R G =7.5Ω,

В GE =±15В, Л С =40 nH ,Т j =175 о C

71

nS

т r

Время нарастания

211

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

195

nS

т к

Время спада

139

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

7.80

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

2.98

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤6μs, В GE =15В,

Т j =150 о C,V CC = 300 В, В СМК ≤650V

600

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я К =120A,V GE =0V,T j =25 о C

1.65

2.10

В

Я К =120A,V GE =0V,T j =1 50о C

1.60

Я К =120A,V GE =0V,T j =1 75о C

1.60

т рР

Обратный диод Время восстановления

В R =300V,I К =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE = 15 В Л С =40 nH ,Т j =25 о C

184

nS

Q r

Восстановленная зарядка

1.65

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

17.2

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

0.23

mJ

т рР

Обратный диод Время восстановления

В R =300V,I К =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE = 15 В Л С =40 nH ,Т j =150 о C

221

nS

Q r

Восстановленная зарядка

3.24

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

23.1

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

0.53

mJ

т рР

Обратный диод Время восстановления

В R =300V,I К =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE = 15 В Л С =40 nH ,Т j =175 о C

246

nS

Q r

Восстановленная зарядка

3.98

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

26.8

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

0.64

mJ

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R thJC

Соединение с делом (на IGB) T) Соединение с корпусом (на D) йода)

0.168 0.369

K/W

R тГА

Соединение с окружающей средой

40

K/W