Краткое введение
Модуль IGBT , произведенный компанией STARPOWER. 1200В 900А.
Особенности
- Технология NPT IGBT
-
10 мкм краткосвязь иллитет
-
В низком потери при переключении
-
Устойчивый с ультрабыстрой производительностью ance
-
V СЕ (сидел ) с положительный температура коэффициент
-
Быстрое и мягкое обратное восстановление противопараллельная FWD
- Изолированная медная основополагающая плита с использованием технологии DBC
Типичный Области применения
- Питание в режиме переключения
- Индуктивное нагревание
- Электрический сварщик
Абсолютное Максимальный Рейтинги T C =25o C если только иначе отмечено
IGBT
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
V CES |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1200 |
V |
V ГЭС |
Напряжение затвор-эмиттер |
±20 |
V |
О C |
Коллекторный ток @ T C =25o C
@ T C =80o C
|
1350
900
|
А |
О CM |
Импульсный ток коллектора t p =1 мс |
1800 |
А |
P D |
Максимальное рассеивание мощности @ T j =150o C |
7.40 |
кВт |
Диод
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
V RRM |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение |
1200 |
V |
О F |
Диод непрерывно передний арендная плата |
900 |
А |
О ЧМ |
Максимальный прямой ток диода t p =1 мс |
1800 |
А |
Модуль
Символ |
Описание |
Значение |
Единица |
T jmax |
Максимальная температура стыка |
150 |
o C |
T - Я не знаю. |
Тепловая температура рабочего раздела |
-40 до +125 |
o C |
T СТГ |
Температура хранения Дальность действия |
-40 до +125 |
o C |
V ISO |
Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту |
4000 |
V |
IGBT Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
V CE (США)
|
Сборщик - эмитент
Насыщенное напряжение
|
О C = 800 А,В GE =15В, T j =25o C |
|
2.90 |
3.35 |
V
|
О C = 800 А,В GE =15В, T j =125o C |
|
3.60 |
|
V GE (th) |
Предельный уровень выпускателя Напряжение |
О C = 16,0 мА,В СЕ =V GE , T j =25o C |
5.0 |
6.1 |
7.0 |
V |
О CES |
Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ
Текущий
|
V СЕ =V CES ,V GE =0V,
T j =25o C
|
|
|
5.0 |
mA |
О ГЭС |
Утечка излучателя Текущий |
V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
нД |
C ies |
Входной пропускной способностью |
V СЕ =25В, f=1МГц,
V GE =0В
|
|
53.1 |
|
нФ |
C res |
Обратная передача
Пропускная способность
|
|
3.40 |
|
нФ |
Q G |
Сбор за вход |
V GE =- 15…+15В |
|
8.56 |
|
μC |
t d (по ) |
Время задержки включения |
V CC =900V,I C =800A, Пруток G = 1.3Ω,
V GE =±15В, T j =25o C
|
|
90 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
81 |
|
nS |
t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
500 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
55 |
|
nS |
Е по |
Включить Переключение
Потеря
|
|
36.8 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
41.3 |
|
mJ |
t d (по ) |
Время задержки включения |
V CC =900V,I C =800A, Пруток G = 1.3Ω,
V GE =±15В, T j = 125o C
|
|
115 |
|
nS |
t пруток |
Время нарастания |
|
92 |
|
nS |
t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ ) |
Выключение Время задержки |
|
550 |
|
nS |
t f |
Время спада |
|
66 |
|
nS |
Е по |
Включить Переключение
Потеря
|
|
52.5 |
|
mJ |
Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ |
Выключатель
Потеря
|
|
59.4 |
|
mJ |
|
О SC
|
Данные SC
|
t P ≤ 10 мкс,В GE =15В,
T j =125o C,V CC = 900 В, V СМК ≤ 1200 В
|
|
5200
|
|
А
|
Диод Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
V F |
Диод вперед
Напряжение
|
О F = 800 А,В GE =0V,T j =25o C |
|
1.95 |
2.40 |
V |
О F = 800 А,В GE =0V,T j = 125o C |
|
1.95 |
|
Q пруток |
Восстановленная зарядка |
V CC =900V,I F =800A,
-di/dt=9500A/μs,V GE =±15В, T j =25o C
|
|
56 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
550 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
38.7 |
|
mJ |
Q пруток |
Восстановленная зарядка |
V CC =900V,I F =800A,
-di/dt=9500A/μs,V GE =±15В, T j = 125o C
|
|
148 |
|
μC |
О RM |
Пик обратный
Ток восстановления
|
|
920 |
|
А |
Е rec |
Обратное восстановление Энергия |
|
91.8 |
|
mJ |
Модуль Характеристики T C =25o C если только иначе отмечено
Символ |
Параметры |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
Л СЕ |
Индуктивность отклоняющейся |
|
12 |
|
nH |
Пруток CC+EE |
Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип |
|
0.19 |
|
мОм |
Пруток θ Д.К. |
Соединение с делом (на IGB) T)
Соединение с корпусом (на D) йода)
|
|
|
16.9
26.2
|
К/кВт |
Пруток θ CS |
Кассе-от-Упаковки (на IGBT)
Кассе-от-Упаковки (на диод)
|
|
19.7
30.6
|
|
К/кВт |
Пруток θ CS |
Сборка из коробки в раковину |
|
6.0 |
|
К/кВт |
|
М
|
Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 Терминальное Соединение Крутящий момент, Винт М8 Крутящий момент установки, Шуруп M6 |
1.8
8.0
4.25
|
|
2.1
10
5.75
|
Н.М
|
G |
Вес из Модуль |
|
1500 |
|
g |
EN
