GD900SGU120C3SN,IGBT Модуль,STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C

@ T C =80 о C

1350

900

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t р =1 мс

1800

A

Р Г

Максимальное рассеивание мощности @ T j =150 о C

7.40

кВт

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

В

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

900

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t р =1 мс

1800

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура стыка

150

о C

Т - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +125

о C

Т СТГ

Температура хранения Запас хода

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

4000

В

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C = 800 А,В GE =15В, Т j =25 о C

2.90

3.35

В

Я C = 800 А,В GE =15В, Т j =125 о C

3.60

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 16,0 мА,В СЕ =V GE , T j =25 о C

5.0

6.1

7.0

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V,

Т j =25 о C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц,

В GE =0В

53.1

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

3.40

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =- 15…+15В

8.56

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =800A, R G = 1.3Ω,

В GE =±15В, Т j =25 о C

90

nS

т r

Время нарастания

81

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

500

nS

т f

Время спада

55

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

36.8

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

41.3

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC =900V,I C =800A, R G = 1.3Ω,

В GE =±15В, Т j = 125о C

115

nS

т r

Время нарастания

92

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

550

nS

т f

Время спада

66

nS

Е нА

Включить Переключение

Потеря

52.5

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

59.4

mJ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15В,

Т j =125 о C,V CC = 900 В, В СМК ≤ 1200 В

5200

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В F

Диод вперед

Напряжение

Я F = 800 А,В GE =0V,T j =25 о C

1.95

2.40

В

Я F = 800 А,В GE =0V,T j = 125о C

1.95

Q r

Восстановленная зарядка

В CC =900V,I F =800A,

-di/dt=9500A/μs,V GE =±15В, Т j =25 о C

56

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

550

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

38.7

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В CC =900V,I F =800A,

-di/dt=9500A/μs,V GE =±15В, Т j = 125о C

148

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

920

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

91.8

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

12

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.19

мОм

R θ Д.К.

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на D) йода)

16.9

26.2

К/кВт

R θ КС

Кассе-от-Упаковки (на IGBT)

Кассе-от-Упаковки (на диод)

19.7

30.6

К/кВт

R θ КС

Сборка из коробки в раковину

6.0

К/кВт

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 Терминальное Соединение Крутящий момент, Винт М8 Крутящий момент установки, Шуруп M6

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

Н.М

G

Вес из Модуль

1500

g