GD900SGU120C3SN,IGBT Модуль,STARPOWER

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

Коллекторный ток @ T C=25o C

@ T C=80o C

1350

900

A

Я См

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

1800

A

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T j =150o C

7.40

кВт

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

V

Я F

Диод непрерывно передний арендная плата

900

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

1800

A

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T jmax

Максимальная температура стыка

150

o C

T - Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +125

o C

T СТГ

Температура хранения Дальность действия

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t= 1 минуту

4000

V

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Я C= 800 А,В GE =15В, T j =25o C

2.90

3.35

V

Я C= 800 А,В GE =15В, T j =125o C

3.60

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C= 16,0 мА,В СЕ =V GE , T j =25o C

5.0

6.1

7.0

V

Я CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ

Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

400

нД

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц,

V GE =0В

53.1

нФ

Cres

Обратная передача

Пропускная способность

3.40

нФ

В. Г

Сбор за вход

V GE =- 15…+15В

8.56

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C=800A, Пруток Г = 1.3Ω,

V GE =±15В, T j =25o C

90

nS

t пруток

Время нарастания

81

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

500

nS

t f

Время спада

55

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

36.8

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

41.3

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC =900V,I C=800A, Пруток Г = 1.3Ω,

V GE =±15В, T j = 125o C

115

nS

t пруток

Время нарастания

92

nS

t d (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

550

nS

t f

Время спада

66

nS

Eвключено

Включить Переключение

Потеря

52.5

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель

Потеря

59.4

mJ

Я SC

Данные SC

t P≤ 10 мкс,В GE =15В,

T j =125o C,V CC = 900 В, V СМК ≤ 1200 В

5200

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед

Напряжение

Я F = 800 А,В GE =0V,T j =25o C

1.95

2.40

V

Я F = 800 А,В GE =0V,T j = 125o C

1.95

В. пруток

Восстановленная зарядка

V CC =900V,I F =800A,

-di/dt=9500A/μs,V GE =±15В, T j =25o C

56

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

550

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

38.7

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V CC =900V,I F =800A,

-di/dt=9500A/μs,V GE =±15В, T j = 125o C

148

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

920

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

91.8

mJ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

12

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.19

мОм

Пруток θ Д.К.

Соединение с делом (на IGB) T)

Соединение с корпусом (на D) йода)

16.9

26.2

К/кВт

Пруток θ CS

Кассе-от-Упаковки (на IGBT)

Кассе-от-Упаковки (на диод)

19.7

30.6

К/кВт

Пруток θ CS

Сборка из коробки в раковину

6.0

К/кВт

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 Терминальное Соединение Крутящий момент, Винт М8 Крутящий момент установки, Шуруп M6

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

Н.М

Г

Вес из МОДУЛЬ

1500

г