GD300MPX120C6SA, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Значение

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я C

Коллекторный ток @ T C =25 о C @ T C =100 о C

468

300

A

Я CRM

Повторяющийся Пик Коллектор Ток tp ограниченный от Т vjop

600

A

P Г

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175 о C

1530

В

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

В

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

300

A

Я ФРМ

Повторяющийся Пик Прямой Ток tp ограниченный от Т vjop

600

A

Символ

Описание

Значение

Единица

В RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

В

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

300

A

Я ФРМ

Повторяющийся Пик Прямой Ток tp ограниченный от Т vjop

600

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т vjmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

2500

В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C = 300 А,В GE =15В, Т vj =25 о C

1.70

2.15

В

Я C = 300 А,В GE =15В, Т vj =125 о C

1.95

Я C = 300 А,В GE =15В, Т vj =150 о C

2.00

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C =12.0 mA ,В СЕ = В GE , Т vj =25 о C

5.6

6.2

6.8

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т vj =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т vj =25 о C

400

нД

R Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

2.5

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25В, f=1МГц, В GE =0В

31.1

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.87

нФ

Q G

Сбор за вход

В GE =-15 ...+15В

2.33

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C = 300A, R G =2.4Ω, Lс=35нГ, В GE =±15В,Т vj =25 о C

215

nS

т r

Время нарастания

53

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

334

nS

т к

Время спада

205

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

21.5

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

20.7

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C = 300A, R G =2.4Ω, Lс=35нГ, В GE =±15В,Т vj =125 о C

231

nS

т r

Время нарастания

59

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

361

nS

т к

Время спада

296

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

30.1

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

28.1

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C = 300A, R G =2.4Ω, Lс=35нГ, В GE =±15В,Т vj =150 о C

240

nS

т r

Время нарастания

62

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

376

nS

т к

Время спада

311

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

32.9

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

29.9

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤10μs, В GE =15В,

Т vj =150 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

1200

A

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В К

Диод вперед Напряжение

Я К = 300 А,В GE =0V,T vj =2 5о C

1.85

2.30

В

Я К = 300 А,В GE =0V,T vj =125 о C

1.90

Я К = 300 А,В GE =0V,T vj =150 о C

1.95

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I К = 300A,

-di/dt=2937A/мкс, Lс=70нГ, В GE =-15В, T vj =25 о C

36.3

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

235

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

15.7

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I К = 300A,

-di/dt=2720A/мкс, Lс=70нГ, В GE =-15В, T vj =125 о C

61.3

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

257

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

27.5

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I К = 300A,

-di/dt=2616A/мкс, Lс=70нГ, В GE =-15В, T vj =150 о C

68.8

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

262

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

30.8

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В К

Диод вперед Напряжение

Я К = 300 А,В GE =0V,T vj =2 5о C

1.85

2.30

В

Я К = 300 А,В GE =0V,T vj =125 о C

1.90

Я К = 300 А,В GE =0V,T vj =150 о C

1.95

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I К = 300A,

-di/dt=5683A/мкс, Lс=35нГ, В GE =-15В, T vj =25 о C

36.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

290

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

13.4

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I К = 300A,

-di/dt=4958A/μс,Ls=35нГн, В GE =-15В, T vj =125 о C

56.6

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

301

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

22.2

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В CC = 600 В,I К = 300A,

-di/dt=4673A/μс,Ls=35нГн, В GE =-15В, T vj =150 о C

65.9

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

306

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

26.3

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из R 100

Т C =100 о C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

35

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

1.45

мОм

R thJC

Переходный пункт -до -Кейс (наIGBT -инвертор ) Соединение вывода с корпусом (на диод-инвертор ) Соединение вывода с корпусом (на диод-3-уровневый )

0.098 0.176 0.176

K/W

R thCH

Корпус к радиатору (на IGBT-инвертор ) Корпус к радиатору (на диод- преобразователь) Корпус к радиатору (на диод-3-уровневый уровень) Корпус к радиатору (на Модуль)

0.033 0.059 0.059 0.009

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Н.М

G

Вес из Модуль

350

g