GD300MPX120C6SA, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

Я C

Коллекторный ток @ T C=25o C @ T C=100o C

468

300

A

Я CRM

Повторяющийся Пик Коллектор Текущий tp ограничено от T vjop

600

A

PD

Максимальное рассеивание мощности @ T vj =175o C

1530

Ш

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

V

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

300

A

Я ФРМ

Повторяющийся Пик Прямой Текущий tp ограничено от T vjop

600

A

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

V RRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение возраст

1200

V

Я F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

300

A

Я ФРМ

Повторяющийся Пик Прямой Текущий tp ограничено от T vjop

600

A

Символ

ОПИСАНИЕ

Значение

Единица

T vjmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T vjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Напряжение изоляции RMS,f=50Гц,t =1min

2500

V

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C= 300 А,В GE =15В, T vj =25o C

1.70

2.15

V

Я C= 300 А,В GE =15В, T vj =125o C

1.95

Я C= 300 А,В GE =15В, T vj =150o C

2.00

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C=12.0mA ,V СЕ =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Я CES

Коллектор Вырезан —ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T vj =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Внутренний портал сопротивления ance

2.5

ω

Cies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25В, f=1МГц, V GE =0В

31.1

нФ

Cres

Обратная передача Пропускная способность

0.87

нФ

В. Г

Сбор за вход

V GE =-15 ...+15В

2.33

μC

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C= 300A, Пруток Г =2.4Ω, Lс=35нГ, V GE =±15В,Т vj =25o C

215

nS

t пруток

Время нарастания

53

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

334

nS

t f

Время спада

205

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

21.5

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

20.7

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C= 300A, Пруток Г =2.4Ω, Lс=35нГ, V GE =±15В,Т vj =125o C

231

nS

t пруток

Время нарастания

59

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

361

nS

t f

Время спада

296

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

30.1

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

28.1

mJ

t d (включено )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C= 300A, Пруток Г =2.4Ω, Lс=35нГ, V GE =±15В,Т vj =150o C

240

nS

t пруток

Время нарастания

62

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

376

nS

t f

Время спада

311

nS

Eвключено

Включить Переключение Потеря

32.9

mJ

EвЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

29.9

mJ

Я SC

Данные SC

t P≤10μs, V GE =15В,

T vj =150o C,V CC =800V, V СМК ≤ 1200 В

1200

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

V F

Диод вперед Напряжение

Я F = 300 А,В GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

Я F = 300 А,В GE =0V,T vj =125o C

1.90

Я F = 300 А,В GE =0V,T vj =150o C

1.95

В. пруток

Восстановленная зарядка

V CC = 600 В,I F = 300A,

-di/dt=2937A/мкс, Lс=70нГ, V GE =-15В, T vj =25o C

36.3

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

235

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

15.7

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V CC = 600 В,I F = 300A,

-di/dt=2720A/мкс, Lс=70нГ, V GE =-15В, T vj =125o C

61.3

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

257

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

27.5

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V CC = 600 В,I F = 300A,

-di/dt=2616A/мкс, Lс=70нГ, V GE =-15В, T vj =150o C

68.8

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

262

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

30.8

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

V F

Диод вперед Напряжение

Я F = 300 А,В GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

Я F = 300 А,В GE =0V,T vj =125o C

1.90

Я F = 300 А,В GE =0V,T vj =150o C

1.95

В. пруток

Восстановленная зарядка

V CC = 600 В,I F = 300A,

-di/dt=5683A/мкс, Lс=35нГ, V GE =-15В, T vj =25o C

36.2

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

290

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

13.4

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V CC = 600 В,I F = 300A,

-di/dt=4958A/μс,Ls=35нГн, V GE =-15В, T vj =125o C

56.6

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

301

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

22.2

mJ

В. пруток

Восстановленная зарядка

V CC = 600 В,I F = 300A,

-di/dt=4673A/μс,Ls=35нГн, V GE =-15В, T vj =150o C

65.9

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

306

A

Erec

Обратное восстановление Энергия

26.3

mJ

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Пруток 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из Пруток 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2— 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2— 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2— 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

LСЕ

Индуктивность отклоняющейся

35

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

1.45

мОм

Пруток thJC

Переходный пункт —до —Корпус (наIGBT —инвертор ) Соединение вывода с корпусом (на диод-инвертор )Соединение вывода с корпусом (на диод-3-уровневый )

0.098 0.176 0.176

K/W

Пруток thCH

Корпус к радиатору (на IGBT-инвертор )Корпус к радиатору (на диод- преобразователь) Корпус к радиатору (на диод-3-уровневый уровень) Корпус к радиатору (на Модуль)

0.033 0.059 0.059 0.009

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Шуруп M6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Н.М

Г

Вес из МОДУЛЬ

350

г